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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>日本科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種新型存儲器STT-MRAM

日本科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種新型存儲器STT-MRAM

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2019-07-26 06:53:39

如何才能讓嵌入式 STT MRAM磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能?

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2021-02-01 06:55:12

嵌入式STT MRAM磁隧道結(jié)陣列的進(jìn)展

作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下存儲器技術(shù)的新紀(jì)元,幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景,重點(diǎn)說明初始階段面臨的些挑戰(zhàn),并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
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請問怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲器

網(wǎng)絡(luò)存儲器技術(shù)是如何產(chǎn)生的?怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲器
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選擇MRAM的理由

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非易失性MRAM基礎(chǔ)知識匯總

MRAM一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39

非易失性MRAM的基礎(chǔ)知識匯總

MRAM一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20

非易失性MRAM讀寫操作

知名品牌的半導(dǎo)體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品,是家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-07-02 16:33:58

獨(dú)立式非易失磁存儲器 STT-MRAM

The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31

北航大與微電子所成功研制出國內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩

近日,北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311346

一文告訴你嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工是靠什么來完成的?

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元,幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景,重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn),并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
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在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果

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你知道在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果?

研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文,該研究表明,在5nm節(jié)點(diǎn)上,STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導(dǎo)體行業(yè)著名機(jī)構(gòu)IMEC
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Everspin 試生產(chǎn)1Gb STT-MRAM

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超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構(gòu)

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2020-06-23 15:31:031004

總結(jié)STT-MRAM高性能和耐久性

STT-MRAM)。這些技術(shù)提供了密集的位單元(“1T1R”),并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作,這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當(dāng)單元被訪問時(shí),讀操作感知電阻大小,大大降低單元電流。理想情況下,兩個(gè)電阻之間的比率非常高,以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470

目前MRAM市場以及專用MRAM設(shè)備測試重要性的分析

存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲技術(shù)。Toggle MRAMSTT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場,在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581037

提高MRAM的整體產(chǎn)量和需求,來降低MRAM存儲器的成本

Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán),在平面和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511

什么是STT-MRAM,關(guān)于STT-MRAM的作用以及應(yīng)用

的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力。 什么是STT-MRAM? 嵌入式存儲器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM,相變存儲器(PCM),電阻RAM(ReRAM)和鐵電RAM(FRAM)。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同,適合特定的應(yīng)用,但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM一種電阻存儲技術(shù),其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389

如何最大限度的提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量

STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備,例如離子束蝕刻,同時(shí)提高M(jìn)TJ位單元的可靠性,以支持某些應(yīng)用所需的大(1Mbit?256Mbit)存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389

MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)

MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003

高通研發(fā)出內(nèi)嵌STT-MRAM的邏輯芯片

但以目前的容量而言,STT-MRAM容量仍小,離取代一般存儲器還有一段路要走,另一種比較可行的應(yīng)用,是把STT-MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片,目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù),而STT-MRAM記憶密度比SRAM更高,有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593

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自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲器STT-RAM)技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM,最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢,SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說STT
2020-08-10 15:30:20832

淺談非易失性存儲器MRAM,它的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

Everspin主要是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的領(lǐng)先者,其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心,云存儲,能源
2020-08-17 14:42:142309

Everspin MRAM可減少系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間,并降低總成本

Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434

Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲

Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢: 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609

MRAM一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器,其原理是怎樣的

MRAM一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451

非易失性MRAM存儲器在各級高速緩存中的應(yīng)用

磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲器也應(yīng)用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48628

基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案的詳細(xì)講解

本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯片漏電流,減少芯片靜態(tài)功耗,延長手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512

自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴(kuò)展性和耐用性

來極化電流的技術(shù)。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM一種適用于未來使用超精細(xì)工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù),可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器,微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791

臺積電STT-MRAM技術(shù)細(xì)節(jié)講解

在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度,1M個(gè)循環(huán)的寫入耐久性,在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614

關(guān)于?Everspin MRAM常見問題的詳細(xì)解答

Everspin Technologies,Inc是設(shè)計(jì)制造MRAMSTT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531

Everspin MRAM非易失性存儲器的五大優(yōu)勢介紹

MRAM一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端
2021-03-03 16:40:05955

MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲器

,能源,工業(yè),汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAMSTT-MRAM產(chǎn)品。擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場
2021-06-08 16:37:17575

非易失存儲器MRAM芯片MR25H10CDC介紹

Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運(yùn)輸市場。MRAM一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合,同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926

STT-MRAM存儲器具備無限耐久性

仍讓它無法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無限耐久性,以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM(也稱為STT-RAM或有時(shí)稱為ST-MRAM和ST-RAM)是一種高級類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比,STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:44519

?Everspin MRAM常見問題解答

Everspin Technologies,Inc是設(shè)計(jì)制造MRAMSTT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:143

基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案

本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003

使用Everspin MRAM的精選案例研究

Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付...
2022-01-26 18:14:019

國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)晶圓級亞百納米ST-MRAM存儲器件制備

近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。
2022-01-26 19:41:352

STT-MRAM高密度低能耗技術(shù)

STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲器,是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單,它省略了...
2022-02-07 12:36:256

MRAMSTT-MRAM和Renesas的最新公告

MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí),它們的電阻會發(fā)生變化,這取決于它們的磁極相對于另一個(gè)磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836

Everspin展示了28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片

everspin在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:282461

STT-MRAM非易失性磁隨機(jī)存儲器的優(yōu)點(diǎn)及其應(yīng)用有哪些

反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性,但在宏觀尺度上卻沒有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
2022-11-17 14:58:46921

STT-MRAM非易失存儲器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長的存儲MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325

Netsol串口MRAM系列產(chǎn)品

Netsol是一家成立于2010年的無晶圓廠IC設(shè)計(jì)和營銷公司。在下一代存儲器解決方案方面處于世界領(lǐng)先地位,特別是在STT-MRAM方面。憑借強(qiáng)大的開發(fā)能力,為廣泛的應(yīng)用程序提供定制/優(yōu)化的內(nèi)存
2023-01-31 15:53:37226

專門用于便攜式醫(yī)療機(jī)械Netsol Serial STT-MRAM

Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序,至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136

Netsol非易性存儲Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163

工業(yè)機(jī)械專用Netsol Parallel STT-MRAM

安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器,在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462548

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器
2023-05-12 16:31:39268

10.1.7 自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲器STT-MRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory(STT-MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318

【虹科案例】虹科脈沖發(fā)生器在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用

(電阻式存儲器)、MRAM(磁阻式存儲器)、STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻存儲器)和PCM(相變存儲器)。這些類型的存儲器基于不同的物理原理改變材料的電導(dǎo)率,例
2022-11-11 17:11:29363

芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262

RAM和NAND再遇強(qiáng)敵, MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對MRAM研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213

臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流,功耗僅為同類技術(shù)的1%

MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAMSTT-MRAM,前者以磁場驅(qū)動,后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。
2024-01-22 10:50:50123

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