Silicon Photonics芯片吸引著公司和研究人員的主要原因是成本低，功耗低，其中Si是導光的良好材料。隨著CMOS晶體管尺寸逐漸減小，光學器件卻無法繼續(xù)縮減，成了研究人員極其關注的一個研究方向。

其實，從上個世紀八九十年代開始，談“摩爾定律”色變的各位先行者就開始探索半導體芯片的繼任者，企圖在硅芯片發(fā)展到物理極限時取而代之。筆者還記得當初上學時，老師告訴我們CMOS工藝發(fā)展到十幾納米左右就會到物理極限。結果現(xiàn)在7nm的芯片都造出來了，代替CMOS工藝的成熟技術還沒有大規(guī)模應用。

這里，我們就介紹一下一種傳說中在“More than Moore”中的技術。Silicon Photonics。

早在1969年，貝爾實驗室的S.E.Miller首次提出了集成光學的概念。隨著微電子集成電路的發(fā)展，1972年，S.Somekh和A.Yarive提出了在同一半導體襯底上集成光學器件和電器件的設想。上世紀90年代，隨著硅基集成電路尺寸逐漸減小，其特征尺寸已進入光通訊波長范圍。另外，Si和SiO2材料之間的折射率差別較大，（Si大約3.45，SiO2大約1.44），容易發(fā)生全反射，這也有利于減小光集成器件尺寸，提高光芯片的密度。然而，從另一方面來說，在CMOS晶體管尺寸已經縮小到10nm左右的今天，由于光學衍射效應，集成光學器件的尺寸無法繼續(xù)縮小，這也在一方面限制了硅光芯片的發(fā)展。因此，目前所說的Photonic Integrated Circuits （PIC），都是指在片上集成光連接和光電轉換器件，再轉換成電學信號用CMOS集成電路進行處理。而不再是如最初提出時一般，用光學器件來完全取代晶體管。

正如上圖所示，現(xiàn)在我們也只是發(fā)展到光纖到戶，許多data center會用到光纖的板級互連。但最下面的芯片級通訊，現(xiàn)在各大公司和科研院所已經有了demo的chip，100G的模塊已經基本成熟，但距離市場級的全面應用還尚有很大的距離。（PS：上面那篇文章發(fā)表于2002年，現(xiàn)在15年過去了，距離該作者的預言尚未完成一半，不知道該是慶幸還是悲傷。。。）

其實，說了這么多，Silicon Photonics能夠讓許多公司和研究人員對此趨之若鶩的主要原因就在于成本低，功耗低，而且Si是導光的良好材料。由于SOI工藝的發(fā)展，一般的SOI上Si的光波導的損耗已經可控制在2、3dB/cm。但是，現(xiàn)在還有一些缺陷限制了它的廣泛使用：

如何光電互連：即光源Laser和Photodetector。Si材料本身是間接帶隙，因此現(xiàn)在所有光源都必須添加其他材料進行制作，比如III-V或Ge，這意味著無法在與標準CMOS SOI工藝上制作全部的光學器件。這也同時引入了一系列的成本問題。

如何控制光：是指控制波長的偏差。由于光學器件是與尺寸，厚度，doping等工藝參數(shù)息息相關。比如根據(jù)測試結果可知，Grating coupler的poly silicon厚度偏移10%，coupling的波長會移動50nm左右。再比如片上的Photonic Modulator，很多還尚且需要Heater來進行調節(jié)。這也給系統(tǒng)的復雜度和成本帶來了挑戰(zhàn)。

如何集成：隨著CMOS晶體管尺寸逐漸減小，而光學器件由于波長和衍射的限制卻無法繼續(xù)縮減，這也是比較有趣的一點。此外，在光芯片和電芯片之間的package也是一個值得研究的方向。

下面舉一個SiPh Communication芯片的例子：

Source： C. Sun， et al. “Single-chip microprocessor that communicates directly using light”， Nature， 2015.

該文章公布了一個可以稱之為Microprocessor的系統(tǒng)，理論上傳輸速度550Gb/s。有興趣的同學可以去找來看一下（PS：其實筆者不清楚為什么它的傳輸波長不在業(yè)界通用的1550nm或1310nm）。對于這種所謂的光通訊，其實筆者覺得可以這樣來簡易理解：我們把它分成光和電兩部分來看。電信號的處理部分，其實就是Serdes加上Digital Processing；而光學部分的功能，說白了就是先用電信號把光信號進行調制，發(fā)送出去后送到接收端的Photodetector，再轉化成電信號。只不過每一步都有一些特別的模塊用來調節(jié)。

總之，希望能通過這篇簡單的介紹，能夠讓大家對Silicon Photonics有一個大體的了解。倘若有同學比較感興趣，期待多多交流，共同進步。