三星半導體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節，包括將擴展其FD-SOI產能，以及提供現有FinFET制程的低成本替代方案。

　　而 其中最受矚目的就是三星將開發低成本14納米FinFET制程（14納米LPC），該公司已經出貨了超過50萬片的14納米制程晶圓，并將該制程的應用擴 展到網路/伺服器以及汽車等領域，但三星的晶圓代工業務行銷資深總監Kelvin Low表示，他預期下一代應用將可擴展至需求較低成本的項目。

　　“總是會有一些關于成本與性能權衡的疑慮，”Low接受EE Times美國版編輯訪問時表示：“LPC與LPP （14納米）有同樣的PDK，而制程步驟已經減少…這讓我們能達到較低的制造成本，而且我們決定將之與我們的客戶分享。”

　　三星也將在今年提供14 LPC的RF附加技術；Low并未說明那些制程步驟被減少，也未提及14納米LPP （即Low-Power Plus，為三星第二代14納米FinFET制程技術）與LPC之間的成本差異到底有多少，僅表示較低成本的制程技術選項將能在今年某個時間提供。

　　Low 補充指出，三星將發表10納米LPP制程技術，在性能上會比第一代的10納米LPE （Low-Power Early）制程提升10%；而雖然三星的晶圓代工事業部門已經開始研發7納米LPP節點，并號稱在功耗、性能與面積（PPA）的微縮上具競爭力，但 Low表示在10納米節點與7納米節點之間會有一些模糊地帶。

　　“我們認為10納米節點的壽命會比其他晶圓代工廠所聲稱的更長，而我們認為7納米節點必須要以大量生產為目標進行定義與最佳化，不只是鎖定高利潤的產品；”Low表示：“EUV微影技術會是讓7納米節點技術達到可負擔之成本的重要關鍵。”

　　據了解，三星最近已經向一組客戶簡報其EUV技術現況，但細節不便對媒體透露；Low表示，該公司已經有一些樣本產出，但還不到可以宣布7納米制程EUV技術可行的地步。

　　在 現有技術方面，三星正在提升8寸晶圓技術的產能，從180納米到65納米節點；8寸晶圓技術將涵蓋嵌入式快閃記憶體（eFlash）、功率元件、影像感測 器，以及高電壓制程的生產。“我們持續收到客戶對8寸晶圓技術產能的需求，”Low表示：“我想目前在某些特定區域仍供不應求，而且相關需求越來越顯 著。”

　　三星也將在現有的28納米FD-SOI基礎上，于2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發性記憶體（NVM）技術；該公司將更 聚焦于先進制程技術，而非出貨量已經下滑的智慧型手機相關技術。Low表示：“重要的是有很多新應用出現，都是非常令人興奮的東西；”他指出，如汽車應用 市場對該公司就是不少可期待的商機。

　　為了克服先進制程節點的挑戰，Low表示三星正積極與客戶進行更深一層、更早期的合作；該公司也會對客戶開放其設計流程以及設計方法，以加速產品設計時程。

　　編譯：Judith Cheng

　　（參考原文： Samsung Details Foundry Roadmap，by Jessica Lipsky）