MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
8872 
三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計
2016-08-01 11:04:32953 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 9月13日，晶圓代工廠聯(lián)電宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 納米制程生產(chǎn)的自旋轉(zhuǎn)移矩磁性內(nèi)存 (STT-MRAM)，將應(yīng)用于航天等領(lǐng)域。9月12日，外媒報道，美國
2022-09-13 13:38:155194 
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)
2020-08-31 13:59:46
Everspin串口串行mram演示軟件分析
2021-01-29 06:49:31
，這使其能夠在耐久性方面提高多個數(shù)量級，從而提高了性能。Everspin Technologies 是設(shè)計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域
2020-08-12 17:42:01
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神詳細介紹一下STT-MRAM的存儲技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)
2020-12-25 07:53:15
everspin最新1Gb容量擴大MRAM吸引力
2021-01-01 06:29:30
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
Eversipn STT-MRAM的MJT細胞
2021-02-24 07:28:54
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術(shù)，可利用各種工業(yè)標準接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中，結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場重視。在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn)，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能。
2019-10-02 07:00:00
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
一般稱為自旋閥或隧穿磁阻結(jié)(TMJTunneling Magneto-resistive Junction)。它對MRAM單元的存儲功能起重要作用，例如寫‘0’或?qū)憽?'。宇芯有限公司自成立以來，我們
2020-10-20 14:34:03
耐久性。該算法如圖6所示。 圖6.智能寫操作算法，顯示動態(tài)組寫和帶寫驗證的多脈沖寫。 MRAM數(shù)據(jù)可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的許多應(yīng)用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積
2020-07-02 16:33:58
近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311346 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 IMEC進行了設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
研究機構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導(dǎo)體行業(yè)著名機構(gòu)IMEC
2019-04-22 15:51:321089 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。
2019-06-27 08:59:439837 群聯(lián)電子宣布與Everspin策略聯(lián)盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯(lián)的企業(yè)級SSD儲存解決方案。
2019-08-13 19:07:023313 通過使用較小的電流和電壓來控制MTJ的磁對準，可以降低器件功耗。但是，自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM（STT-MRAM）的問題在于，當其寫入速度很高時，其電壓會使用大量功率迅速增加。
2020-02-29 17:26:502343 
2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺積電，雙方的合作關(guān)系這兩年非常密切。與之相比，AMD的前女友GF公司現(xiàn)在與X86 CPU代工漸行漸遠，現(xiàn)在他們宣稱要做MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。
2020-03-07 09:42:182244 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器啟用或FPGA，該公司也一直在通過其伙伴關(guān)系發(fā)展其生態(tài)系統(tǒng)。 Everspin的幾個合作
2020-03-23 15:32:08646 MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術(shù)。MRAM通常被稱為存儲器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特點，可以在單個芯片中替代當今使用的所有類型的存儲器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57820 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù)，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。 Toggle MRAM為許多行業(yè)提供服務(wù)，包括交通運輸，航空航天和醫(yī)療，物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)。Everspin與全球能源管理和自動化專家Schneider
2020-04-09 09:28:05680 Everspin在磁存儲器設(shè)計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 everspin在此生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)
2020-04-15 16:46:113245 
Everspin擁有包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin生產(chǎn)基于180nm，130nm
2020-04-30 16:26:21525 Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚，并基于Everspin的技術(shù)交付生產(chǎn)級，符合太空要求的磁阻
2020-05-14 12:01:15722 MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 （STT-MRAM）。這些技術(shù)提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作，這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當單元被訪問時，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470 Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。為云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場提供了上億只MRAM和STT-MRAM
2020-07-13 11:25:581037 行良好的MTJ設(shè)計和測試。Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的，為汽車、工業(yè)和軍事。云存儲等行業(yè)等提供了大量可靠優(yōu)質(zhì)的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹Everspin MRAM器件的
2020-07-17 13:56:10453 
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)，在平面和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的領(lǐng)先趨勢來增強動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備，例如離子束蝕刻，同時提高MTJ位單元的可靠性，以支持某些應(yīng)用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲器還有一段路要走，另一種比較可行的應(yīng)用，是把STT－MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù)，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 新興MRAM市場的主要參與者之一已經(jīng)開發(fā)了專有技術(shù)，該技術(shù)表示將通過增加保持力并同時降低電流來增強任何MRAM陣列的性能。 自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)（STT）的進動自旋電流（PSC）結(jié)構(gòu)，它有潛力提高MRAM
2020-08-18 17:34:53712 
Everspin主要是設(shè)計制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。Everspin一級代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強動力，同時考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案，設(shè)計人員需
2020-10-14 15:52:19536 
本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu)，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中，與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 
自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結(jié)合了非易失性，出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩（STT）寫入是一種通過對齊流過磁性隧道結(jié)（MTJ）元件的電子的自旋方向
2020-11-20 15:23:46791 。 后來科學(xué)家們想出了用自旋極化的電子流脈沖取代微電磁線圈的突破方案。穿過微磁粒的自旋極化電子流脈沖具有確定的磁場方向，它的磁矩在這里被稱為自旋轉(zhuǎn)移力矩或簡稱自旋轉(zhuǎn)矩，即前面提到的STT。自旋極化電子流可以代替電磁線圈使微磁粒的磁場方向發(fā)生
2020-12-07 14:24:00665 在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531 Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用程序的翹楚，在這些市場和應(yīng)用程序中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin是MRAM產(chǎn)品的長期可靠制造商，并在亞利桑那州錢德勒
2021-04-26 14:25:21479 
，該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進入太空。 在數(shù)據(jù)存儲的可靠性和持久性方面，同類產(chǎn)品無法與Everspin的MRAM產(chǎn)品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat
2021-04-30 17:17:53325 Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達
2021-05-08 15:47:56713 
，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場
2021-06-08 16:37:17575 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰c SRAM 的速度相結(jié)合，同時具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 在 MRAM 這類內(nèi)存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這意味著即使STT?MRAM技術(shù)已經(jīng)接近成熟，其受到的限制
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計， 制造嵌入式磁阻 RAM （MRAM） 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM （STT-MRAM） 的生產(chǎn)商，自從Everspin第一款產(chǎn)品進入市場，由于MRAM
2022-03-15 15:45:22527 MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上，當兩個磁鐵靠近時，它們的電阻會發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對于另一個磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836 everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達200MHz。這些持久存儲器MRAM設(shè)備在單個1.8V電源
2022-12-08 16:07:20400 Netsol是一家成立于2010年的無晶圓廠IC設(shè)計和營銷公司。在下一代存儲器解決方案方面處于世界領(lǐng)先地位，特別是在STT-MRAM方面。憑借強大的開發(fā)能力，為廣泛的應(yīng)用程序提供定制/優(yōu)化的內(nèi)存
2023-01-31 15:53:37226 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。
2024-01-18 14:44:00838 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。
2024-01-22 10:50:50123 
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