借助采用五項突破性技術(shù)的全新 NVIDIA Pascal GPU 架構(gòu)，Tesla P100 能發(fā)揮無與倫比的性能和效率來運行對計算能力要求最高的應(yīng)用程序。
2016-04-07 17:39:58
1901 其實早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個結(jié)果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)時的功率損耗，所以要確認OFF→ON時和ON→OFF時的擴大波形。2. 是否一直滿足絕對最大額定值？確認絕對最大
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開關(guān)電路，試計算當(dāng)5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管以外，還制造集成多個晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡單電路的晶體管單元。※數(shù)字晶體管內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計中將頻繁使用的部分
2019-04-10 06:20:24
與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。基本工作特性比較這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
能使晶體管的Ic隨之增大時（即（Vce-Ic*Rc）-Vb=常數(shù)時），我們就稱此晶體管“進入深飽和狀態(tài)”。此時，晶體管的基極電位為最高（此現(xiàn)象，對N-P-N晶體管而言。如果是P-N-P型晶體管，則只要
2012-02-13 01:14:04
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個結(jié)果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
英偉達不斷推出GPU卡，并且實現(xiàn)多卡互聯(lián)NVLink，實際整個系統(tǒng)會累積到一個較大的公差，而目前市面上已有的連接器只能吸收較少的公差，這個是怎么做到匹配的呢？
2022-03-05 16:17:06
利潤為11億美元，是英偉達加密貨幣業(yè)務(wù)部門本季度利潤的65倍。有意思的是，比特大陸今年一季度實現(xiàn)利潤11億美元，幾乎剛好是英偉達利潤總額的兩倍。盡管英偉達已經(jīng)是全球市場上最大的顯卡和圖形芯片制造商，但在
2018-08-24 10:11:50
GPU技術(shù)大會，從黃仁勛那里聽到：數(shù)據(jù)中心已成為全新的計算單元。黃仁勛之所以有這樣的底氣，就在于這次發(fā)布會上推出了一款全新處理器DPU，以及圍繞該處理器的軟件生態(tài)架構(gòu)DOCA。據(jù)英偉達的介紹，DPU可以
2022-03-29 14:42:53
在 8 月 14 日的 SIGGRAPH 2018 大會上，英偉達 CEO 黃仁勛正式發(fā)布了新一代 GPU 架構(gòu) Turing（圖靈），以及一系列基于圖靈架構(gòu)的 GPU，包括全球首批支持即時光線追蹤
2018-08-15 10:59:45
倍，并且能夠支持每個主要的深度學(xué)習(xí)框架。在此架構(gòu)基礎(chǔ)上，NVIDIA創(chuàng)造了專為GPU深度學(xué)習(xí)所設(shè)計的超級計算機DGX1。NVIDIA的DGX-1基于Tesla P100加速卡(研發(fā)費用高達20億美元
2018-06-11 08:20:23
GPU計算平臺。阿里云推出國內(nèi)首個基于英偉達NGC的GPU優(yōu)化容器3月28日，在2018云棲大會·深圳峰會上，阿里云宣布與英偉達GPU 云 合作 （NGC），開發(fā)者可以在云市場下載NVIDIA
2018-04-04 14:39:24
AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
IB3042-5晶體管產(chǎn)品介紹IB3042-5報價IB3042-5代理IB3042-5咨詢熱IB3042-5現(xiàn)貨,李先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立
2019-05-14 11:00:13
`產(chǎn)品型號：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達系統(tǒng)設(shè)計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
上與代號為至強可擴展芯片配對，該計算機將提供兩次性能測試。這個優(yōu)秀的GPU提供45TFLOPS的FP32性能。有近1000億個晶體管，基于堆疊設(shè)計，多達128個Xe圖形內(nèi)核緊密連接在一個網(wǎng)格中。該芯片
2022-03-29 14:41:33
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時，c和e之間沒有電流流動，三極管處于截止狀態(tài)。在圖（b）中，當(dāng)正電壓輸入到NPN晶體管的b時，e的N區(qū)的負電子被b中P區(qū)的正電子吸引。 由于發(fā)電廠的作用，它們沖向（擴散
2023-02-15 18:13:01
NPT25100P射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT25100P報價NPT25100P代理NPT25100P咨詢熱線NPT25100P現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)
2018-09-26 08:54:30
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
的切換速度可達100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有． 幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進
2010-08-13 11:38:59
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
設(shè)計芯片和智能設(shè)備產(chǎn)品時，卻不得不考慮其影響。 芯片里程表 明尼蘇達大學(xué)電氣工程教授Chris H. Kim早在10多年前就開始對晶體管老化對芯片和電子系統(tǒng)的影響開始進行研究和試驗。他最早提出
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因為晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優(yōu)點是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現(xiàn)這一點，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
原子的P100下載器經(jīng)常偶發(fā)性出現(xiàn)下載失敗在同一個板子上死活刷不進去能刷進去就刷進去了
而且這個問題很有意思
看提示
目標芯片連接成功
解除讀保護成功
然后就開始失敗
2023-09-28 08:06:30
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
你好，我們想在以下結(jié)構(gòu)中選擇特斯拉P40和P100。你有什么建議？Citrix XenDesktop 7.15.2XenServer 7.4VDA：Windows 10應(yīng)用：Teamcenter
2018-09-25 14:53:25
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
我在三臺Cisco UCS主機上安裝了3個Tesla M10 GPU。它們被用于Horizo??n 7中的一個池中，覆蓋80多個獨立的VM。我的任務(wù)是看看GPU的使用量。當(dāng)我運行nvidia-smi
2018-09-30 10:43:36
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管使用的電流的最大值解說DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA時，基極電流IB需要相對
2019-04-22 05:39:52
晶體管以外，還制造集成多個晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡單電路的晶體管單元。※數(shù)字晶體管內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計中將頻繁使用的部分
2019-05-05 01:31:57
理解，調(diào)整了松下X-GaN晶體管中晶格緩沖層的厚度，以限制p漏極與襯底的泄漏，旨在實現(xiàn)10年運行時失效率小于0.1％（Vds = 480V和Tj = 100℃）。 因此，HTRB測試是評估XGaN
2023-02-27 15:53:50
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性。 新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
擴展了旗下 16 納米 (nm)Virtex? UltraScale+? 產(chǎn)品系列。VU19P擁有 350 億個晶體管，有史以來單顆芯片最高邏輯密度和最大I/O 數(shù)量，用以支持未來最先進 ASIC 和 SoC 技術(shù)的仿真與原型設(shè)計，同時，也將廣泛支持測試測量、計算、網(wǎng)絡(luò)、航空航天和國防等相關(guān)應(yīng)用。
2020-11-02 08:34:50
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
從4月份發(fā)布到現(xiàn)在半年了，Tesla P100實際上只是紙面的強大，因為正式出貨是今年底明年初。在華盛頓的GTC大會上，超微（Super Micro）宣布了新一代SuperServer服務(wù)器，最多支持10塊Telsa P100加速卡，浮點性能高達187TFLOPS。
2016-10-27 14:10:141434 根據(jù)NVIDIA官方消息，NVIDIA在硅谷2016 GTC（GPU技術(shù)大會）上發(fā)布了多項人工智能、VR相關(guān)技術(shù)，其中包括采用Tesla架構(gòu)、支持NVli<x>nk的Tesla P100
2017-10-11 10:16:08
0 據(jù)國外媒體報道，圖形處理器廠商英偉達周四推出了他們首款基于安培架構(gòu)的GPU英偉達A100，采用7nm工藝制造，集成超過540億個晶體管。
2020-05-15 10:33:421698 英偉達將向中國推出芯片A800可替代被禁的A100 英偉達將向中國推出芯片A800，同時英偉達公司證實這款新的芯片A800符合美國出口管制規(guī)定。 A800 GPU或者說是一種曲線救贖，A800算是
2022-11-08 16:07:192715 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）當(dāng)?shù)貢r間本周一，英偉達官方確認將面向中國客戶推出一款型號為A800的GPU，以替代此前受到出口管制的A100 GPU芯片。英偉達表示，A800符合美國政府的出口管制條例
2022-11-09 07:15:017427 版本制程（4N）打造，單塊芯片包含 800 億晶體管。 A100都是非常強大的GPU，A100配備高達6，912個CUDA核心，A100是英偉達推出的一款強大的數(shù)據(jù)中心GPU，采用全新的Ampere
2023-08-07 17:32:5910412 英偉達A100和H100的區(qū)別 英偉達A100和H100是兩種不同的產(chǎn)品。A100是英偉達在2020年推出的一款基于Ampere架構(gòu)的數(shù)據(jù)中心GPU，主要用于高性能計算和人工智能應(yīng)用。A100具有
2023-08-07 18:06:0322947 英偉達A100的算力是多少？ 英偉達A100的算力為19.5 TFLOPS（浮點運算每秒19.5萬億次）。 V100 用 300W 功率提供了 7.8TFLOPS 的推斷算力，有 210 億個晶體管
2023-08-08 15:28:4521156 半導(dǎo)體芯情了解到，A100是英偉達最新推出的一款高性能計算芯片，采用了全新的Ampere架構(gòu)，Ampere架構(gòu)是NVIDIA于 GTC 2020發(fā)布的GPU架構(gòu)，NVIDIA Ampere 由540億晶體管組成，是7nm芯片。
2023-11-14 16:30:16561 
在英偉達GTC 2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。
2024-03-20 11:32:04349 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）當(dāng)?shù)貢r間本周一，英偉達官方確認將面向中國客戶推出一款型號為A800的GPU，以替代此前受到出口管制的A100 GPU芯片。英偉達表示，A800符合美國政府的出口管制條例
2022-11-09 09:23:596683
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