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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>Cadence數(shù)字、簽核與定制/模擬工具助力實(shí)現(xiàn)三星7LPP和8LPP工藝技術(shù)

Cadence數(shù)字、簽核與定制/模擬工具助力實(shí)現(xiàn)三星7LPP和8LPP工藝技術(shù)

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2018-07-18 11:46:357228

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2015 新4 核心板 開發(fā)板 三星4330 誠(chéng)招代理商

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2015-01-07 16:14:19

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`8890開發(fā)板擁有二個(gè)三星自家貓鼬芯以及四個(gè)低功耗A53芯,最高主頻達(dá)到1.5GHz,GPU為Mali-T880 MP12,內(nèi)存采用三星原裝4G LPDR4內(nèi)存,支持路MIPI攝像頭接口
2017-06-30 11:00:32

6818三星Cortex-A53友堅(jiān)開發(fā)板

` 本帖最后由 urbetter2017 于 2017-6-29 17:44 編輯 S5P6818開發(fā)板是三星2015年推出的八處理器,其集成了高性能的八ARM cortex-A53處理器
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三星I9220教你如何輕松刷機(jī)

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三星s7568官方原廠線刷ROM包+驅(qū)動(dòng)+刷機(jī)救磚工具下載

解決刷機(jī)麻煩困擾,小編在這里為大家分享三星s7568線刷刷機(jī)過(guò)程中,需要用的的一些資源,包括官方原廠線刷ROM包,手機(jī)驅(qū)動(dòng),刷機(jī)工具。 1. 電腦上一定要安裝的有三星s7568的驅(qū)動(dòng),如果你的手機(jī)
2015-10-15 17:50:12

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

Storage(OCS)”,容量也比原來(lái)格子狀排列時(shí)增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導(dǎo)入的技術(shù)。Air Spacer技術(shù)是最近經(jīng)常采用的通過(guò)在電極及布線周圍設(shè)置空隙來(lái)減小寄生電容的技術(shù)三星表示通過(guò)該技術(shù),與原來(lái)布線絕緣采用Si3N4時(shí)相比,可使Cb減小34%。
2015-12-14 13:45:01

三星嵌入式方案專家——思科德技術(shù)

、網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒、大型游戲機(jī)、三星ARM開發(fā)板系列等,涵蓋各行各業(yè)的嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域。 思科德技術(shù)還有經(jīng)驗(yàn)豐富的上層應(yīng)用軟件開發(fā)團(tuán)隊(duì),可為客戶定制開發(fā)基于Android操作系統(tǒng)的應(yīng)用軟件。 思科德技術(shù)
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三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

的半導(dǎo)體封裝。同年,三星電子成為世界第一個(gè)擁有4-GB半導(dǎo)體處理生產(chǎn)技術(shù)的廠商 1999年7三星電子世界第一個(gè)1GDDRDRAM芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,并引入世界最快的3DGraphics圖形卡專用
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2017-11-29 16:33:10

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請(qǐng)問(wèn)哪位有三星的2440u***驅(qū)動(dòng)的,需要win7 64位的?
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三星的exynos 4412四開發(fā)板有人用過(guò)嗎?體驗(yàn)怎么樣?
2019-06-10 05:55:12

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p : / / w ww.skr pet.co m截止目前三星旗下的非Windows Phone 8機(jī)型為Omnia 7,Omnia M,Omnia W,F(xiàn)ocus,AT&T定制版Focus
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ARM 三星 4418開發(fā)板

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2015-05-19 15:01:01

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【討論】韓獨(dú)檢組批捕三星太子李在镕 會(huì)對(duì)三星經(jīng)濟(jì)造成影響嗎?

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2017-01-20 11:09:50

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2021-05-28 19:17:34

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2021-10-26 19:13:52

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大量回收三星ic

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2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購(gòu)三星字庫(kù)

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2021-02-23 17:54:12

基于巴氏距離和LPP相結(jié)合的人臉識(shí)別

局部保持映射(Locality Preserving Projection,LPP)算法是一種有效的特征提取方法。提出了利用巴氏距離和LPP相合算法對(duì)特征進(jìn)行提取。當(dāng)特征維數(shù)過(guò)高時(shí),首先對(duì)樣本用LPP進(jìn)行特征提取和
2013-07-24 15:43:5312

Cadence數(shù)字定制/模擬工具獲臺(tái)積電認(rèn)證 合作開發(fā)FinFET新工藝

美國(guó)加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布,其數(shù)字定制/模擬分析工具已通過(guò)臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9
2014-10-08 19:10:45663

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580

三星挖角格芯,英特爾,高通人才,7nm LPP制提上日程

三星最近都在從各大公司挖角人才,其中有角格芯和英特爾主管,目的是為了快速縮小和聯(lián)電、臺(tái)積電的差距。7nm LPP制程也被提上來(lái)日程,于下半年開始試產(chǎn)。
2017-11-23 11:24:51737

三星Galaxy S9將使用第二代10納米LPP處理器

之前傳聞三星Galaxy Note 9將會(huì)采用7nm芯片組,但是根據(jù)今日最新消息,或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組,同時(shí)三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器,并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401348

高通與三星簽約,驍龍芯片將基于三星7nm EUV工藝打造

三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作,包含高通下一代5G移動(dòng)芯片,將采用三星7納米LPP(Low-Power Plus)極紫外光(EUV)制程。 新聞稿指出,通過(guò)7納米LPP
2018-02-23 07:31:561279

Cadence宣布已在三星7LPP制程技術(shù)上成功流片GDDR6的IP芯片

根據(jù)國(guó)外媒體《AnandTech》的報(bào)導(dǎo),在人工智能,自駕車需求越來(lái)越大的情況下,顯示卡存儲(chǔ)器的發(fā)展也越來(lái)越積極。日前,Cadence就宣布,已經(jīng)在三星7LPP制程技術(shù)上成功流片GDDR6的IP芯片。
2018-11-27 16:08:042288

7nm芯片成為今年旗艦處理器標(biāo)配 三星宣布5/4/3nm工藝技術(shù)

的一個(gè)關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭,三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn),此外,在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)
2018-05-25 11:09:003532

三星8nm LPP工藝利用 Mentor Tessent 工具節(jié)省大量設(shè)計(jì)測(cè)試時(shí)間

Mentor, a Siemens business 今天宣布,三星電子有限公司根據(jù)三星代工廠的 8nm LPP(低功耗 Plus)工藝對(duì) MentorTessent 產(chǎn)品進(jìn)行了認(rèn)證。對(duì)于針對(duì)移動(dòng)通信、高速網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器計(jì)算、加密貨幣和自動(dòng)駕駛等市場(chǎng)的特大型設(shè)計(jì),這些工具可大幅縮短設(shè)計(jì)和測(cè)試時(shí)間。
2018-05-29 04:16:004274

三星 SAFE計(jì)劃現(xiàn)在已可提供與Synopsys的Lynx設(shè)計(jì)系統(tǒng)兼容的經(jīng)認(rèn)證

Platform可以為8LPP工藝的多次圖形曝光光刻技術(shù)和全顏色感知變化技術(shù),提供完整的全流程支持。Synopsys的SiliconSmart庫(kù)表征工具是開發(fā)認(rèn)證過(guò)程和參考流程所需基礎(chǔ)IP的關(guān)鍵
2018-06-06 11:00:001441

Arm和三星代工廠攜手推進(jìn)7nm先進(jìn)工藝

Arm 與三星代工廠宣布雙方合作之旅的新里程碑:為期待已久的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù),提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 和 5LPE (5nm Low Power Early) 庫(kù)面市。
2018-06-21 14:55:503779

新思科技Fusion技術(shù)助力三星7LPP EUV工藝降低功耗、縮小面積并提高性能

新思科技設(shè)計(jì)事業(yè)部營(yíng)銷與商務(wù)開發(fā)副總裁Michael Jackson表示:“我們與三星工具和參考流程合作重點(diǎn)在于使設(shè)計(jì)人員能夠使用三星最新的EUV 7LPP工藝在最高可信度下獲得最佳結(jié)果質(zhì)量。采用
2018-07-05 14:15:364289

Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好 10nm處理器預(yù)計(jì)在2019年底的假期季節(jié)上市

三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。三星電子的代工銷售和營(yíng)銷團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副
2018-10-19 16:10:552934

三星宣布已正式使用7納米LPP制程來(lái)生產(chǎn)晶圓 功耗降低50%效能提升提高20%

晶圓代工大廠三星宣布,正式開始使用其7納米LPP制程來(lái)生產(chǎn)晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻(EUV)技術(shù),這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內(nèi)的電晶體密度,同時(shí)優(yōu)化其功耗。此外,EUV技術(shù)的使用還能使客戶減少每個(gè)芯片所需的光罩?jǐn)?shù)量,在降低生產(chǎn)成本下,還能縮短其生產(chǎn)的時(shí)間。
2018-10-18 16:01:004523

三星7nm LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490

三星半導(dǎo)體已經(jīng)開始使用其7LPP制造工藝生產(chǎn)芯片

三星在其位于韓國(guó)華城的Fab S3生產(chǎn)7LPP EUV芯片。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步進(jìn)掃描系統(tǒng)和每個(gè)280 W光源上處理1500個(gè)晶圓。三星沒有
2018-10-22 16:31:144993

新思宣布先進(jìn)工藝良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破 為三星后續(xù)先進(jìn)工藝奠定基礎(chǔ)

集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破,也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:452982

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:484225

新思科技助力,三星5nm、4nm、3nm工藝再加速

全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473325

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢

除了臺(tái)積電,三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn):7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后,按照官方最新給出的時(shí)間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn),5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn),4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:432671

三星芯片代工計(jì)劃曝光 6nm 5nm和4nm紛紛面世

去年10月,三星芯片工廠正式開始使用其7LPP(7nm低功耗+)制造工藝生產(chǎn)芯片,此后并未放緩其制造技術(shù)的發(fā)展。該公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP(6nm低功耗+)技術(shù)開始批量生產(chǎn)芯片
2019-08-06 15:43:163440

基于7nm+工藝打造的三星Exynos 990處理器詳細(xì)介紹

值得注意的是三星Exynos 990處理器此次采用的7nm(7LPP)采用了第二代7納米工藝,與Apple A13和Snapdragon 855一致。根據(jù)三星的說(shuō)法,新型7nm LPP可使元件效率提高40%,性能提高20%或功耗降低50%,從而通過(guò)更少的層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的元件良率。
2019-11-27 10:15:343996

三星宣布全球首座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠開始量產(chǎn)

三星宣布,位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝,這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

芯和半導(dǎo)體片上無(wú)源電磁場(chǎng)仿真套件成功通過(guò)三星8LPP工藝認(rèn)證

)工藝技術(shù)認(rèn)證。該套件包含了快速三維電磁場(chǎng)仿真器IRIS和快速自動(dòng)PDK建模工具iModeler,此次認(rèn)證能顯著地提升IC設(shè)計(jì)公司在8LPP工藝上的設(shè)計(jì)交付速度。  三星晶圓廠的8LPP工藝在其上一代
2021-05-14 11:15:251126

5G網(wǎng)絡(luò)中用于傳輸SSR輔助數(shù)據(jù)的LPP消息格式

5G網(wǎng)絡(luò)中用于傳輸SSR輔助數(shù)據(jù)的LPP消息格式
2021-07-02 11:41:0410

楷登電子通過(guò)N3和N4 工藝定制化/模擬工具套件認(rèn)證

Cadence 數(shù)字定制/模擬先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)解決方案支持 Cadence 智能系統(tǒng)設(shè)計(jì)(Intelligent System Design)戰(zhàn)略,旨在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)上實(shí)現(xiàn)卓越設(shè)計(jì),如需了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):
2021-10-26 14:44:473382

楷登電子數(shù)字模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證

)宣布,其數(shù)字定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)。通過(guò)持續(xù)合作,Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:581928

三星宣布芯和半導(dǎo)體成為其SAFE EDA合作伙伴

據(jù)芯和官網(wǎng)報(bào)道, 在2021年5月,芯和半導(dǎo)體片上無(wú)源電磁場(chǎng)(EM)仿真套件已成功通過(guò)三星晶圓廠的8納米低功耗(8LPP工藝技術(shù)認(rèn)證。
2021-11-23 09:25:591040

新思科技Fusion Design Platform率先獲得三星晶圓廠4LPP工藝認(rèn)證

新思科技Fusion Design Platform和Custom Design Platform率先獲得三星晶圓廠(以下簡(jiǎn)稱為“三星”)4LPP工藝認(rèn)證。作為三星全面技術(shù)路線圖的一部分,4LPP工藝旨在協(xié)助芯片廠商設(shè)計(jì)和交付速度更快、功耗更低的芯片。
2021-12-24 14:23:451504

Cadence數(shù)字定制 / 模擬設(shè)計(jì)流程獲得N4P工藝認(rèn)證

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,其數(shù)字定制 / 模擬設(shè)計(jì)流程已獲得 TSMC N3E 和 N4P 工藝認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)。
2022-06-17 17:33:054800

智原宣布支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)并已上架

ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)已在三星SAFE IP平臺(tái)上架,提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021000

Cadence數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得臺(tái)積電最新N4P和N3E工藝認(rèn)證

設(shè)計(jì)創(chuàng)新。客戶已開始使用最新的臺(tái)積電工藝技術(shù)和經(jīng)過(guò)認(rèn)證的 Cadence 流程來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳的功率、性能和面積(PPA)目標(biāo),并縮短上市時(shí)間。
2022-10-27 11:01:37940

Cadence定制設(shè)計(jì)遷移流程加快臺(tái)積電N3E和N2工藝技術(shù)的采用速度

,包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比,已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801

Cadence數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得TSMC最新N3E和N2工藝技術(shù)認(rèn)證

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,Cadence 數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過(guò) TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:23708

Cadence 數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得 Samsung Foundry SF2 和 SF3 工藝技術(shù)認(rèn)證

已經(jīng)過(guò) SF2 和 SF3 流程認(rèn)證 ●? Cadence 數(shù)字全流程針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA 結(jié)果 ● Cadence 定制/模擬工具,包括基于 AI 的 Virtuoso Studio
2023-07-05 10:10:01322

Cadence數(shù)字定制/模擬流程通過(guò)Samsung Foundry的SF2、SF3工藝技術(shù)認(rèn)證

已經(jīng)過(guò) SF2 和 SF3 流程認(rèn)證 ●?Cadence 數(shù)字全流程針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA 結(jié)果 ●Cadence 定制/模擬工具,包括基于 AI 的 Virtuoso Studio,已針對(duì)
2023-07-05 10:12:14381

Cadence 數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程通過(guò)認(rèn)證,Design IP 現(xiàn)已支持 Intel 16 FinFET 制程

Cadence 流程,以十足把握交付各類 HPC 及消費(fèi)電子應(yīng)用 中國(guó)上海,2023 年 7 月 14 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布其數(shù)字定制/模擬
2023-07-14 12:50:02381

Cadence 定制/模擬設(shè)計(jì)遷移流程加速 TSMC 先進(jìn)制程技術(shù)的采用

流程,能兼容所有的 TSMC(臺(tái)積電)先進(jìn)節(jié)點(diǎn),包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。 這款生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制模擬 IC 設(shè)計(jì)在 TSMC
2023-09-27 10:10:04301

Cadence 數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲 TSMC 最新 N2 工藝認(rèn)證

和移動(dòng) IC 中國(guó)上海,2023 年 10 月 10 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布其數(shù)字定制/模擬流程已通
2023-10-10 16:05:04270

Cadence EMX 3D Planar Solver 通過(guò) Samsung Foundry 8nm LPP 工藝技術(shù)認(rèn)證

優(yōu)勢(shì) 1 EMX 3D Planar Solver 助力客戶實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、高容量的 EM 分析,確保硅流片一次成功,加快產(chǎn)品上市 2 EMX 3D Planar Solver 以出色的結(jié)果達(dá)到三星認(rèn)證
2023-11-15 15:55:02360

Cadence數(shù)字定制/模擬流程通過(guò)Intel 18A工藝技術(shù)認(rèn)證

Cadence近日宣布,其數(shù)字定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過(guò)認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作,并提
2024-02-27 14:02:18160

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