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電子發燒友網>存儲技術>長鑫存儲DRAM芯片實現重大技術突破

長鑫存儲DRAM芯片實現重大技術突破

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理,相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。存儲芯片供應商宇芯電子本篇文章主要介紹關于DRAM的基本知識。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現。若寫入位
2020-12-11 15:11:293686

氮化鎵快充研發重大突破 三大核心芯片實現全國產

國產氮化鎵快充研發取得重大突破,三大核心芯片實現自主可控,性能達到國際先進水準。氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導體材料,其運行速度比舊式傳統硅(Si)技術加快了二十
2020-12-18 10:26:523387

DRAM、NAND和嵌入式存儲技術的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會,Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752

國產芯片技術迎來重大突破?

芯片已成為世界各國科技角力的主陣地,但最近全球卻面臨一個重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:192820

美光推出 1α DRAM 制程技術:內存密度提升了 40% 節能 15%

均有重大突破。 ? 美光表示,對比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術將內存密度提升了 40%。 美光計劃于今年將 1α 節點全面導入其 DRAM 產品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領域——為包括移動設備和智能車輛在內的各種應用提供更強的性能。 美光的 1α 技術節點使內存解決方
2021-01-27 13:56:031970

2020年全球存儲芯片市場現狀情況分析

2020年全球存儲芯片市場現狀情況分析全球存儲芯片行業發展至今可分為萌芽期、初步發展期、快速發展期三個階段。1)萌芽期:在此階段,各大企業都在積極研發RAM,且DRAM研究進展比ROM快,行業實現
2021-01-27 14:16:5114959

阿里芯片最新消息_倚天710實現性能和能效新突破

近日,阿里研發出全球首款基于DRAM的3D鍵合堆疊存算一體芯片,該芯片突破了馮·諾依曼架構的局限,在特定的AI場景中,該芯片的性能提升10倍以上,效能比提升了近300倍。
2021-12-08 15:11:252446

華為中國芯片技術最新突破

華為中國芯片技術最新突破:因為疫情和美國的芯片禁令導致中國缺芯問題愈發嚴重,華為和中國的很多的芯片企業都在積極地解決問題,華為海思的芯片技術也有了重大突破,國產14nm芯片將會在明年年底量產。
2022-01-10 11:04:2030901

8月DRAM芯片出口同比下降24.7%

韓國產業通商資源部周五公布的數據顯示,8月份DRAM芯片出口同比下降24.7%。DRAM占韓國存儲芯片出口的近一半。
2022-09-16 15:18:31424

dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據,電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM內存分為哪幾種 dram存儲器的存儲原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030

華為芯片重大突破

華為芯片重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經成為世界上最強大的移動芯片之一,被廣泛應用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設備上。 華為一直是全球領先的芯片設計和制造企業之一,近年來通過自主研發
2023-09-06 11:14:563350

DRAM技術研發趨勢

在2023年2月在國際學會ISSCC上,三星電子正是披露了公司研發的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:58784

重大突破!首款國產LPDDR5存儲芯片來了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產品,它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產品布局。 其中,12GB
2023-12-19 17:55:57235

重大突破!首款國產LPDDR5存儲芯片來了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產品,它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:08229

我國在光存儲領域獲重大突破 或將開啟綠色海量光子存儲新紀元

”;這是我國在光存儲領域獲重大突破。有助于解決大容量和節能的存儲技術難題。 利用國際首創的雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技術,實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實現了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451335

SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

國產內存條量產,DRAM芯片產業發展提速!

近兩年,國內存儲產業發展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產、DDR4內存芯片量產,實現從0到1的突破。 今年,基于長江存儲64
2020-07-14 09:26:5710613

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