利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。

　　濕法氧化

　　生長未有氮化硅保護(hù)的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區(qū)。

　　生成SIO2薄膜

　　熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質(zhì)更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。

　　氧化

　　LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成 SiO2 保護(hù)層。

　　形成源漏極

　　表面涂敷光阻，去除 P 阱區(qū)的光阻，注入砷 (As) 離子，形成 NMOS 的源漏極。用同樣的方法，在 N 阱區(qū)，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。

　　沉積

　　利用 PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退火處理。

　　沉積摻雜硼磷的氧化層

　　含有硼磷雜質(zhì)的SiO2 層，有較低的熔點(diǎn)，硼磷氧化層(BPSG) 加熱到800 oC 時(shí)會(huì)軟化并有流動(dòng)特性，可使晶圓表面初級(jí)平坦化。

　　深處理

　　濺鍍第一層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞，濺鍍鈦+ 氮化鈦+ 鋁+ 氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu)，并用PECVD 在上面沉積一層SiO2 介電質(zhì)。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦，加熱去除SOG 中的溶劑。然后再沉積一層介電質(zhì)，為沉積第二層金屬作準(zhǔn)備。　　(1) 薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理現(xiàn)象的PVD(physical vapor deposition) 法兩大類。CVD 法有外延生長法、HCVD ， PECVD 等。PVD 有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言， PVD 溫度低，沒有毒氣問題; CVD 溫度高，需達(dá)到1000 oC 以上將氣體解離，來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD 沉積到材料表面的附著力較CVD 差一些， PVD 適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD 來沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)采用要求較嚴(yán)謹(jǐn)?shù)腃VD 技術(shù)。以PVD 被覆硬質(zhì)薄膜具有高強(qiáng)度，耐腐蝕等特點(diǎn)。　　(2) 真空蒸發(fā)法( Evaporation Deposition )采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子(或原子)的平均自由程長( 10 -4 Pa 以下，達(dá)幾十米)，所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達(dá)基片。到達(dá)基片的原料分子不具有表面移動(dòng)的能量，立即凝結(jié)在基片的表面，所以，在具有臺(tái)階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時(shí)，一般，表面被覆性(覆蓋程度)是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空( <10 – 8 torr )，并且控制電流，使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長( MBE ： Molecular Beam Epitaxy )。　　(3) 濺鍍( Sputtering Deposition ) 所謂濺射是用高速粒子(如氬離子等)撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對(duì)面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺(tái)階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金( Al-Si, Al-Si-Cu )等都是利用濺射法形成的。最常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻( 13.56MHz )電源，使氬氣(壓力為1Pa )離子化，在靶材濺射出來的原子淀積到放到另一側(cè)電極上的基片上。為提高成膜速度， 通常利用磁場來增加離子的密度， 這種裝置稱為磁控濺射裝置( magnetron sputter apparatus )，以高電壓將通入惰性氬體游離，再藉由陰極電場加速吸引帶正電的離子，撞擊在陰極處的靶材，將欲鍍物打出后沉積在基板上。一般均加磁場方式增加電子的游離路徑，可增加氣體的解離率，若靶材為金屬，則使用DC 電場即可，若為非金屬則因靶材表面累積正電荷，導(dǎo)致往后的正離子與之相斥而無法繼續(xù)吸引正離子，所以改為RF 電場(因場的振蕩頻率變化太快，使正離子跟不上變化，而讓RF-in 的地方呈現(xiàn)陰極效應(yīng))即可解決問題。

　　光刻技術(shù)定出 VIA 孔洞

　　沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護(hù)層。

　　光刻和離子刻蝕

　　定出 PAD 位置。

　　最后進(jìn)行退火處理

　　以保證整個(gè) Chip 的完整和連線的連接性。