倒裝芯片技術

　　倒裝芯片技術分多種工藝方法，每一種都有許多變化和不同應用。舉例來說，根據產品技術所要求的印制板或基板的類型 － 有機的、陶瓷的或柔性的－ 決定了組裝材料的選擇（如凸點類型、焊料、底部填充材料），并在一定程度上決定了所須的工藝設備。公司必須決定采用哪一種技術，決定哪些工藝要靠外協，并決定需要哪些研究和發展資源，以便滿足將來的產品要求，同時將投資和運作成本減到最少。

　　在SMT環境下最通常的和最適宜實現的方法是焊料倒裝芯片組裝工藝，我們將更詳細地予以描述。此技術有許多變種，必須全面考慮，以確保滿足可制造性、可靠性和成本目標。今天廣泛的使用的倒裝芯片技術主要由互連結構來定義。舉例來說，柔順性凸點（compliant-bump）工藝是指用導電的聚合體凸點或鍍金的聚合體/人造橡膠凸點來實現的工藝。短柱凸點（Stub-bump）技術使用球鍵合（主要用金絲）或電鍍，然后用各向同性導電的黏接劑來組裝。使用各向異性的導電薄膜或糊膏時，集成電路的鍵合焊盤無需或只需微小改變。焊料凸點的生成技術包括蒸發、電鍍、化學鍍層、模板印刷、噴涂等等。

　　選定的互連技術決定了必需的工藝 － 究竟是回流焊、熱超聲、熱壓、還是瞬態液相的鍵合工藝。每一種工藝都有它的優點和缺點， 通常是隨應用來決定。然而，從整合到標準的SMT工藝的難易程度看，焊料倒裝芯片組裝工藝是最通用的，并且它被證明和SMT完全兼容。

　　倒裝芯片工藝制程

　　倒裝芯片與正裝芯片的制備工藝主要差異如下：

　　①倒裝芯片需要制備高反射層，通常采用Ag，Al，DBR等材料做反射層。

　　②倒裝芯片采用了雙層布線結構，第二層JM20329-LGCA5D金屬為P、N大面積多層加厚金屬Bonding電極，簡單來講芯片正面只可以看到兩大塊分割開的P、N Bonding電極。

　　③兩層金屬之間的絕緣介質層包裹性要好，同時第一層金屬到第二層金屬，以及少⒍Ⅸ到n~GaN均采用了通孔（Ⅵa）程。

　　下面以Ag反射層為例，介紹倒裝芯片的制備工藝，工藝流程如圖⒋33所示。

　　以上工藝流程中重點需注意，Ag的反射率很高，同時也是很活潑的金屬，需要制備保護層將其包裹住。制備工藝中通過真空鍍膜機臺、濺射鍍膜機臺、PECVD機臺等設備制備多種膜層，通過光刻工藝制程、濕法刻蝕、干法刻蝕，以及Lift-off工藝實現圖形轉移，這與正裝LED芯片制作過程很接近。