Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術生產可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應用。
2013-04-16 09:05:09
925 已經成為全球智能手機市場的中流砥柱。射頻芯片產業(yè)在中國已然高速增長。“Qorvo在未來的5G 射頻市場將擁有很多領先的技術，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機
2016-08-26 10:20:52
就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術極具吸引力。如果我們對比不同半導體工藝技術，就會發(fā)現(xiàn)功率通常會如何隨著高工作電壓IC技術而提高。硅鍺(SiGe)技術采用相對較低的工作電壓（2 V至3 V），但其集成
2018-10-17 10:35:37
就是層壓，層壓品質的控制在多層板制造中顯得愈來愈重要。因此要保證多層板層壓品質，需要對多層板層壓工藝有一個比較好的了解．為此就多年的層壓實踐，對如何提高多層板層壓品質在工藝技術上作如下總結： 一
2018-11-22 16:05:32
如何提高多層板層壓品質在工藝技術
2021-04-25 09:08:11
`CHA6652-QXG是一款三級單片GaAs大功率電路，可產生2瓦輸出功率。它是高度線性的，可以進行增益控制，并集成了功率檢測器。包括ESD保護。它是專為點對點廣播而設計的。該電路采用pHEMT
2021-01-21 15:56:15
COMS工藝制程技術主要包括了：1.典型工藝技術：①雙極型工藝技術② PMOS工藝技術③NMOS工藝技術④ CMOS工藝技術2.特殊工藝技術。BiCOMS工藝技術，BCD工藝技術，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設計、工藝技術基本要點和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
)設計師面臨的挑戰(zhàn)也將日益艱巨，因為集成方案必須具有或超過分立元器件實現(xiàn)的性能。在采用分立元器件實現(xiàn)方案時，系統(tǒng)設計師可以分別采取不同技術 (如GaAs、Si Bipolar或CMOS)進行最優(yōu)
2019-07-05 07:10:28
的GaAs芯片采用0.25μmpHEMTGaAs工藝，該工藝針對RF功率，低噪聲和RF信號控制應用進行了優(yōu)化，非常適合單個IC的高集成度。該GaAs MMIC包括一個“公共路徑”電路，其中包含一個4位數(shù)
2019-04-23 20:04:11
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工藝技術的頁面閃存
2023-03-25 03:30:11
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產中的靜電防護技術<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關的技術組成 1、電子元件、集成電路的設計制造技術 2、電子產品的電路設計技術 3、電路板的制造技術 4、自動貼裝設備的設計制造技術 5、電路裝配制造工藝技術 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產技術
2010-03-09 16:20:06
環(huán)保更廣泛的普及，達到既盈利又環(huán)保的雙贏目標。無鉛工藝的現(xiàn)狀當前國內許多大公司也沒有完全采用無鉛工藝而是采取有鉛工藝技術來提高可靠性，在機車行業(yè)中西門子和龐巴迪等國際知名公司也沒有完全采用無鉛工藝進行
2016-05-25 10:08:40
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競成----無鉛工藝技術應用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
請問誰有PCB板三防工藝，三防時如何解決元器件腳尖端不留漆、絕緣不達標的問題。
2009-04-24 11:54:19
哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提下，能達到多高的集成度？ 工藝技術仍然限定某些重要的功能部件必需運用特殊的工藝來制造：在射頻 （RF） 領域采用 GaAs 和 SiGe、高速 ADC 采用細線 CMOS，而高品質因數(shù)濾波器則無法使用半導體材料得以很好地實現(xiàn)。此外，市場還需要更高的密度。
2019-08-15 08:25:15
和日趨完善。 全自動貼裝工藝是表面貼裝技術中對設備依賴性最強的一個工序，整個SNIT生產線的產能、效率和產品適應性，主要取決于貼裝工序，在全自動貼裝中貼片機設備起決定性作用。但是這絕不意味著設備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛柔性PCB制造工藝技術的發(fā)展趨勢：未來，剛柔結合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
的路要走，但Qorvo 已在開發(fā)相應的工藝技術和封裝技術，以推動客戶的5G 應用。GaN 必將在5G 格局中發(fā)揮激動人心的關鍵作用。
2017-07-28 19:38:38
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
如何通過降低RC時間以及載流子自發(fā)輻射壽命，有效改善LED器件的響應速率，提高LED的調制帶寬。
2021-05-19 06:41:48
本文所介紹的各種方法與技巧有利于提高PCB的EMC特性，當然這些只是EMC設計中的一部分，通常還要考慮反射噪聲，輻射發(fā)射噪聲，以及其他工藝技術問題引起的干擾。
2021-04-27 06:20:32
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設計原理，設計制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路（ MMIC）。采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
及結構設計等措施。為節(jié)省芯片面積普遍采用了多層布線結構，現(xiàn)已達到7層布線。晶片集成(Wafer Scale Integration-WSI)和三維集成技術也正在研究開發(fā)。自IC問世以來，集成度不斷提高
2018-08-24 16:30:28
的工藝技術可用于晶圓凸起，每種技術有各自的優(yōu)缺點。其中金線柱焊接凸點和電解或化學鍍金焊接凸點主要用于引腳數(shù)較少的封裝應用領域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
，Agilent 最早采用帶寬增強技術僅是把其 12GHz 帶寬的示波器提高到 13GHz。反過來，用數(shù)字處理技術還可以根據(jù)需要來壓縮帶寬。帶寬壓縮的同時有一部分頻率成分的噪聲也被濾掉，所以在不需要高帶寬時可以
2018-04-03 10:34:04
，Agilent 最早采用帶寬增強技術僅是把其 12GHz 帶寬的示波器提高到 13GHz。反過來，用數(shù)字處理技術還可以根據(jù)需要來壓縮帶寬。帶寬壓縮的同時有一部分頻率成分的噪聲也被濾掉，所以在不需要高帶寬時可以
2018-04-04 09:17:01
請詳細敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術
2011-04-13 18:34:13
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術還在哪些高速通信領域應用呢？
2019-07-30 07:56:50
再流焊工藝技術研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術基礎上，將半導體器件及相關繞線尺寸進行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進工藝技術上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項目名稱：高壓0.18μm 先進工藝技術，該項目產品屬于30V 高工作電壓的關鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點、分類和使用工藝要點。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術何水校關鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 摘 要：熱風整平技術是目前應用較為成熟的技術，但因為其工藝 處于一個
2006-04-16 21:33:461902 無鉛波峰焊接工藝技術與設備1．無鉛焊接技術的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:53669 IC工藝技術問題 集成電路芯片偏置和驅動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級
2009-08-27 23:13:38780 提高多層板層壓品質工藝技術技巧 由于電子技術的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術的不斷發(fā)展。PCB板經由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:12967 ADI完成制造工藝技術的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造工藝技術的升級和改進，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產工藝技術/向下兼容？
CPU的生產工藝技術 我們常可以在CPU性能列表上看到“工藝技術”一項，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 創(chuàng)建靈敏的MEMS結構的工藝技術介紹
表面微加工技術可用于創(chuàng)建微機電傳感器及激勵器系統(tǒng)，它能夠通過高適應度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49651 超細線蝕刻工藝技術介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術的射頻/微波產品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術的產品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 Achronix半導體公司宣布：該公司已經戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術的使用權，并計劃開發(fā)最先進的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29553 日前，記者從有關方面獲悉，昆山工研院新型平板顯示技術中心(簡稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術，并于201
2010-12-29 09:29:35534 光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內,然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對3D封裝技術結構特點、主流多層基板技術分類及其常見鍵合技術的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術發(fā)展動態(tài)給與了重點的關注。尤其就硅通孔關鍵工藝技術如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 科銳公司（CREE）宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術相比
2012-07-18 14:30:561306 隨著芯片微縮，開發(fā)先進工藝技術的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進工藝技術節(jié)點的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 本文重點描述運用MEMS微機械加工工藝技術設計、加工、生產胎壓傳感器IC芯片，希望對大家學習MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 半導體的制造流程以及各工位的詳細工藝技術。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術，很詳細的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機轉子銅排成型工藝技術指標的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學鎳鈀金工藝技術研究
2017-01-22 20:56:130 業(yè)界對哪種 半導體 工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化
2017-11-25 02:35:02456 業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 Synopsys設計平臺用于高性能、高密度芯片設計 重點： Synopsys設計平臺獲得TSMC工藝認證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術，已成功用于客戶的多個設計項目。 針對
2018-05-17 06:59:004461 此前，不少消息稱蘋果今年發(fā)布的A12處理器將會采用全新的7nm工藝，并且會交由臺積電獨家生產；高通驍龍855、華為麒麟980等處理器也將采用7nm工藝……如無意外，7nm將會成為今年旗艦處理器
2018-05-25 11:09:003532 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細過孔和埋孔設計，印制電路圖形導線細、微孔化窄間距化，加工中所采用的機械方式鉆孔工藝技術已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來的激光鉆孔技術將滿足微細孔加工。
2018-07-06 14:11:063768 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 本文檔的主要內容詳細介紹的是CMOS工藝制程技術的詳細資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術：①雙極型工藝技術② PMOS工藝技術③NMOS工藝技術④ CMOS工藝技術2.特殊工藝技術。BiCOMS工藝技術，BCD工藝技術，HV-CMOSI藝技術。
2019-01-08 08:00:0075 多層印製板的層壓工藝技術按所采用的定位系統(tǒng)的不同，可分爲前定位系統(tǒng)層壓技術（PIN-LAN)和后定位系統(tǒng)層壓技術(MASS-LAM)。前者定位精度高,但效率低、成本高,只適用于高層數(shù)、高精度的多層
2019-07-24 14:54:262987 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術。下面來詳細介紹這兩種工藝的加工特點及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術層的屬性定義層，以實現(xiàn)EDA框架和設計流程的平滑過渡。該工藝技術層實際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個屬性對象的集合體，其中包括了很多基本屬性設置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網格控制選項等等。
2019-10-08 15:17:412021 
MCM電子工藝技術簡介 表面安裝元器件也稱作貼片式元器件或片狀元器件它有兩個顯著的特點： 1、在SMT元器件的電極上有些焊端完全沒有引線，有些只有非常短小的引線；相鄰電極=之間的距離比傳統(tǒng)的雙列
2020-03-10 11:18:461246 哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2020-10-13 10:43:000 了使用Qorvo工藝技術的各種各樣性能指標。Qorvo的通用性增益模塊在內部匹配，在各種各樣封裝類型中提供各種各樣增益和線性，Qorvo為用戶提供了諸多系統(tǒng)設計方案。 Qorvo增益塊放大器的主要特性： 完整的產品組合，包括各種部件；高級別OIP 3；寬帶寬度；內部零件匹配設
2020-09-03 10:51:57416 本文檔的主要內容詳細介紹的是CMOS工藝技術的學習課件免費下載。
2020-12-09 08:00:000 IBM日前推出一項微芯片工藝技術中的新改進。該公司表示，這項改進將讓為手機和其它通信設備制造更高速的硅設備
2021-03-26 11:08:541281 最大的RISC-V架構廠商SiFive近日宣布，其OpenFive部門已成功采用臺積電（TSMC）的N5工藝技術流片公司首個SoC，采用2.5D封裝HBM3存儲單元，帶寬7.2Gbps。在半導體行業(yè)中，流片意味著芯片設計大功告成，一般會在一年內投入商用。
2021-05-01 09:33:002960 
多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術綜述
2021-07-12 09:45:593 電子工藝技術論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 全面解讀電子封裝工藝技術
2022-10-10 11:00:51876 Ansys憑借實現(xiàn)靈活的功耗/性能權衡，通過臺積電N3E工藝技術創(chuàng)新型FINFLEX架構認證?? 主要亮點 Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺榮獲臺積電N3E
2022-11-17 15:31:57696 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:48644 ，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術。這一新的生成式設計遷移流程由 Cadence 和臺積電共同開發(fā)，旨在實現(xiàn)定制和模擬 IC 設計在臺積電工藝技術之間的自動遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 GaAs工藝中也可以像傳統(tǒng)的Si工藝一樣集成無源和有源器件，但GaAs在某些方面會比Si工藝有優(yōu)勢，尤其是高頻應用。
2023-07-11 10:42:341854 
2006電子元器件搪錫工藝技術要求
2023-08-23 16:48:033 電子產品裝聯(lián)工藝技術詳解
2023-10-27 15:28:22373 
多層印制板層壓工藝技術及品質控制（一）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術及品質控制（三）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術及品質控制（二）
2022-12-30 09:21:235 DOH新工藝技術助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術,即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結了不同封帽工藝的特點以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
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工商網監(jiān)
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