9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產內部設計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295044 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:128497 
2月16日據中科院網站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:24863 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:231529 通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
集微網消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經理楊士寧博士以“創新Xtacking?架構：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構的技術優勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075376 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:292569 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態硬盤，手機存儲等等，電腦傳統硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
3D顯示技術的原理是什么？3D顯示技術有哪些應用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
NAND FLASH就是通過die堆疊技術，加大單位面積內晶體管數量的增長。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲容量，若采用48層TLC 堆疊技術，存儲密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因為利用數據輸人輸出引腳（I／O 1 ～I／O 8 ），能夠以時分方式賦予數據。NAND閃速存儲器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內部結構如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數也將增加，但內部的基本結構沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數據；②存儲器內部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
/SRAM 或通過 FSMC 的外部存儲器）。D總線：此總線用于將 Cortex?-M4F 數據總線和 64 KB CCM 數據 RAM 連接到總線矩陣。內核通過此總線進行立即數加載和調試訪問。此總線訪問的對象...
2021-08-05 07:41:43
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉45度，自己填加的3D模型旋轉45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向導畫的模型會和PCB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機械層是有線的，我的板子在機械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產加工中，3D封裝位于機械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
NAND FIash存儲器的特點FIash文件系統的應用特點 FAT文件系統的結構FAT文件系統的改進設計
2021-04-25 09:18:53
數據 (L1D) 存儲器。另外，每個 CorePac 還擁有局域的二級統一存儲器。每個局域存儲器均能獨立配置成存儲器映射的SRAM、高速緩存，或是兩者的組合。 KeyStone 架構包含共享的存儲器子系統，其由
2011-08-13 15:45:42
，西部數據的存儲器類型還沒完全從2D NAND轉換成3D NAND，現在3D NAND只占總產量的65%，換言之西部數據生產的所有存儲器還有三分之一是2D NAND。?另外，在本月12號，西部數據宣布
2022-02-03 11:41:35
一個64M Nand flash存儲器與S3C2410處理器的Nand flash相應接口連接，請問這個64M存儲空間是否屬于8個bank中的一個bank？因為有些書上說bank 0到bank 7
2012-11-20 21:41:20
文章目錄前言一、存儲器類型二、探究S3C2440啟動地址1.為什么nand啟動地址是4096？2.為什么nor啟動地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文記錄的是S3C2440啟動
2022-02-15 07:30:08
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
pcb 3D導step用creo打開為什么絲印層顯示不出來 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
，大數據存儲需求持續增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術從40nm到16nm，再到64層3D技術，一直為市場提供更好的產品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
利用低溫制造存儲電路完成。在同一個3D芯片的不同層放上邏輯和存儲電路，BeSang的工藝中每個晶圓包含了更多的裸片，這使得單位裸片的成本也降低了。 BeSang CEO Sang-YunLee說
2008-08-18 16:37:37
使用DLP技術的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個常見的3D打印工藝，與傳統打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似，3D打印機在連續的2D橫截面上沉淀數層材料，這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
你好在我們的設計中，我們只有32MB外部存儲器控制器和ECC啟用，因此只有16MB可用于操作系統。使用設計（Vivado文件）創建項目（SW）時。在“主存儲器”選擇選項卡下
2020-05-05 12:22:19
、美光等國際NAND廠商形成競爭關系。長江存儲的32層3DNAND已順利問世，并進入小量生產，但32層堆疊工藝缺乏競爭力，日前長江存儲采取Xtacking架構的64層NAND樣品，已送交給相關供應鏈
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構成包含頁內地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫?復制到3D庫不能用.`
2013-08-21 12:42:02
2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發展
2021-03-12 06:04:41
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
3D打印技術是綜合了三維數字技術、控制技術、信息技術眾多技術的創新研發技術，具有設計樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點。通過數字化設計工具+3D打印技術相結的模式，可以幫助企業高效實現創新
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
系統設計存在設計基于閃存的可靠的嵌入式和存儲系統時仍然面對重大挑戰。隨著每代新產品的出現，目前存儲器技術要求尺寸越來越小，但耑要較大系統級變化來維持系統級討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲器架構
2018-05-17 09:45:35
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。據悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結構如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 提出一種適用于未來高密度應用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲器概念。在0.13 m工藝下, 以一個使用8 層金屬堆疊的1T64R 結構為例, 其存儲密度比傳統的單層1T1R 結構高
2011-12-07 11:02:41
16 K9F1208是Samsung公司生產的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存儲器
2016-07-12 18:32:530 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉3D制程良率改善，量產能力大為提升，盡管價格已經松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯電子
2018-07-09 09:52:00513 ，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質中，而 NAND 則用于數據存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產設備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房實現提前封頂，2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統安裝，正是為4月搬入機臺設備而準備，預計很快就可以實現 3D NAND 量產。
2018-04-15 10:08:009280 作為3D NAND閃存產業的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發表備受期待的主題演講，闡述其即將發布的突破性技術XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002185 作為NAND行業的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 存儲器是半導體三大支柱產業之一。據IC Insights數據，2015年半導體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應用于PC、手機、服務器等各類電子產品，2015年營收達到267億美元，占半導體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 日本PC Watch網站日前刊發了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報道，這次他們的介紹更加詳細，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462115 “芯”、“云”系列成果，全面展示了其創新的產品和領先的解決方案。紫光旗下長江存儲的全新3D NAND架構Xtacking?技術，賦能行業的云及AI解決方案等，都給大會嘉賓留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:001826 Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產量持續增加，戰火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 根據紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿試驗區舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365 推出64層/72層3D NAND，預計從下半年開始將陸續進入量產階段，屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 技術確實降低了每千兆字節的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術和成本分析。
2018-12-11 09:28:466140 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263 2019年9月2日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:503468 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲
2019-09-03 10:07:021051 國產存儲芯片一直受到業界的關注，長江存儲正式宣布，公司實現量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-05 10:54:001298 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 據悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612 近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產品將應用于固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這是中國首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 紫光集團旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產基于Xtacking？架構的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-10-08 11:29:181357 長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經歷多年的研發，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰。
2019-11-29 15:39:052849 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091032 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 長江存儲此次全新發布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創新Xtacking架構3D NAND高品質原廠顆粒。
2020-09-27 16:17:442563 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330 上，TechInsights 高級技術研究員 Joengdong Choe 發表了相關演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內的半導體產品分析公司
2020-11-20 17:15:443030 長江存儲基于Xtacking架構的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網上呼聲較高的問題就是關于致鈦存儲的技術，而就在近日，長江存儲通過
2020-11-24 09:56:483572 作為國產存儲行業的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進，引發普遍關注，尤其是獨創了全新的Xtacking閃存架構，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術幾十年發展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構，存儲密度隨時間呈指數
2022-11-25 14:57:351637 隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:39279 
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