報(bào)導(dǎo),存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后,三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)鑫正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ),國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破,為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:054958 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 器和內(nèi)部存儲(chǔ)器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等,能長(zhǎng)期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲(chǔ)部件,用來存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序,但僅用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù),關(guān)閉電源或斷電,數(shù)據(jù)會(huì)丟失。構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
1.(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯(cuò)誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號(hào)的碼間
2021-07-22 08:57:49
判斷題:DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1
2017-08-23 09:29:31
RAM有哪些分類?特點(diǎn)是什么?DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好?
2022-01-20 07:16:10
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成,DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析:由題得,16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中,我們將介紹一種新型的非易失性DRAM,以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件,但并非沒有缺陷。在本文中,我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
Access Memory:鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以,但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近,它也是一種RAM。于是,存儲(chǔ)器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
存儲(chǔ)器的分類介紹
2021-04-06 07:14:25
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(又稱易失性存儲(chǔ)器):體積小,功耗低,存取時(shí)間短,電源消失的時(shí)候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器(...
2021-07-26 08:30:22
SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?! ?、動(dòng)態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)
2017-10-24 14:31:49
SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?! ?、動(dòng)態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
摘要: 未整理和的零碎知識(shí)一固件提取基本知識(shí)1.1芯片:功能:存儲(chǔ)硬件系統(tǒng)的固件分類:lROM(read only memory)芯片:分類:ROM、PROM、EEPROM、FLASH-ROM,其中FLASH-ROM是大部分IOT產(chǎn)品的存儲(chǔ)器,可通過讀取flash芯片提取固件lFlash芯片:l讀寫:...
2021-07-19 07:55:54
各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器,求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-12-24 07:04:20
一般來說DRAM芯片的工作原理,比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的?分為哪幾類?為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新?如何進(jìn)行刷新?
2021-09-28 08:50:24
存儲(chǔ)器,顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解,本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)具有興趣,不妨繼續(xù)往下
2020-12-25 14:50:34
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思?加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些?導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些?虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的?
2021-08-11 08:07:31
器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),通常把RAM稱為內(nèi)存,它是由各類半導(dǎo)體集成芯片組成的條狀物,所以也叫“內(nèi)存條”4.1.1 內(nèi)存的分類1. SDRAMSDRAM,即Synchronous DRAM(同步動(dòng)態(tài)...
2021-09-10 09:02:31
本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
文章目錄存儲(chǔ)器概述存儲(chǔ)器分類存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器——概述主存的基本組成主存與 CPU 之間的聯(lián)系主存中存儲(chǔ)單元地址的分配半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片簡(jiǎn)介半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的基本結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的譯碼驅(qū)動(dòng)
2021-07-26 06:22:47
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
`貼片電容分類介紹`
2012-08-18 07:29:24
存儲(chǔ)器的分類及原理,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,只讀存儲(chǔ)器,其他存儲(chǔ)器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:4320 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長(zhǎng),存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714 什么是DRAM DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM",翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),
2010-03-24 16:17:211587 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中,介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端,包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊(DRAM),這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問,速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器,DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊, 您便可自由地將此類本地存儲(chǔ)納入
2017-11-17 17:28:15996 DRAM芯片即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間,所以需要定時(shí)刷新。DRAM 分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等。
2018-07-13 15:57:0010468 紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā),DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%,首次超越邏輯電路,成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 日前,合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說,近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100 使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路
2018-09-21 22:27:01229 使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路
2018-09-22 00:06:011049 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363128 近日,半導(dǎo)體綜合性企業(yè)紫光集團(tuán)在其官網(wǎng)宣布,公司已經(jīng)成立一個(gè)新的事業(yè)群,專注于內(nèi)存芯片動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)。DRAM是一種最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等設(shè)備中。
2019-08-07 10:59:171196 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 昨日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一,大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是,大家真的了解DRAM嗎?DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢?DRAM的工作原理是什么呢?如果你對(duì)DRAM具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942485 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢?DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢?如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 DRAM作為PC必備器件之一,大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是,大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎?大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來的嗎?如果你對(duì)DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 存儲(chǔ)器是很多設(shè)備都需具備的主要器件,在計(jì)算機(jī)中,存儲(chǔ)器同樣發(fā)揮著重要作用。為增進(jìn)大家對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的了解,本文將對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的作用以及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器分類予以介紹。
2020-12-04 09:45:0617405 存儲(chǔ)器,顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解,本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類予以介紹。
2020-12-04 09:48:422242 理,相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識(shí)。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)。若寫入位
2020-12-11 15:11:293686 最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器,可讀可寫,分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 根據(jù)存儲(chǔ)元件的性能及使用方法不同,存儲(chǔ)器有各種不同的分類方法。
2022-01-04 09:56:0016297 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息,存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。接下來簡(jiǎn)單介紹存儲(chǔ)器的主要分類。
2022-01-20 14:06:1052659 根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:213984 器。目前市場(chǎng)上大多數(shù)售賣主芯片的廠商都是靠存儲(chǔ)器起家的。Excelpoint世健公司的工程師Wolfe Yu在此對(duì)存儲(chǔ)的分類以及它們各自的優(yōu)劣進(jìn)行了科普介紹。
2022-01-25 16:44:264570 DRAM包括:SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx(Reduced Latency DRAM)、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:485428 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 * RAM
2023-07-12 17:01:131100 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同,存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272108 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí),包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 (1)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01734 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 DRAM芯片全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),與CPU直接交換數(shù)據(jù),可隨時(shí)讀寫且速度快,斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失,是易失性存儲(chǔ)器,也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561020
評(píng)論
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