據日本富士經濟(Fuji Keizai)6月發布功率半導體全球市場的報告預估，汽車，電氣設備，信息和通信設備等領域對下一代功率半導體（SiC和GaN）需求的預計將增加。預計2030年（與2018
2019-06-25 11:22:42
7827 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體
2013-04-26 10:10:041532 市場研究機構IHS最新統計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產品，2015年碳化矽（SiC）功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導體也已開始
2016-03-24 08:26:111306 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優于硅的性能優勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來幾年發展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優于現在使用的Si（硅），作為“節能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 將超過30％。 ? 根據進行的一項研究，新型材料半導體的特點是尺寸小且功率密度高，Global Market Insights預計，到2027年，GaN和SiC功率半導體市場將超過45億美元
2021-05-21 14:57:182257 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
，其設計的方案滿足所有這些挑戰；與舊式慢速基于硅的半導體設計相比，成本相近甚至更低。” 應需而生的GaN功率IC Stephen解釋說，速率與效率是電源設計中兩個至關重要的參數，至今常用的半導體材料
2017-09-25 10:44:14
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
半導體材料從發現到發展，從使用到創新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，因為雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內褲都跟著炒作起來了~~小編也順應潮流聊聊半導體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
，簡化復雜的線路設計，讓設計者可以很容易的應用并發揮其特性?！ √蓟?b class="flag-6" style="color: red">半導體 除了GaN，碳化硅(SiC)是目前發展較成熟的寬能隙(WBG)半導體材料，在新一代電源中扮演了重要的角色，與傳統硅半導體相比
2018-10-23 16:12:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
國際半導體芯片巨頭壟斷加劇半導體芯片產業呈現三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
最先進的控制方法并使用可用于設計人員的最佳半導體技術。在這個演示中，我們努力將這些拼圖連接起來以獲得高功率密度。我們將了解電源設計的最新趨勢，技術優勢和高功率密度設計的成本優勢，以及最新的半導體技術
2018-10-29 08:57:06
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
請問有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型庫，不是硅材料的，比如說，GaN,SiC等寬禁帶材料的，謝謝啦，比如SiC的功率mos，我有功率mos的數值仿真數據，但是不知道怎樣在pspice中使用，呵呵，求達人告知
2009-12-02 11:35:39
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
的機遇和挑戰等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
文/編譯楊碩王家農在網絡無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導體技術路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導體技術發展預測中認為，隨著技術和體系結構推進“摩爾定律”和生產力極限
2019-07-24 08:21:23
`根據Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體企業受惠；另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
要求很嚴苛的車載設備上。印象中的Sic應該運用于大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節能和小型化貢獻巨大的功率元器件。③“數說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規模持續擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導體材料具有可見光波段的發光特性、高擊穿場強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優勢，可以應用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經過多年的發展
2017-02-22 14:59:09
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優勢
2011-11-01 17:23:20
81 三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產品與工業設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導體的需要。在這5種產品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 電力半導體模塊新趨勢
2017-03-04 17:56:161 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體材料（即第三代半導體材料）設備、制造工藝與器件物理的迅速發展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發展方向。
2017-10-17 17:23:191633 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導體市場規模呈現井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833 雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐，但世易時移，新興市場為其應用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:205129 本文闡述了下一代功率半導體（SiC、GaN）在豐田汽車批量的混合動力車應用的前景，主要針對作為車載電源的電力變換器上應用的效果明顯：冷卻系統簡易、燃費指標（ km/L）優越、加之可高頻驅動實現
2018-08-21 18:41:3310 關鍵詞：GaN , 5G技術 , 5G網絡 來源：拓墣產業研究院 相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC與GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色，并有耐高溫與適合在高頻環境下優勢，其可使芯片
2018-11-09 11:44:01220 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值
2020-03-15 09:56:574129 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導體材料， 它已經廣泛用于制造開關器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導體的潛力，并且在射頻應用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3111724 從技術發展來看，隨著硅基器件的趨近成本效益臨界點，近年來主流功率半導體器件廠商紛紛圍繞碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料進行探索。第三代半導體材料具備寬禁帶、低功率損耗等特性，迅速在高壓高頻率等新場景下發展壯大，成為功率半導體器件領域未來的重要發展趨勢之一。
2020-07-06 12:52:102471 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
半導體產業的發展一共分三個階段，第一代半導體材料是硅(Si)，第二代半導體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現在最熱門的是第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料GaN和SiC，相較前兩代產品
2022-12-09 10:46:48911 尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發光，傳感器和功率半導體的現有硅材料技術的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:192124 
11月15日消息 根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的新興市場
2020-11-16 10:19:322223 今日寬禁帶半導體聯盟秘書長陸敏博士發表了主題為“SiC和GaN功率電子技術及產業發展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042263 功率半導體的研發生產 電裝至今為止為了將SiC功率半導體（二極管、晶體管）應用在車載用途中，一直在進行SiC技術“REVOSIC＊2”的研發。SiC是一種半導體材料，與以往的Si（硅）相比，在高溫、高電波、高電壓環境下具備更優秀的性能，對減少系統的電力消耗、小
2020-12-21 16:20:263192 第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢
2021-05-03 16:18:0010175 
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:015712 寬帶隙半導體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211643 
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15677 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350 
氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39718 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發。
2023-04-14 15:42:06363 第三代半導體設備 第三代半導體設備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設備等。
2023-06-03 09:57:01787 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
sic功率半導體上市公司 sic功率半導體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:561042 Resonac（原昭和電工）是全球SiC外延片市場的佼佼者，該公司除了與羅姆半導體、英飛凌等建立長期供貨關系之外，還獲得了日本企業的大量投資，以擴大其SiC功率半導體業務生產規模。如今，他們已成功簽訂了多份SiC材料長期供給協議。
2024-01-15 10:30:02264
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