2019年11月27日，由集邦咨詢（TrendForce）主辦的MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會在深圳召開。在當天的活動上，多位分析師對全球DRMA及NAND Flash市場進行了細致的分析。

對于國產(chǎn)NAND廠商——長江存儲，集邦預測其將在2023年的NAND Flash市場實現(xiàn)趕“英”超“美”。此外，備受關(guān)注的國產(chǎn)DRAM廠商福建晉華的高管也意外現(xiàn)身。

國產(chǎn)化已迫在眉睫

中國存儲器進口金額已占全球存儲產(chǎn)值的72.4%

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、邊緣計算、人工智能等技術(shù)的發(fā)展，推動了數(shù)據(jù)的爆發(fā)式的增長。

根據(jù)IDC預測，到2025年，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)將達到416億臺，而整個智能聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量將會達到1500億臺，而數(shù)量如此龐大的設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)，無疑將產(chǎn)生海量的數(shù)據(jù)。

IDC預測，2025年時全球數(shù)據(jù)量總和將高達175ZB，這相比其2017年時的預測（163ZB）提高了7%左右。

而如此巨量的數(shù)據(jù)的產(chǎn)生，也直接推動了以DRAM和NAND Flash為代表的存儲芯片產(chǎn)業(yè)快速的發(fā)展。

不過，在過去多年來，存儲芯片市場一直被國外廠商所占據(jù)。

根據(jù)TrendForce的統(tǒng)計顯示，2018年全球NAND Flash前五強分別為：三星（35％）、東芝（19.2％）、西部數(shù)據(jù)（14.9％）、美光科技（12.9％）和SK海力士（10.6％）。這前五大廠商一共拿下了92.6%的市場，如果再加上第六的英特爾，占比將超過99%。

全球DRAM市場則是被三星43.9％、SK海力士29.5％、美光科技23.5％所壟斷，三家合計拿下了96.9%的市場。

作為全球最大的電子產(chǎn)品制造國和重要的電子產(chǎn)品消費市場，中國對存儲芯片有著巨大的需求。

根據(jù)中國海關(guān)總署公布的數(shù)據(jù)顯示，2018全年，中國進口集成電路進口總金額高達3120.58億美元。其中，存儲器進口金額就高達1230.83億美元（進口金額同比增長1188.99%），占總進口額的39.4%。

數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導體市場規(guī)模已達4779.4億美元，其中全球存儲芯片市場規(guī)模大概在1700億美元。也就是說，粗略的估算，2018年中國的存儲器進口金額占2018年全球半導體市場的25.8%，占全球存儲芯片產(chǎn)值的72.4%。（注：不清楚海關(guān)統(tǒng)計的存儲器是否包括了機型硬盤類存儲）

顯然，作為全球最大的存儲芯片消耗國，如果無法實現(xiàn)存儲芯片的自主的話，那么則意味著關(guān)鍵命脈被掌握在國外廠商手中。而且，存儲芯片是數(shù)據(jù)的最重要的載體，關(guān)乎到各行各業(yè)的信息數(shù)據(jù)的安全。

所幸的是，隨著國產(chǎn)存儲廠商長江存儲、長鑫存儲的相繼量產(chǎn)，國外廠商對于存儲芯片的壟斷開始被打破。

國產(chǎn)NAND Flash領(lǐng)域已實現(xiàn)突破

長江存儲有望在2023年趕“英”超“美”

2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立國產(chǎn)存儲領(lǐng)域的“航母”——長江存儲。據(jù)統(tǒng)計，長江存儲總投資約1600億美元。其中紫光集團占股51.04%。

2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預計項目建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

依托武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，長江存儲已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。

而隨著2018年長江存儲的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國產(chǎn)閃存芯片終于實現(xiàn)了重大突破。不過，由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大，所以并不會影響到市場。

相比之下，今年9月長江存儲正式宣布量產(chǎn)的基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash的量產(chǎn)，卻能夠?qū)δ壳暗闹械投耸袌鲂纬蔂帄Z。

特別值得一提的是，據(jù)長江存儲介紹，該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求，與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。

而這主要得益于長江存儲自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)。當前，NAND閃存主要沿用兩種I/O接口標準，分別是Intel/索尼/SK海力士/群聯(lián)/西數(shù)/美光主推的ONFi，去年12月發(fā)布的最新ONFi 4.1規(guī)范中，I/O接口速度最大1200MT/s（1.2Gbps）。第二種標準是三星/東芝主推的Toggle？DDR，I/O速度最高1.4Gbps。不過，大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的I/O速度。而長江存儲的Xtacking架構(gòu)成功將I/O接口的速度提升到了3Gbps，實現(xiàn)與DRAM DDR4的I/O速度相當。

不少業(yè)內(nèi)人士也認為，只要長江存儲的64層3D NAND Flash芯片良率夠好，其實完全不用擔心客戶問題。國內(nèi)對于NAND Flash的需求量非常的大，在當下的“國產(chǎn)替代”大勢之下，國產(chǎn)NAND Flash如果品質(zhì)沒問題，相比同類產(chǎn)品又有技術(shù)和價格都有優(yōu)勢，自然不愁賣。

產(chǎn)能方面，根據(jù)規(guī)劃，2020年底長江存儲的64層3D NAND閃存的產(chǎn)能有望提升至6萬片晶圓/月的規(guī)模。2020年，長江存儲會跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，力求進一步縮短與三星、東芝等公司的差距。

另外值得一提的是，2018年10月12日，總投資達240億美元的紫光成都存儲器制造基地項目開工，該項目占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND Flash晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

根據(jù)集邦科技DRAMeXchange研究協(xié)理陳玠瑋預計，長江存儲成都廠預計2020年二季度投產(chǎn)，屆時可能會有0.5萬片/月的產(chǎn)能，到2020年四季度產(chǎn)能可爬升到2萬片/月。

長江存儲武漢廠目前的產(chǎn)能大概在2萬片/月的產(chǎn)能，預計到2020年四季度會達到5萬片/月，屆時整個長江存儲的3D NAND Flash的產(chǎn)能將達到7萬片/月，已經(jīng)是與英特爾的8.5萬片/月的產(chǎn)能相接近。

但是與三星高達47萬片/月的產(chǎn)能相比，仍是有著巨大的差距。在整個全球3D NAND Flash產(chǎn)能當中的占比也只有4.6%

不過，陳玠瑋預計隨著長江存儲新的3D NAND Flash產(chǎn)能的持續(xù)提升，預計到2023年，長江存儲在全球3D NAND Flash產(chǎn)能中的占比將提高到10.8%，屆時將實現(xiàn)“趕英超美”，即實現(xiàn)對于英特爾（6.6%）和美光（10.3%）的趕超。

在技術(shù)演進上，前面提到，在今年順利量產(chǎn)64層3D NAND Flash之后，長江存儲會跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，這也意味著，2020年長江存儲將會全力進行128層3D NAND Flash的研發(fā)。

據(jù)集邦科技DRAMeXchange研究協(xié)理陳玠瑋預計，長江存儲有望在2021年初實現(xiàn)128層TLC 3D NAND Flash的量產(chǎn)。屆時將進一步縮短與三星、SK海力士、東芝等公司之間的技術(shù)差距。

在NAND閃存市場端，陳玠瑋還提到，在2019年由于中美貿(mào)易因素，以及東芝在三季度出現(xiàn)的一些狀況，導致閃存市場的供需有結(jié)構(gòu)性的轉(zhuǎn)變。原廠在未來的投資都是相對保守的，所以明年整個市場可能會出現(xiàn)缺貨的狀況。但是從2021年開始，缺貨的情況會有所緩解。

“因為中國的長江存儲發(fā)展起來了，這時候市場肯定不會平靜，隨著長江存儲技術(shù)不斷地提升，我們覺得未來閃存的產(chǎn)業(yè)還會走向供過于求，直到有些企業(yè)從中退出?！标惈d瑋說到。但是他并未指出哪些企業(yè)可能會退出。

國產(chǎn)DRAM領(lǐng)域，眾人拾柴火焰高

長鑫存儲已量產(chǎn)，紫光強勢入局，福建晉華仍在努力

1、長鑫存儲

2017年9月，國家大基金宣布入股國產(chǎn)存儲芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約11%股權(quán)，成為了其第二大股東。隨后，兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團簽署合作協(xié)議，研發(fā)19納米制程的12吋晶圓DRAM，預算為人民幣180億元，兆易創(chuàng)新出資20%。目標是研發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存，預計在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%。而該項目依托的就是長鑫存儲。

雖然當時的長鑫存儲還是一家成立于2016年的初創(chuàng)公司。但是，長鑫存儲通過與奇夢達的合作，已將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是長鑫存儲最初的DRAM技術(shù)來源之一。

經(jīng)過數(shù)年的研發(fā)，2019年9月19日合肥長鑫存儲正式宣布自主研發(fā)的基于19nm工藝制造的8Gb DDR4 芯片正式量產(chǎn)。

“長鑫的8Gb DDR4在目前的市場上并不落后，并且具有不錯的競爭力，再加上目前國產(chǎn)替代的趨勢，應(yīng)該不愁賣?！睂τ陂L鑫存儲的DRAM芯片的市場前景，集邦科技DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮這樣說到。

根據(jù)規(guī)劃，長鑫存儲合肥12英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為12 萬片，預計分為三個階段執(zhí)行，第一階段要完成單月4萬片，目前為2萬片，2020年第一季底達到4萬片。2020年開始規(guī)劃建設(shè)二期項目，并于2021年完成17nm工藝的DRAM研發(fā)。

從目前長鑫存儲的現(xiàn)狀及規(guī)劃來看，雖然其已實現(xiàn)了8Gb DDR4的量產(chǎn)，但是產(chǎn)能仍十分的有限。即便是實現(xiàn)明年實現(xiàn)第一階段的單月4萬片晶圓的產(chǎn)能，與全球前三的廠商明年四季度所能夠達到的單月總量超過130萬片晶圓的投片量相比，仍是杯水車薪。不過，可以預見的是，隨著長鑫存儲技術(shù)及產(chǎn)能的持續(xù)提升，未來有望在全球DRAM市場占據(jù)重要一席之地。

2、紫光集團

除了長鑫存儲之外，已成功量產(chǎn)64層3D NAND Flash閃存的長江存儲的母公司——紫光集團今年6月30日宣布，決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。今年8月底，紫光集團又跟重慶市政府簽署投資協(xié)議，宣布在重慶建設(shè)DRAM事業(yè)群總部及內(nèi)存芯片工廠，預計今年底動工。有消息稱，紫光計劃在2021年實現(xiàn)DRAM芯片的量產(chǎn)。

資料顯示，紫光集團早在2015年即開始布局DRAM，先是延攬高啟全加入紫光集團，同時紫光國微（原名同方國芯）又收購了任奇?zhèn)F隊所創(chuàng)辦的公司（現(xiàn)在的西安紫光國芯），任奇?zhèn)F隊的前身是奇夢達公司的西安研發(fā)中心，任奇?zhèn)F隊一直從事DRAM的研發(fā)工作，目前團隊人數(shù)約500人，從紫光國微的年報披露情況看，該團隊的DRAM產(chǎn)品銷售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產(chǎn)品自行設(shè)計，在境外代工。2015年，紫光集團還試圖通過收購美光進入DRAM和3D NAND領(lǐng)域，但收購美光受到美國政府的阻擊，未能如愿以償。

需要指出的是，長江存儲旗下的武漢新芯原本在2006年成立之時，就選擇的是研發(fā)DRAM。但是，當時遭遇全球DRAM價格崩盤，武漢新芯被迫放棄DRAM生產(chǎn)，而是轉(zhuǎn)向NOR Flash產(chǎn)品。2016年并入長江存儲入之后，紫光就調(diào)，先在NAND Flash上突破，然后適時進行了DRAM的研發(fā)。

顯然，紫光集團進入DRAM領(lǐng)域是預謀已久。

在11月15日，紫光集團又正式宣布任命前爾必達CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO，負責拓展紫光在日本市場的業(yè)務(wù)。

而在最新一期的日本《鉆石周刊》獨家專訪中，坂本幸雄談到，紫光的目標是5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM，他的工作就是協(xié)助達成目標。紫光要在日本神奈川縣川崎辦公室設(shè)立「設(shè)計中心」，預定招募70~100位工程師，和中國的制程據(jù)點密切合作，大約花2、3年建構(gòu)量產(chǎn)的體制。

3、福建晉華

福建晉華成立于2016年，是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設(shè)立的先進集成電路生產(chǎn)企業(yè)，晉華項目已列入國家 “十三五（2016～2020年） ”集成電路生產(chǎn)力規(guī)劃的重要布局中，并且獲得國家專項建設(shè)基金支持，也就是來自福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金的投資。該基金由 “國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（俗稱大基金） ” 與福建省、泉州市、晉江市等三級政府所共同發(fā)展設(shè)立，目標規(guī)模為 500 億人民幣。

2017年11月，由聯(lián)電與福建晉華集成電路公司合作的 12 寸隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)線 （晉華項目）主廠房正式封頂。該FAB 主廠房，面積達 27.4 萬平方米，將于2018年下半年投入使用。

根據(jù)規(guī)劃，福建晉華的制造技術(shù)工作主要交由聯(lián)電進行，整體晉華項目的第 1 期，總計將投入 53 億美元，并將于 2018 年第 3 季正式投產(chǎn)，屆時導入 32 納米制程的 12 寸晶圓月產(chǎn)能，預計達到 6 萬片的規(guī)模。公司目標最終推出 20 納米產(chǎn)品，規(guī)劃到 2025 年四期建成月產(chǎn)能 24 萬片。

然而，由于福建晉華和美光之間的訴訟，美國當?shù)貢r間10月29日，美國將福建晉華列入了出口管制的實體清單。兩天之后，聯(lián)電也宣布暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助。至此福建晉華的DRAM幾乎陷入停滯。

據(jù)芯智訊了解，當時福建晉華已有200臺的半導體設(shè)備到位，并且計劃在年底進行小量投片試產(chǎn)，預計2019年初可以幾千片的規(guī)模進入投產(chǎn)，即將要成為國產(chǎn)第一家量產(chǎn)DRAM芯片的廠商。然而由于美方的禁令，使得很多相關(guān)設(shè)備和技術(shù)供應(yīng)商停止了支持。

不過，集邦科技DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮在接受芯智訊采訪時表示，目前福建晉華仍在低調(diào)運作當中。雖然美系供應(yīng)商中斷了合作，但是晉華并未坐以待斃，而是轉(zhuǎn)向了日韓供應(yīng)商，繼續(xù)去推動整個項目的運作。預計明年會有一些成果出來。

值得一提的是，在11月27日由集邦咨詢（TrendForce）主辦的MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上，晉華集成副總經(jīng)理徐征也首次公開現(xiàn)身，作了題為《立基型DRAM市場趨勢分析》。雖然在演講當中并未介紹任何有關(guān)晉華的信息，但是其代表晉華公開現(xiàn)身演講似乎也正是為了透露一個積極的信號，那就是“晉華仍在運轉(zhuǎn)當中”。

對于芯智訊提出的“未來晉華與美光之間是否有可能會走向和解的問題”，集邦科技DRAMeXchange研究副總經(jīng)理郭祚榮表示，“無法預判，畢竟主動權(quán)在美光手中。就我個人看來，和解才是對雙方最有利的結(jié)果。”

值得注意的是，去年5月31日，中國反壟斷機構(gòu)正式啟動了對于三星、SK 海力士、美光三家DRAM內(nèi)存芯片廠商的調(diào)查，以確認這三家廠商在近年來DRAM市場價格飛漲中，是否有壟斷價格行為，以及業(yè)界反映不合理產(chǎn)品搭售的相關(guān)問題。而在中國DRAM市場，美光的市場份額超過了50%。

此外郭祚榮也指出，“根據(jù)我的了解，三星等日韓原廠都認為中國存儲產(chǎn)業(yè)崛起已是必然，未來的策略可能會更傾向于和平共處，而不是利用價格戰(zhàn)來打壓。”