MRAM,即磁阻式隨機(jī)訪問存儲器的簡稱,兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM,屬于MRAM的二代產(chǎn)品,解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:008872 三星電子(Samsung Electronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(Spin Transfer Torque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示,預(yù)計(jì)
2016-08-01 11:04:32953 引人注目的新存儲器包括:相變存儲器(PCM)、鐵電存儲器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM或 ReRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM(STT-RAM)、導(dǎo)電橋RAM(CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化,這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。MRAM可以做到與動態(tài)隨機(jī)
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器,因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一
2022-02-11 07:23:03
的可擦寫次數(shù)多,并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣,肯定會選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
中之外,與其他半導(dǎo)體制造工藝一樣,質(zhì)量控制和良率提高將是一個(gè)持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇,而且事實(shí)是所有大型半導(dǎo)體代工廠都已將MRAM存儲器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中
2020-08-12 17:42:01
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
MRAM,即磁阻式隨機(jī)訪問存儲器的簡稱,兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM,屬于MRAM的二代產(chǎn)品,解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT細(xì)胞
2021-02-24 07:28:54
、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品,是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-08-31 13:59:46
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器(STT-MRAM)是一種持久性存儲技術(shù),可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能,持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲存浪潮STT-MRAM(又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù))具有在單一元件中,結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場重視。在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn),STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性,在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能。
2019-10-02 07:00:00
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能,是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
的測試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元,幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景,重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn),并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM的基本原理是什么?
2021-06-08 06:33:01
萌新求助,求一個(gè)基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲器測試和修復(fù)的IIP?如何解決設(shè)計(jì)和制造過程各個(gè)階段的良品率問題?嵌入式存儲器測試和修復(fù)技術(shù)的未來趨勢是什么?STAR存儲器系統(tǒng)的功能是什么?
2021-04-15 06:05:51
網(wǎng)絡(luò)存儲器技術(shù)是如何產(chǎn)生的?怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲器?
2021-05-26 07:00:22
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運(yùn)行,并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
知名品牌的半導(dǎo)體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品,是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-07-02 16:33:58
The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31
近日,北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311346 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元,幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景,重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn),并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002282 在此演示中,Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性,可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 次地重復(fù)寫入。 英特爾 (Intel) 在其 22 FFL 工藝中描述了 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉(zhuǎn)移力矩) 非易失性存儲器的關(guān)鍵特性。英
2018-12-17 16:09:01147 IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格,并得出了一個(gè)結(jié)論,高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍,是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文,該研究表明,在5nm節(jié)點(diǎn)上,STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導(dǎo)體行業(yè)著名機(jī)構(gòu)IMEC
2019-04-22 15:51:321089 Everspin 近日宣布,其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻)非易失性隨機(jī)存取器。
2019-06-27 08:59:439837 與過去相比,研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個(gè)選項(xiàng),例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分,IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:007207 MRAM)在新興非揮發(fā)存儲器中發(fā)展較為成熟,2018年主要供應(yīng)商Everspin營收可望年增36%,2019~2020年以后,隨GlobalFoundries、臺積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步
2019-09-11 17:33:293274 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù),因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">一種高性能存儲器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴(kuò)展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中,電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì),MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。擁有超過600多項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲器已成為替代基于SRAM的最后一級高速緩存存儲器的有希望
2020-05-26 11:13:341202 MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量,這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 (STT-MRAM)。這些技術(shù)提供了密集的位單元(“1T1R”),并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作,這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當(dāng)單元被訪問時(shí),讀操作感知電阻大小,大大降低單元電流。理想情況下,兩個(gè)電阻之間的比率非常高,以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470 存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場,在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581037 Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán),在平面和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力。 什么是STT-MRAM? 嵌入式存儲器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM,相變存儲器(PCM),電阻RAM(ReRAM)和鐵電RAM(FRAM)。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同,適合特定的應(yīng)用,但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術(shù),其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 )STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備,例如離子束蝕刻,同時(shí)提高M(jìn)TJ位單元的可靠性,以支持某些應(yīng)用所需的大(1Mbit?256Mbit)存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 但以目前的容量而言,STT-MRAM容量仍小,離取代一般存儲器還有一段路要走,另一種比較可行的應(yīng)用,是把STT-MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片,目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù),而STT-MRAM記憶密度比SRAM更高,有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲器(STT-RAM)技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM,最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢,SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說STT
2020-08-10 15:30:20832 Everspin主要是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者,其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心,云存儲,能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢: 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲器也應(yīng)用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯片漏電流,減少芯片靜態(tài)功耗,延長手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 來極化電流的技術(shù)。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細(xì)工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù),可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器,微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791 在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度,1M個(gè)循環(huán)的寫入耐久性,在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies,Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 ,能源,工業(yè),汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場
2021-06-08 16:37:17575 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運(yùn)輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合,同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 仍讓它無法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無限耐久性,以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM(也稱為STT-RAM或有時(shí)稱為ST-MRAM和ST-RAM)是一種高級類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比,STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies,Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:143 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。
2022-01-26 19:41:352 STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲器,是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單,它省略了...
2022-02-07 12:36:256 MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí),它們的電阻會發(fā)生變化,這取決于它們的磁極相對于另一個(gè)磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836 everspin在磁存儲器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:282461 反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性,但在宏觀尺度上卻沒有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
2022-11-17 14:58:46921 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 Netsol是一家成立于2010年的無晶圓廠IC設(shè)計(jì)和營銷公司。在下一代存儲器解決方案方面處于世界領(lǐng)先地位,特別是在STT-MRAM方面。憑借強(qiáng)大的開發(fā)能力,為廣泛的應(yīng)用程序提供定制/優(yōu)化的內(nèi)存
2023-01-31 15:53:37226 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序,至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器,在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462548 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory(STT-MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 (電阻式存儲器)、MRAM(磁阻式存儲器)、STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻存儲器)和PCM(相變存儲器)。這些類型的存儲器基于不同的物理原理改變材料的電導(dǎo)率,例
2022-11-11 17:11:29363 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅(qū)動,后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。
2024-01-22 10:50:50123
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