格羅方德半導體自完成對IBM微電子業務的收購，是其獲得了一系列差異化技術，可用于增強其公司在軍用、物聯網（IoT）、大數據和高性能計算等主要增長型市場中的產品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進的工藝之路上的領先地位，在全新的半導體工藝上，也推出了新一代聯網設備的超低功耗要求的“22FDX”平臺，此平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。

　　雖然某些設備對三維 FinFET晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應用提供了一條最佳途徑。憑借業內最低的0.4伏工作電壓，該平臺實現了超低動態功耗、更低的熱效應和更為精巧的終端產品規格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比 foundry FinFET工藝少近50%，為聯網設備在性能、功耗和成本方面實現了最佳組合點。

　　在RF領域，格羅方德半導體目前在無線前端模塊市場占據領先地位。IBM研發出世界一流的RF硅晶絕緣體（RFSOI）和高性能硅鍺（SiGe）技術，對格羅方德半導體現有的主流技術組合形成了高度互補。公司將繼續加大投入，推出其下一代RFSOI路線圖，并抓住汽車和家庭市場中的商機。格羅方德半導體首席執行官Sanjay Jha表示：“22FDX平臺能夠讓我們的客戶在性能、功耗和成本之間實現最佳平衡的差異化產品。該平臺在業內率先提供針對晶體管特性的實時系統軟件控制功能：系統設計人員能夠動態平衡功耗、性能和漏電。此外，針對聯網應用中的射頻和模擬集成，該平臺可提供最佳的擴展性和最高的能效。”22FDX 采用了格羅方德公司位于德國德累斯頓的最先進的300mm生產線上的量產28nm平臺。該工藝建立在近20年對歐洲最大的半導體晶圓廠的持續投資之上，掀開了“薩克森硅谷”發展史上的一個新篇章。格羅方德半導體在德累斯頓為22FDX平臺投入了2.5億美元，用于技術研發和啟動22FDX的生產，從而將公司自2009年以來對Fab 1的總投資增至超過50億美元。公司還將加大投資提高生產力以滿足客戶需求。格羅方德半導體正與多家歐洲領先的研發和行業機構開展合作，以便為22FDX建設一個強大的生態系統，縮短產品上市時間，并為其制定一個全面的路線圖。公司現提供設計入門套件和早期版本的工藝設計套件（PDK），并將于2016下半年啟動風險生產。

　　芯片供應商力挺FD-SOI工藝

　　STMicroelectronics 首席運營官Jean-Marc Chery表示：“格羅方德半導體的FDX平臺采用了一種先進的FD-SOI晶體管結構 ，該結構是雙方長期合作的結晶。FD-SOI確認并增強了這種工藝的強勁發展勢頭，拓展了生態系統，并確保了一個大批量供貨來源。FD-SOI可滿足物聯網設備和其它功耗敏感型設備保持永遠在線和實現低功耗的理想工藝。”Freescale 公司MCU事業群應用處理器與先進技術副總裁Ron Martino表示：“Freescale的新一代i.MX 7系列應用處理器利用FD-SOI晶體管結構實現了各種領先業界、面向汽車、工業和消費應用的超低功耗、按需提供性能的解決方案。格羅方德半導體的 22FDX平臺讓FD-SOI的量產能力突破了28nm，并一直在降低成本、提高性能和優化功耗。”

　　ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey表示：“移動設備和物聯網設備互聯的世界，依賴于在性能、功耗和成本上得到優化的SoC。我們正與格羅方德半導體密切合作，提供用戶所需的IP生態系統，讓顧客從22FDX技術的獨特|價值中真正受益。”VeriSilicon Holdings Co. Ltd.總裁兼首席執行官Wayne Dai表示：“VeriSilicon擁有設計采用FD-SOI工藝的物聯網SoC的經驗，并且展示了FD-SOI在打造超低功耗和低能耗應用方面的優勢。我們期待與格羅方德半導體圍繞其22FDX平臺開展合作，推出各種面向智能手機、智能家庭、智能汽車和中國市場的功耗、性能和成本優化設計。”Imagination Technologies營銷執行副總裁Tony King-Smith表示：“可穿戴、物聯網、移動和消費等新一代聯網設備，需要在性能、功耗和成本之間實現最佳平衡的半導體解決方案。格羅方德半導體全新的22FDX工藝，結合Imagination廣泛的先進IP組合——包括PowerVR多媒體方案、MIPS CPU和Ensigma通信解決方案等，將能有效協助彼此共同的客戶推出更多差異化的創新產品。”

　　IBS， Inc.創始人兼首席執行官Handel Jones表示：“FD-SOI工藝可為可穿戴、消費、多媒體、汽車和其它應用提供一個多節點、低成本的路線圖。格羅方德半導體的22FDX將最好的低功耗FD-SOI工藝集成到一個低成本、需求有望強勁增長的平臺上。”CEA-Leti首席執行官Marie No？lle Semeria表示：“FD-SOI可大幅提升性能，降低功耗，同時最大程度減少對現有設計及制造方法的調整。通過合作，我們將能采用成熟、便捷的設計及制造技術，成功生產出格羅方德半導體實現技術互聯的22FDX平臺。”Soitec 首席執行官Paul Boudre表示：“格羅方德半導體發布的這條新聞是打造新一代低功耗電子設備的一個重要里程碑。我們很高興成為格羅方德半導體的戰略合作伙伴。我們的超薄SOI襯底已為22FDX投入量產做好一切準備。”