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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>工藝/制造>X-FAB首創200V SOI晶圓代工技術

X-FAB首創200V SOI晶圓代工技術

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應用范圍,讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠,X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝
2022-04-22 15:39:39322

瑞薩、X-FAB宣布了擴產碳化硅的計劃

至于X-FAB,其計劃擴大在美國德克薩斯州拉伯克市(Lubbock)的代工廠業務。報道稱,該公司已在拉伯克運營20多年,將在未來5年內進行重大投資,其中第一階段的投資額為2億美元,以提高該廠區的碳化硅半導體產量。
2023-05-24 11:12:55556

X-FAB領導歐資聯盟助力歐洲硅光電子價值鏈產業化

來源:X-FAB PhotonixFab將為光電子產品的創新及商業化打通路徑,實現高產能制造 中國北京,2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453

X-FAB將CMOS直接集成到其電流隔離解決方案中

X-FAB Silicon Foundries SE正在以進一步實質性的方式推進其電流隔離技術X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎上,該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設計,現在可用
2023-11-07 16:02:34305

X-FAB推出一款新近紅外(NIR)增強型SPAD

據麥姆斯咨詢報道,領先的模擬和混合信號器件專業代工X-FAB Silicon Foundries SE為其單光子雪崩二極管(SPAD)產品組合推出了一款新的近紅外(NIR)增強型SPAD
2023-11-20 09:11:53398

X-FAB推出新的XIPD工藝,實現全集成緊湊射頻系統設計

模擬/混合信號晶圓代工X-FAB Silicon Foundries公司宣布,新增集成無源器件(IPD)制造能力,最新推出XIPD工藝,進一步增強其在射頻領域的廣泛實力。
2023-11-21 17:03:00385

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