報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 日前，三星210億美元砸向存儲(chǔ)器的數(shù)字再次刺痛了不少中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者的眼睛，如今國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)建設(shè)正發(fā)展得如火如荼，中國(guó)存儲(chǔ)器之戰(zhàn)已經(jīng)打響...
2017-11-27 14:04:1510620 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲(chǔ)器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲(chǔ)器
2021-07-26 08:08:39
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過(guò)程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來(lái)的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來(lái)的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開(kāi)始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開(kāi)發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開(kāi)發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數(shù)存儲(chǔ)器容量256Mb (16M x 16)存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)DRAM存儲(chǔ)器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲(chǔ)器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
問(wèn)：動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？答：當(dāng)然動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個(gè)天一個(gè)地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
暗暗給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來(lái)重大的改變。不僅原本的存儲(chǔ)器大廠虎視眈眈，***的晶圓代工大廠不會(huì)缺席，甚至中國(guó)也想彎道超車。2018年前十大半導(dǎo)體業(yè)者營(yíng)收預(yù)估至于誰(shuí)會(huì)領(lǐng)先達(dá)陣？當(dāng)DRAM因?yàn)榧夹g(shù)極限而可能
2018-12-24 14:28:00
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ)，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來(lái)代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失，因而只能在開(kāi)機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn)，速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局，甫獲得大基金入股的北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約，將砸人民幣180億元(逾新臺(tái)幣800億元)研發(fā)19納米DRAM技術(shù)，業(yè)界預(yù)期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 中國(guó)上馬存儲(chǔ)器芯片制造引起全球的反響，恐怕2019年及之后會(huì)揭開(kāi)面紗，露出“真容”。它對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)具里程碑意義，實(shí)質(zhì)上是為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“自主可控”目標(biāo)打下扎實(shí)基礎(chǔ)，所以“氣只可鼓，不可泄”。盡管面臨的困難尚很大，但是必須要認(rèn)真去對(duì)待，重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)，并努力加強(qiáng)研發(fā)的進(jìn)程。
2018-06-16 16:18:008261 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 2018年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的DRAM芯片有望在合肥誕生；
2018-05-16 16:00:0020968 
中國(guó)三大存儲(chǔ)器勢(shì)力還有一大神秘隊(duì)伍合肥長(zhǎng)鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘 合肥對(duì)DRAM的謀劃不僅是合肥長(zhǎng)鑫的存儲(chǔ)項(xiàng)目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技（Sino King Technology）將在中國(guó)主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018-05-02 10:28:009385 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 存儲(chǔ)器大廠SK海力士（Hynix）也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來(lái)生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器，未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:243560 進(jìn)口數(shù)目巨大，自主研發(fā)成為一直以來(lái)努力的方向，此次合肥長(zhǎng)鑫率先嘗試“從0到1”的突破，推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠邁出了重要的一步。
2018-11-29 16:51:0517531 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長(zhǎng)鑫會(huì)踩到前人地雷，然合肥長(zhǎng)鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:388697 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，在當(dāng)前存儲(chǔ)器價(jià)格已經(jīng)觸底反彈，整體市場(chǎng)庫(kù)水水位也進(jìn)一步降低的情況之下，三星決定開(kāi)始恢復(fù)針對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國(guó)P2晶圓廠訂購(gòu)了DRAM設(shè)備
2019-10-30 15:15:302760 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說(shuō)白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2413590 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 的統(tǒng)一組織下亮相第五屆絲博會(huì)，展出了公司研發(fā)設(shè)計(jì)的包括第四代DRAM 存儲(chǔ)器在內(nèi)的全系列晶圓、顆粒及模組產(chǎn)品及全球首系列商用內(nèi)嵌自檢測(cè)修復(fù)（ECC）DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。全面展示了西安紫光國(guó)芯在集成電路存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:502843 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開(kāi)電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
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