存儲(chǔ)器ram的特點(diǎn)
2021-01-05 06:57:06
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類(lèi)型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類(lèi)1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(lèi)（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
”(storage)裝置。 存儲(chǔ)器的特性包括快速的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存/檢索能力、有限的容量，以及較儲(chǔ)存更高的成本。另一方面，儲(chǔ)存的特性包括明顯更大的容量，但較存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存/檢索速度慢，成本也更低。基本上，比起
2017-07-20 15:18:57
存儲(chǔ)器擴(kuò)展方式是什么？IO擴(kuò)展方式是什么？
2022-01-17 08:24:15
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠(chǎng)商或用戶(hù)分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程就稱(chēng)為存儲(chǔ)器映射，具體見(jiàn)圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過(guò)程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠(chǎng)商或用戶(hù)分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程稱(chēng)為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi)，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類(lèi)。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱(chēng)易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:46:15
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:51:10
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門(mén)，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門(mén)控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲(chǔ)器可劃分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的？
2021-09-16 07:12:10
[table][tr][td=670][table][tr][td]arm處理器本身所產(chǎn)生的地址為虛擬地址，每一個(gè)arm芯片內(nèi)都有存儲(chǔ)器，而這個(gè)芯片內(nèi)的存儲(chǔ)器的地址為物理地址。我們寫(xiě)程序的目的是為了
2014-03-24 11:57:18
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
DMA實(shí)驗(yàn)設(shè)置存儲(chǔ)器地址時(shí)，文中說(shuō)假如要把數(shù)組Sendbuff作為存儲(chǔ)器，那么在該寄存器寫(xiě)入&SendBuff就可以了 但是MYDMA_Config(DMA1_Channel4,(u32
2020-06-03 04:35:03
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類(lèi)？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
緩存，而 SL3另外還可在局域 L2 高速緩存中進(jìn)行緩存。 為向軟件執(zhí)行提供快速通道，外部存儲(chǔ)器同內(nèi)部共享存儲(chǔ)器一樣，通過(guò)同一存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行連接，而并非像在嵌入式處理器架構(gòu)上所進(jìn)行的傳統(tǒng)做法那樣
2011-08-13 15:45:42
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
時(shí)被選擇的。將存儲(chǔ)器芯片的讀/寫(xiě)信號(hào)設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時(shí)輸出。 4.各份電源的切換，電池各份的重點(diǎn)將會(huì)在于電源切換和片選信號(hào)的控制。本次為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，只單純獲取vcc和電池（為
2020-12-10 16:44:18
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
SRAM是什么存儲(chǔ)器
2020-12-28 07:02:32
大家好，之前玩過(guò)51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊(cè)時(shí)看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲(chǔ)器，手冊(cè)上寫(xiě)STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車(chē)場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類(lèi)的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫(xiě)信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車(chē)的狀態(tài)（在不在車(chē)庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失
2019-04-21 22:57:08
隨著電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)的發(fā)展，以及***的政策鼓勵(lì)與扶持，電動(dòng)汽車(chē)（混動(dòng)+純電動(dòng)）以每年超過(guò)50%的速度高速增長(zhǎng)，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動(dòng)汽車(chē)的核心組件，其市場(chǎng)需求也獲得相應(yīng)的快速增長(zhǎng)。本文將就電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求進(jìn)行分析。
2019-07-30 06:46:09
的使用是：要么只作為 數(shù)據(jù)暫存器，不存放固定數(shù)據(jù)或需要長(zhǎng)期保存的數(shù)據(jù)。要么就附加一個(gè)電池來(lái)保 持存儲(chǔ)器始終處于一種帶電狀態(tài)（可能是工作狀態(tài)或休眠狀態(tài)），以保持存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不易丟失。 非易失性存儲(chǔ)器：指
2020-12-25 14:50:34
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫(xiě)入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱(chēng)為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷(xiāo)售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”。
2019-07-16 06:44:43
使用LatticeECP3 I/O協(xié)議板來(lái)實(shí)現(xiàn)并通過(guò)全部測(cè)試。圖2展示了一個(gè)存儲(chǔ)器控制器的框圖。圖最上面的配置接口用于設(shè)置設(shè)計(jì)的各個(gè)選項(xiàng)。DDR3 I/O模塊使用I/O 基元來(lái)實(shí)現(xiàn)。指令譯碼模塊根據(jù)每個(gè)bank
2019-05-27 05:00:02
。在結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)主要包括可變寬度的存儲(chǔ)器接口、更快速的指令周期時(shí)間、可設(shè)置優(yōu)先級(jí)的雙通道DMA處理器、靈活的引導(dǎo)程序裝入方式、可重新定位的中斷向量表以及可選的邊緣/電平觸發(fā)中斷方式等。 1
2019-06-14 05:00:08
各位大哥問(wèn)一下，就是單片機(jī)用外部存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候，還需要關(guān)系地址的問(wèn)題嗎？？
2012-11-04 21:35:47
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
Flash類(lèi)型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)的目的是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫(xiě)的電路？擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
影響存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
為什么要開(kāi)發(fā)和測(cè)試存儲(chǔ)器件？怎樣去測(cè)試存儲(chǔ)器的基本功能？如何去擴(kuò)展存儲(chǔ)器的測(cè)試能力？
2021-04-15 06:44:19
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿(mǎn)足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
`石碣存儲(chǔ)器IC收購(gòu) 石碣存儲(chǔ)器IC回收公司銘盛電子科技公司長(zhǎng)期收購(gòu)廠(chǎng)家以及個(gè)人庫(kù)存各種IC內(nèi)存芯片二三極管電子料回收。136-3166-5055深圳市銘盛電子是華強(qiáng)北十佳電子回收公司之一！ 我們有
2021-03-19 17:42:40
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
基于12F1822芯片的電池放電測(cè)試器1、使用AD來(lái)測(cè)量被測(cè)電池電壓，8位精度2、每隔10S記錄一次3、存滿(mǎn)之后使用LED指示想知道 怎么檢測(cè)存儲(chǔ)器存滿(mǎn)！說(shuō)明書(shū)里也沒(méi)有對(duì)應(yīng)的標(biāo)志位，謝謝。
2016-07-14 10:30:42
存儲(chǔ)器芯片是什么？存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器術(shù)語(yǔ)的定義有哪些？如何去測(cè)試存儲(chǔ)器芯片的功能？測(cè)試向量是什么？它的執(zhí)行方式以及測(cè)試目的分別是什么？
2021-04-15 06:18:54
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
直接存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn) (DMA) 用于在外設(shè)與存儲(chǔ)器之間以及存儲(chǔ)器與存儲(chǔ)器之間提供高速數(shù)據(jù)傳輸。可以在無(wú)需任何 CPU 操作的情況下通過(guò) DMA 快速移動(dòng)數(shù)據(jù)。這樣節(jié)省的 CPU 資源可供其它操作
2016-07-02 17:00:43
。在結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)主要包括可變寬度的存儲(chǔ)器接口、更快速的指令周期時(shí)間、可設(shè)置優(yōu)先級(jí)的雙通道DMA處理器、靈活的引導(dǎo)程序裝入方式、可重新定位的中斷向量表以及可選的邊緣/電平觸發(fā)中斷方式等。 1
2019-06-12 05:00:08
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣，存儲(chǔ)器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測(cè)量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種
2014-04-25 11:05:59
跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-19 11:53:09
跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-21 10:49:57
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
利用XILINX解決方案快速創(chuàng)建存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)
2010-01-08 23:05:26
39 摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤(pán)存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:37
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摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
存儲(chǔ)器名詞解釋 RAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。每一存儲(chǔ)單元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可寫(xiě)的易失性存儲(chǔ)器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402813 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則，首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)歷史。 開(kāi)發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類(lèi)似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-23 10:17:05558 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則，首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)歷史。 開(kāi)發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類(lèi)似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42499 MAX732快速存儲(chǔ)器編程電源電路
2009-10-31 15:44:19627 
MAX732電池供電+12V快速存儲(chǔ)器編程電源電路
圖中是
2009-10-31 15:58:021173 
相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)
2010-04-01 17:44:073641 無(wú)需設(shè)定電感電流閾值的并聯(lián)諧振直流環(huán)節(jié)逆變器_王強(qiáng)
2017-01-08 13:15:482 賽靈思公司（Xilinx）宣布，采用HBM和CCIX技術(shù)的新型16nm Virtex UltraScale+ FPGA的細(xì)節(jié)。該支持HBM的FPGA系列，擁有最高存儲(chǔ)器帶寬，相比DDR4 DIMM
2018-07-31 09:00:002545 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開(kāi)斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱(chēng)其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:232881 物理學(xué)家設(shè)計(jì)了一種3-D量子存儲(chǔ)器，解決了實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)存儲(chǔ)時(shí)間和快速讀出時(shí)間之間的權(quán)衡，同時(shí)保持了緊湊的形式。新存儲(chǔ)器在量子計(jì)算，量子通信和其他技術(shù)中具有潛在的應(yīng)用。
2019-09-12 11:39:232392 為了使新型存儲(chǔ)器達(dá)到大批量生產(chǎn)，工業(yè)必須提供新的工藝控制解決方案。這些系統(tǒng)應(yīng)該測(cè)量原始沉積的薄膜，操作迅速，不會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器造成額外傷害。
2019-12-31 16:10:43740 
目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
ADV7480所需設(shè)置
2021-06-05 09:04:584 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠(chǎng)開(kāi)始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠(chǎng)也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59795 
在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:401484 
自NV SRAM開(kāi)發(fā)開(kāi)始以來(lái)，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 4 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲(chǔ)器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能具有
2023-06-08 17:00:04413 
片選提供了許多選項(xiàng)，可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng)，以允許連接到各種外部器件。存儲(chǔ)器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開(kāi)始。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件用戶(hù)手冊(cè)》。 8.5.1 使用外部16位存儲(chǔ)器器件 連接具有字節(jié)選擇線(xiàn)的外部16位存儲(chǔ)器器件時(shí)，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02349 
RA2快速設(shè)計(jì)指南 [5] 存儲(chǔ)器
2023-10-24 16:17:30273 
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