麥瑞半導(dǎo)體公司（Micrel Inc.）（納斯達(dá)克股票代碼：MCRL）今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019，該器件是為在高邊開關(guān)應(yīng)用中開關(guān)N溝道增強(qiáng)型MOSFET設(shè)計(jì)的。
2012-12-13 10:21:14
1496 MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
2023-03-28 22:34:35
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調(diào)節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導(dǎo)體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
半導(dǎo)體器件熱譜分析方法
2016-04-18 16:38:19
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358，歡迎加入！涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝及原料，有興趣的兄弟姐妹們加入了，500人的大家庭等著你...
2011-05-01 07:57:09
請(qǐng)問半導(dǎo)體分立器件怎么分類？
2011-10-26 10:29:14
摘要 : 導(dǎo)讀：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
半導(dǎo)體存儲(chǔ)元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體氣敏器件相關(guān)資料分享
2021-04-01 06:01:54
:DZDN.0.2010-02-044【正文快照】：飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)針對(duì)現(xiàn)今許多視頻產(chǎn)品平臺(tái)逐步淘汰S-video,以及四通道正在成為標(biāo)準(zhǔn)輸出配置之市場(chǎng)趨勢(shì),推出支持機(jī)頂盒和DVD
2010-04-23 11:26:55
摘要： 本文介紹了飛兆半導(dǎo)體 mWSaver 技術(shù)中的一項(xiàng)功能，即 AX-CAP 放電功能，它實(shí)現(xiàn)了無負(fù)載和輕負(fù)載條件下業(yè)內(nèi)最佳的最低功耗，并符合 2013 能源之星和 ErP 規(guī)范。 這項(xiàng)創(chuàng)新
2012-11-24 15:24:47
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)公布截至2011年6月26日為止的 2011 年第二季業(yè)績(jī)報(bào)告。飛兆半導(dǎo)體報(bào)告第二季的銷售額為 4.332億美元，比上季增長(zhǎng)5%，較
2011-07-31 08:51:14
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2016-06-22 18:22:01
，飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)了下一代TinyBuck調(diào)節(jié)器系列產(chǎn)品，由集成式POL調(diào)節(jié)器組成，包含恒定導(dǎo)通時(shí)間的PWM控制器，以及帶有高端和低端MOSFET的驅(qū)動(dòng)器。 FAN23xx系列可極大地提升終端用戶
2018-09-27 10:49:52
為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體
2011-07-13 08:52:45
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 編輯
飛兆半導(dǎo)體公司 （Fairchild Semiconductor） 為光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)加熱應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來同級(jí)最佳
2012-12-06 16:16:33
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產(chǎn)品FDMS9600S和FDMS9620S，能夠顯著減少電路板空間，同時(shí)可在同步降壓設(shè)計(jì)中達(dá)到較高的轉(zhuǎn)換效率
2018-11-22 15:48:58
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產(chǎn)品FDMS9600S和FDMS9620S，能夠顯著減少電路板空間，同時(shí)可在同步降壓設(shè)計(jì)中達(dá)到較高的轉(zhuǎn)換效率
2018-11-26 16:06:31
飛思卡爾半導(dǎo)體飛思卡爾半導(dǎo)體公司正在擴(kuò)展其 8 位微控制器 (MCU) 系列，新推出的器件是要求低功率操作和高級(jí)顯示功能的個(gè)人診斷和便攜式醫(yī)療產(chǎn)品的理想之選。作為其液晶顯示器 (LCD) S
2019-07-26 06:56:09
為了滿足家電及其他電器產(chǎn)品對(duì)于低功耗微控制器不斷增長(zhǎng)的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司又進(jìn)一步擴(kuò)大其廣受歡迎的低端8位HCS08微控制器(MCU)系列，推出高性能的MC9S08SV16/8
2019-07-18 08:18:56
為了幫助解決引發(fā)溫室效應(yīng)及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導(dǎo)體現(xiàn)已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術(shù)。與飛思卡爾其它動(dòng)力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場(chǎng)提供經(jīng)濟(jì)高效且精密的引擎控制設(shè)計(jì)。
2019-06-26 06:01:27
飛思卡爾半導(dǎo)體三款新MCU服務(wù)電表和流量計(jì)量飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出針對(duì)電表和流量計(jì)量的三個(gè)高級(jí)微控制器 (MCU) 解決方案，同時(shí)還推出了綜合智能表參考設(shè)計(jì)解決方案。飛思卡爾微控制器讓智能表的設(shè)計(jì)具有篡改檢測(cè)機(jī)制和實(shí)時(shí)使用情況監(jiān)控功能，為客戶提供安全性更高的智能表產(chǎn)品。
2019-07-18 07:03:35
DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)西安天光測(cè)控DCT1401半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:41:49
，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴(kuò)展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級(jí)射頻集成電路(RF IC)。當(dāng)由該公司高性價(jià)比
2019-07-09 08:17:05
經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來的特大功率半導(dǎo)體器件，它們分別代表了不同時(shí)期功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。概括來說，功率
2019-02-26 17:04:37
和模型 產(chǎn)品應(yīng)用 先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā) PDK/SPICE模型庫開發(fā) SPICE模型驗(yàn)證和定制 技術(shù)指標(biāo) 支持器件類型：MOSFET， SOI， FinFET， BJT/HBT， TFT
2020-07-01 09:36:55
、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)
2021-05-25 08:01:53
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場(chǎng)效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
1.常用半導(dǎo)體器件型號(hào)命名的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名由五個(gè)部分組成，第一部分用數(shù)字表示電極的數(shù)目；第二部分用漢語拼音字母表示器件的材料和極性；第三部分表示器件的類別；第四部分表示器件的序號(hào)
2017-11-06 14:03:02
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
電路板空間、降低功耗，以及實(shí)現(xiàn)出色的溫度特性和提高終端系統(tǒng)的可靠性。 除了 FAN7710外，飛兆半導(dǎo)體還針對(duì)線性熒光燈 (LFL) 設(shè)計(jì)和CFL應(yīng)用推出FAN7711 器件。除了兩個(gè)高功率MOSFET外
2018-08-28 15:28:41
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動(dòng)操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)Allen Kwang高度評(píng)價(jià)汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
的應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前，隨著ALD(原子層淀積)技術(shù)的逐漸成熟，化合物半導(dǎo)體HMET結(jié)構(gòu)以及MOSFET結(jié)構(gòu)的器件質(zhì)量以及可靠性得到了極大的提升，進(jìn)一步提高了化合物半導(dǎo)體材料在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域
2019-06-13 04:20:24
Fairchild超快二極管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET回收飛兆電力半導(dǎo)體收購飛兆功率晶體管收購飛兆功率
2020-11-02 16:58:26
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電子器件兩個(gè)名詞幾乎是同義詞，功率MOSFET的出現(xiàn)逐步改變了對(duì)功率半導(dǎo)體的傳統(tǒng)理解。原有的電力電子器件，基本上是一種服務(wù)于電力、大電機(jī)傳動(dòng)和工業(yè)應(yīng)用的器件。用電力來稱謂功率以后，使從事電力電子技術(shù)的人
2009-12-11 15:47:08
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的一種最具有優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
Fairchild功率MOSFET、回收飛兆電力半導(dǎo)體收購飛兆功率晶體管 收購飛兆功率模塊 、收購飛兆IGBT模塊、飛收購兆IGBT單管收購飛兆二極管 收購飛兆快恢復(fù)二極管 收購 飛兆超快二極管、收購
2020-10-16 16:18:12
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
功率半導(dǎo)體器件鳥瞰
當(dāng)代功率半導(dǎo)體器件大致可以分成三類：一是傳統(tǒng)的各類晶閘管；二是近二十年來發(fā)展起來的功率MOSFET
2009-07-09 11:37:211672 
FDZ197PZ 飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來
2009-08-04 08:15:47604 安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應(yīng)用
2010-02-03 10:13:151095 安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831 半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025985 飛兆半導(dǎo)體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方
2010-03-03 10:50:39633 飛兆半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET器件可延長(zhǎng)電池壽命
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工
2010-03-20 08:51:551143 茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET介紹
茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET應(yīng)用于直接式和邊緣式 LED背光驅(qū)動(dòng)模塊,已被多家大型LED TV背光模塊企業(yè)采用，推出這些瞄準(zhǔn) LED 背光電視市場(chǎng)的新產(chǎn)
2010-04-09 09:18:411263 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專門設(shè)計(jì)以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704 深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體分立器件，產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩(wěn)壓器等。拓鋒半導(dǎo)體沒有自己的生產(chǎn)設(shè)備，依靠自己的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)
2012-04-13 11:26:05882 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），它們經(jīng)過設(shè)計(jì)及優(yōu)化，提供領(lǐng)先業(yè)界能效，優(yōu)于市場(chǎng)現(xiàn)有器件。
2014-05-21 11:36:44909 除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:0013964 
著名的電源半導(dǎo)體技術(shù)公司深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司最新推出一款MOS封裝新工藝。這款TO220-S封裝廣泛的適用于MOSFET、高壓整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:34704 顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:391450 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035068 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177
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