ASML在IEDM 2019大會上披露，截至2019年，總共已經使用EUV設備處理了450萬片晶圓。該公司最新的NXE：3400C系統每小時可生產170個晶圓。 從2011年到2018年末，通過
2019-12-17 13:58:48
5331 TSV技術應用即將遍地開花。隨著各大半導體廠商陸續將TSV立體堆疊納入技術藍圖，TSV應用市場正加速起飛，包括影像感應器、功率放大器和處理器等元件，皆已開始采用；2013年以后，3D TSV技術更將由8寸晶圓逐漸邁向12寸晶圓應用。
2013-01-27 10:25:003306 全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現450毫米晶圓的商業性量產，與此同時，極紫外（EUV）光刻設備也進展順利，將在今年交付兩套新的系統。
2013-04-21 09:42:141285 龐大的財務與技術障礙繼續困擾18吋（450mm）晶圓發展，IC制造商紛紛將原本充滿雄心壯志的18吋晶圓相關計劃延后，轉向將12吋與8吋晶圓生產效益最大化──市場研究機構IC Insights 的最新報告顯示，全球晶圓產能到2020年都將延續以12吋晶圓稱霸的態勢。
2016-10-13 16:21:081531 
本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產率。
2022-06-16 14:02:432749 
來源：半導體風向標 從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通孔”并翻譯為via硅的事實，它們垂直地穿過
2023-07-26 10:06:15619 硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現芯片之間互連的技術，是2.5D/3D 封裝的關鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲，降低電容、電感，實現芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現小型化。
2024-01-09 09:44:131902 
L-3型臥式車床，其最大加工直徑為450mm，最長加工長度為1500mm。是生產型企業常用普通車床之一。
2024-01-22 14:09:48436 
具有代表性的技術包括晶圓級封裝（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅轉接板等，潛藏著新的商機。
2011-08-28 12:17:464024 
新美光 CEO 夏秋良介紹，450mm 半導體單晶硅棒采用國際最先進 MCZ 技術，代表國際先進水平，改變國內無自主 450mm 半導體級單晶硅棒的局面。將在 28nm 以下晶圓廠實現國產替代。在半導體晶圓廠自主化方面，發揮重要作用。
2020-07-02 09:45:526796 日前，據韓國媒體報道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產中導入EUV技術，以建立更高的技術壁壘。對此，美光（Micron）企業副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452136 PICOBLADE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
CLICKMATE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
2140 MHz和100 MHz的有用帶寬。該濾波器用于射頻信號的時間對準，并提供450納秒的絕對延遲。該設備的插入損耗為29分貝，它被封裝在一個密封的表面貼裝封裝。產品型號: 856717產品名稱
2018-07-16 10:18:00
ofweek電子工程網訊 國際半導體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業界對半導體制造的關鍵設備之一極紫外光刻機（EUV）的關注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
FreeRTOS筆記（十一）延遲中斷
2019-07-23 08:39:30
[table][tr][td] 問題描述： 系統調試過程中發現硬件中斷經常得不到及時響應，根據現象推斷中斷會被延遲達150us以上。 問題分析：中斷信號是連到CPLD的，DSP的GPIO6也
2018-08-15 04:17:39
Interface NAMURaE+H液位計FTL51-MBG2BB6E5AL=450MM E+H液位計FTL51-MBG2BB6E5AL=300MME+H 分析儀CPF81－NN11A2恩德斯豪斯CPS11D-7BA21
2021-09-08 13:39:20
MAX1614EUV - High-Side, n-Channel MOSFET Switch Driver Internal On/Off Latch - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33
：0.5mm/s 和0.1mm/s可調●硬件結構：測針：標準型(高度小于8mm)1支，觸針半徑2μm，靜態測力0.75mN；大理石平臺：尺寸≥800×450mm；電動立柱：高度≥450mm；●測量軟件依照
2017-02-23 18:12:50
IONIZER BAR 450MM LENGTH
2023-03-23 05:03:39
印刷機上，然后由人工或印刷機把錫膏涂敷于印版上有文字和圖像的地方，再直接或間接地轉印到電路板上，從而復制出與印版相同的PCB板。參數 ?最大板尺寸 (X x Y)：450mm x 320mm ?最小板尺寸
2015-01-13 10:12:12
：353mm(寬)×177mm(高)×450mm(長)重量：22kg(通常情況下)————————————————————————————————————————- 以上儀器皆是我們的存貨。此推廣
2017-06-20 16:40:15
的火花,即450mm及EUV 光刻 機。在LinkedIn半導體制造小組中近期從一家成員公司偶然提出一個問題讓我產生了思考。當經濟處于復蘇的好時機時會改潿雜詿50mm硅片的看法嗎？WWK的總裁David Jimenez回答了它的問題。設備制造商會愿意更多的投資來發展450mm設備？傳感技術
2010-02-26 14:52:33
儀; 信號發生器; 數字源表; 數字萬用表; 單位注冊資金單位注冊資金人民幣200萬元以下。 我們公司主要供應二手儀器二手儀器回收|二手儀器維修|二手儀器租賃|二手網絡分析儀、頻譜分析儀、示波器等產品，我們的產品貨真價實，性能可靠，歡迎電話咨詢！收購Ti450、回收福祿克/Fluke Ti450
2020-03-24 10:38:19
，其生產線測試必然有全新的需求，此外，EUV也提上了日程，需要全新的測試方案進行驗證，這部分2012年會有大量廠商投入研發，還有一個熱點是450mm晶圓設備測試驗證也進入研發關鍵階段。
2012-02-03 09:43:19
硅通孔（TSV）電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應用中的一個有吸引力的熱點。本文介紹了通過優化濺射和電鍍條件對完全填充TSV的改進。特別注意具有不同種子層結構的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
這個要根據die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號嗎？ 謝謝， 何魯麗 ＃運算放大器，香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
你好，熱分析要求CY7C2663KV18-450BZI元件高度公差來自PCB。我需要知道最小，典型和最大高度值毫米。圖中給出了下面的繪圖。給出了馬克斯值，但用下圖不能從PCB到IC頂部獲得Min
2018-10-18 15:24:25
STMicroelectronics 運算放大器 TSV912AIDT 雙 高速、精密, 8MHz增益帶寬積
2022-05-31 10:04:31
Frequency: 450MHzImpedance: 50 OhmsVSWR: <1.5Gain: 5.0 dBi EA450TGain: 3.0 dBi EB450
2009-03-16 09:32:51
7 本文從延遲鎖定環路(DLL)的線性模型出發，運用信號統計分析的方法，詳細研究了延遲鎖定環路的同步性能與相關區間、環路帶寬與信噪比之間的關系，得出了采用窄相關可以顯
2009-08-07 10:03:3024 生產450 mm（18 英寸）硅晶圓的經濟可行性——來自硅晶圓材料供應廠商的呼聲鐘 信1． 前言根據歷史數據分析，晶圓尺寸的倍增轉換周期大約為11 年。第一條 200 mm 生產線投
2009-12-15 15:07:0924 荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產品介紹：ISTEQ公司開發了一種基于激光產生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩定性。它采用可自刷新的材料，無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產品介紹：ISTEQ公司開發了一種基于激光產生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩定性。它采用可自刷新的材料，無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48
三項半導體新技術投入使用的時間將后延至2015-2016年
半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻
2010-01-26 11:34:36411 三項半導體新技術投入使用的時間將后延
半導體技術市場權威分析公司ICInsights近日發布的報告顯示，按照他們的估計，450mm
2010-01-28 09:21:39491 美紐約州匿名團體反對州政府資助450mm項目
日前，一個匿名群體就美國紐約州對CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圓研發中心進行資助表示反對。這個群體告訴紐約州的政
2010-02-10 10:31:20542 隨著半導體業逐漸地走出2008/2009年低谷，450mm硅片的可行性再次提上議事日程。目前450mm最大問題集中在研發成本及未來投資的回報率。
2010-06-09 15:11:38729 
3D-IC設計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，當前傳統的TSV生產供應鏈已落后于ITRS對其的預測。
2011-01-14 16:10:401719 
近日英特爾公布22nm的3D(三維)技術開發成功，表明一直前景不明的16nm技術可能會提前導入市場。
2011-08-18 10:03:451239 一片18寸(450mm)晶圓產出的芯片數是12寸(300mm)的兩倍以上,雖然晶圓尺寸愈大，愈能降低芯片制造成本，但推升晶圓尺寸所需的技術和復雜度高，需要設備、元件等產業鏈的搭配，建廠成本
2011-12-14 09:07:10697 TSV3DIC技術雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術發展速度可說是相當緩慢，DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝（Toshiba）將
2012-02-21 08:45:371435 你最近有看到關于過孔硅（TSV）的新聞嗎？
2012-04-16 08:54:465346 臺大土木系「高科技廠房設施研究中心」研發人員將于5月中旬進駐竹北分部校區臺灣半導體產業及相關產業，預期將在3至5年內進入18寸（450mm）晶圓之量產及14奈米之制程。
2012-05-09 08:40:09722 Crossing Automation, Inc.近日宣布成立新業務部，拓展并研發450mm 晶片自動化平臺的發展與產能。
2012-05-11 09:21:13589 臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米（nm）已先行導入試產外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應晶體（FinFET）技術，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸（450mm）晶圓
2012-09-07 09:05:21766 2012年國際半導體展昨閉幕，450mm（18寸）供應鏈論壇邀請到臺積電（2330）、全球450mm聯盟、應用材料、KLA-Tencor、Lam Research等深度探討450mm未來發展藍圖，并率先預告世界第1座450mm晶圓廠
2012-09-08 09:39:552184 圍繞450mm晶圓和EUV（Extreme Ultraviolet，超紫外線）曝光等新一代半導體制造技術的動向日趨活躍。2012年7月，全球最大的曝光設備廠商——荷蘭阿斯麥（ASML）宣布，將從半導體廠商獲得
2012-09-10 09:31:171087 
在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應鏈”研討會中，臺積電和G450C(全球450聯盟)明確揭示了18寸晶圓預計于2018年投入量產的發展時程。
2012-09-24 09:13:001007 全球五大半導體業者在2011年共同成立全球450mm聯盟，并于美國紐約州Albany設立450mm晶圓技術研發中心。
2012-12-12 09:18:471322 精密真空產品和尾氣處理系統領先制造商及相關增值服務全球供應商Edwards 集團有限公司（納斯達克代碼：EVAC）最近加入了一個由全球十家半導體設備公司組成、旨在組建450mm晶圓制造設備聯盟（F450C）的工作組。
2013-07-09 11:54:56985 最新行業觀察：英特爾14nm將推遲一個季度甚至兩個季度！450mm晶圓工藝預期也挪后了。IC Insights數據顯示，中國市場已經成為PC、汽車、手機和數字電視的No. 1！關注電子發燒友網，關注最新市場動態！
2013-08-27 12:33:332914 硅通孔技術（Through Silicon Via， TSV）技術是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質
2016-10-12 18:30:2714721 
TSV互連結構傳輸性能分析及故障建模研究_尚玉玲
2017-01-07 19:00:393 在短短幾年前還在半導體產業界被熱烈討論的18寸（450mm）晶圓，似乎失去了背后的推動力，至少在目前看來如此。
2017-01-17 15:32:581140 The TSV99x and TSV99xA family of single， dual， and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812 The TSV358， TSV358A， TSV324， and TSV324A （dual and quad） devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306 The TSV6390， TSV6391， and their “A” versions are single operational amplifiers （op amps） offering
2017-09-05 09:34:144 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585 The TSV630 and TSV631 devices are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation， and rail-to-rail input and output.
2017-09-05 10:04:3216 The TSV622， TSV622A， TSV623， TSV623A， TSV624， TSV624A， TSV625， and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254 The TSV620， TSV620A， TSV621， and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation
2017-09-05 11:01:536 The TSV85x， TSV85xA series of single， dual， and quad operational amplifiers offer low voltage operation with a rail-to-rail output swing.
2017-09-25 10:42:0911 沙子轉變為半導體級硅的制備，再將其轉變成晶體和晶圓，以及生產拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰性。
2018-07-19 10:09:3113334 的填充，實現硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。基于TSV技術的3D封裝主要有以下幾個方面優勢：
2018-08-14 15:39:1089027 電子發燒友網為你提供TI(ti)TSV914相關產品參數、數據手冊，更有TSV914的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，TSV914真值表，TSV914管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
本文檔的主要內容詳細介紹的是SU450B寫頻器驅動和華為SU450寫頻軟件及華為SU450寫頻方法資料概述。
2018-10-22 08:00:0061 磁帶延遲效果與單塊的作用原理不同，磁帶延遲使用的是通過錄音的方式然后通過磁帶的循環播放來實現。磁帶延遲相當受歡迎，因為它能夠提供多種延遲時間和速度調節，并且聲音相當自然。
2019-06-17 14:15:165622 格芯首席技術官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產工具，未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
從產品層面而言，如今市場的推動力已經由PC轉向智能手機、平板電腦，但是2013年中國智能手機增幅首次下降以及諸多移動產品增長高潮已過，而價格競爭日趨激烈，逐漸向PC市場低毛利率靠攏，加上關鍵性技術如EUV光刻和450mm硅片量產等尚未完全攻克，讓下一輪的集成電路增長添加了不確定性。
2019-09-23 11:07:221295 與此同時， 他指出，EUV繼續為ASML的客戶提高產量，迄今為止，他們的客戶已經使用EUV光刻機曝光了超過1100萬個EUV晶圓，并交付了57個3400x EUV系統（3400平臺是EUV生產平臺）。
2020-08-14 11:20:552048 
今天分析了另外一個關于數據庫延遲跳動的問題，也算是比較典型，這個過程中也有一些分析問題的方法和技巧工參考。
2020-08-20 14:18:041679 
TSL2584TSV Block Diagram
2021-01-22 09:39:411 RoHS Certificate TSL2584TSV
2021-01-25 07:17:067 以單機25×104kW的發電機為例，以其推力油槽尺寸選擇量程為450mm（即磁翻板液位計法蘭口1與法蘭口2之間的中心距為450mm）的磁翻板液位計2套。每個磁翻板液位計均應配備1個液位變送器
2021-05-06 09:21:251317 就必須對風泂試驗段進行整體結構強度、剛度分析以校核其運營的安全性。以有限元模擬仿真分析軟件TSV-Sσ utions對δm×6m試驗段進行結構強度分析和模態分析，根據結果提出優化改進風洞試驗段的結構，并對優仳后的結果進行分析，優化后的
2021-05-07 16:23:587 電子發燒友網為你提供ADI(ti)DC450A相關產品參數、數據手冊，更有DC450A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DC450A真值表，DC450A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 22:00:04
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現3DIC對下一代器件的優勢，TSV縮放至關重要。
2022-04-12 15:32:46942 
芯片和封裝基板的互連，以及芯片和芯片的互連。TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等填充，實現垂直電氣互連。硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯長度，降低信號延遲，降低寄生電容/電感，實現芯片間的低功耗、高速、寬帶通信和實現器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24:392053 本文介紹了采用芯和半導體ViaExpert軟件進行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結構復雜，存在建模繁瑣、分析不便等問題。
2022-06-03 09:03:001363 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構
?現場EUV源
?電源展望
?總結
2022-06-13 14:45:450 蔣尚義認為450mm會占用臺積電太多的研發人員，削弱其在其他領域追求技術進步的能力。然而，研發預算更大的英特爾受到的影響較小。因此，選擇較大的硅片的主要原因是“大家伙可以把小家伙擠出去”，蔣尚義表示。
2022-08-08 15:17:481711 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1110S-450+相關產品參數、數據手冊，更有DS1110S-450+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1110S-450+真值表，DS1110S-450+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-29 20:52:45
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2022-11-30 19:33:49
TSV 是目前半導體制造業中最為先進的技術之一，已經應用于很多產品生產。實現其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關， 在某種程度上直接決定了 TSV 的性能優劣。本文筆者在綜述 TSV 的工藝流程
2023-02-17 10:23:531010 編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互連技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。
2023-07-03 09:45:342003 
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進封裝。
2023-07-25 10:09:36470 
硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術的未來。TSV互連的結構是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔，然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前，銅基TSV是最具成本效益的大規模生產TSV。一旦過孔
2023-08-30 17:19:11326 
近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰。
2023-09-14 09:45:12563 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設計與制造
2023-11-30 15:27:28212 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57333 在討論ASML以及為何復制其技術如此具有挑戰性時，分析通常集中在EUV機器的極端復雜性上，這歸因于競爭對手復制它的難度。
2024-01-17 10:46:13116 
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