SK海力士開發的HBM2E DRAM產品具有業界最高的帶寬。與之前的HBM2相比,新款HBM2E擁有大約50%的帶寬和100%的額外容量。 該公司透露,SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:415518 內核補丁中也透露了消息,AMD下一代基于CDNA 2核心的Instinct MI200 GPU也將用到HBM2e,顯存更是高達128GB。這意味著AMD很可能會在服務器市場全面擁抱HBM。 ? 已與
2021-07-24 10:21:125012 本文是第一篇詳細介紹HBM在FPGA上性能實測結果的頂會論文(FCCM2020,Shuhai: Benchmarking High Bandwidth Memory on FPGAs),文章,目前
2020-11-08 10:56:009500 近年來,隨著內存帶寬逐漸成為影響人工智能持續增長的關鍵焦點領域之一,以高帶寬內存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角,成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內存解決方案
2020-10-23 15:20:174835 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊,并與GPU一同進行封裝,形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131327 雖然看起來,WiFi 6的普及速度還不錯,但相信還有很多人都還沒用上WiFi 6的設備,因為不少人要么沒支持WiFi 6的智能終端,要么缺少WiFi 6路由器。即便是這樣,下一代WiFi技術已經開始研發了,速度可達30Gbps。據了解,高通、博通和聯發科技都已經開始了WiFi 7相關技術的開發。
2021-06-08 09:10:3713710 三星電子宣布推出了業界首款符合HBM2E規范的內存。它是第二代Aquabolt的后繼產品,具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231247 帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢成了數據中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿,但參與了標準制定工作的IP廠商們已經紛紛做好了準備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持HBM3的內存子系統,近日,新思科
2021-10-12 09:33:073570 SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 了。與此同時,在我們報道的不少AI芯片、HPC系統中,HBM或類似的高帶寬內存越來越普遍,為數據密集型應用提供了支持。 ? 提及HBM,不少人都會想到成本高、良率低等缺陷,然而這并沒有影響業內對HBM的青睞,諸如AMD的Radeon?Pro?5600M、英偉達的A100?等消費級
2022-03-29 07:35:002025 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經表示GDDR7已經在研發中,但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 ? GPU 市場的顯存選擇 ? 我們再開看看目前GPU市場對于顯存的選擇,AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數據中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達則在
2022-12-02 01:16:002218 為由,將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現有最高性能DRAM(內存
2023-04-20 10:22:191454 電子發燒友網報道(文/黃晶晶) SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:002617 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看,HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 HBM1X1M - Bluetooth V1.2 Class 1 Module - HANAMICRON
2022-11-04 17:22:44
HBM9C3M - SafeSite Series LED High Bay Fixture - Dialight Corporation
2022-11-04 17:22:44
擁有高精度的檢測儀器對于電機測試數據的可靠性尤為重要,直接關系到檢測結果的真實性。隨著國際合作交流的進一步深入和國內對電機測試精度要求的不斷提高,將會有更多的檢測機構和企業使用HBM扭矩傳感器。今天小編帶大家來了解一下HBM產品在電機測試中的使用情況。
2021-01-22 07:33:46
分別為50N-m、100N·m、200N·m、500N·m、1kN·m、2kN·m、3kN·m、5kN·m和10kN·m,精度可達0.1%,額定轉速可達8000—15000r/min,最低可測2r/min
2020-06-19 16:31:10
滿足國際標準OIML R60 的要求,所以標定等級為 III的計價秤的制造商只能安裝 C3 和 C6 等級的稱重傳感器才能滿足位于巴黎的國際度量衡組織的要求。實際上稱重傳感器一般都帶有 OIML
2018-11-02 16:11:12
(低速和全速)?支持熱插拔?內部上拉和下拉電阻?引腳控制和I2C控制模式均衡?單路3.3V電源?20針TSSOP RoHS封裝?-40 ~ 85℃工作溫度范圍?ESD:HBM到2KV3. 應用程序?臺式機
2022-03-03 14:13:02
[/td][td=140]芯片級系統級上升時間2-10ns0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測試設備不同MK2-芯片級靜電槍-系統級3.測試方法不同芯片級HBM測試需要對IC按照
2020-10-16 16:36:22
-10ns 0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測試設備不同,MK2芯片級,靜電槍系統級3.測試方法不同芯片級HBM測試需要對IC按照POWER,GND,IO進行分組測試系統級HBM測試分成兩種方式:1
2022-09-19 09:53:25
2015年AMD推出了Fiji核心的Fury家族顯卡,率先使用了HBM顯存,由此給GPU市場帶來了一場革命,盡管Fury系列顯卡市場上不算成功,但AMD在技術探索上勇氣可嘉,值得稱贊。不過在新一代
2016-12-07 15:54:22
AMD Vega 旗艦顯卡將會在8月登場,使用的是最新的 HBM2 技術,不過也可能因為如此,Vega 才一直遲遲無法現身,畢竟產能是個問題,NVIDIA 對于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺,就連下一代 Volta 架構也不會用上 HBM2,而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063241 AMD則是已經在不斷宣揚HBM2的優勢,并且專門為其設置HBCC主控,具備更加強大內存尋址性能。AMD已經完全押寶在HBM2上了,HBM3的應用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導體巨頭SK海力士提供,即將發布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427 Rambus首次公布HBM3/DDR5內存技術參數,最大的關注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認為是極限,因為到了7nm節點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能,7nm是一項非常復雜的技術。
2017-12-07 15:00:001535 由于制造技術的進步,存儲系統在過去幾年中發展了很多。高帶寬存儲器(HBM)是最新類型的存儲器芯片的一個例子,它可以支持低功耗,超寬通信通道和堆疊配置。 HBM子系統涉及不同類型的存儲器控制器(全速,半速),HBM PHY和HBM DRAM。
2019-08-07 16:17:0310170 雖然封裝不易,但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器,而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185 三星近日發布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246 最近,JEDEC固態存儲協會正式公布了HBM技術第三版存儲標準HBM2E,針腳帶寬、總容量繼續大幅提升。對于一些大企業,集成這些技術可以說不費吹灰之力,但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:563487 相比GDDR顯存,HBM技術的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領先,前不久JEDEC又推出了HBM2e規范,三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息,據外媒報道,SK 海力士宣布,其已能夠大規模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 Alchip 5nm設計將利用高性能計算IP產品組合,其中包括一級供應商提供的“同類最佳” DDR5,GDDR6,HBM2E,HBM3,D2D,PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552140 幾個月前,SK Hynix成為第二家發布基于HBM2E標準的存儲的公司,就此加入存儲市場競爭行列。現在,公司宣布它們改進的高速高密度存儲已投入量產,能提供高達3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達
2020-09-10 14:39:011988 為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內存帶寬,HBM2E和GDDR6已經成為了設計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:132139 小編帶大家來了解一下HBM產品在電機測試中的使用情況。 HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測量扭矩和轉速,是第一款扭矩法蘭,采用測量剪應力替代扭矩應力對扭矩進行測量。這種技術是HBM公司的專利。它設計緊湊,占有非常小的空
2020-10-31 10:39:322501 擁有高精度的檢測儀器對于電機測試數據的可靠性尤為重要,直接關系到檢測結果的真實性。隨著國際合作交流的進一步深入和國內對電機測試精度要求的不斷提高,將會有更多的檢測機構和企業使用HBM扭矩傳感器。今天小編帶大家來了解一下HBM產品在電機測試中的使用情況。
2021-01-20 13:57:3810 Virtex UltraScale+部分芯片中集成了HBM(High Bandwidth Memory)。HBM的容量最小為8GB,最大可達16GB,極大地增強了存儲帶寬。 先從芯片結構角度看,對比
2021-09-02 15:09:023047 算法和神經網絡上,卻屢屢遇上內存帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢成了數據中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿,但參與了標準制定工作的IP廠商們已經紛紛做好了準備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341391 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數據,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104 點擊藍字關注我們 從高性能計算到人工智能訓練、游戲和汽車應用,對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內存的發展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量,除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經被認為是一種
2021-11-01 14:30:506492 HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲)已成為現代高端FPGA的一個重要標志和組成部分,尤其是在對帶寬要求越來越高的現如今,DDR已經完全跟不上節奏。本篇將分享學習一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:099715 圖 2 顯示了HBM、MM 和 CDM ESD 測試的電流 (I ESD ) 波形特性。通常,HBM ESD 測試的應力水平大約是 MM ESD 測試條件的 10 倍。
2022-07-24 11:48:3626778 AI 訓練和推理 SoC 和系統開發人員正在通過 HBM2e 和 GDDR 規范進行組合,以確定哪種風格最適合他們的下一代設計。 幾乎每天都有新的人工智能 (AI) 應用程序涌現。然而,訓練和推理
2022-07-30 11:53:501804 CDM、HBM 或 MM 之間沒有相關性。因此,HBM和CDM測試通常用于ESD保護電路測試。較長的 I ESD持續時間導致片上 ESD 結構的過熱增加。HBM 和 MM 測試失敗通常出現在柵極氧化層或結損壞。
2022-08-09 11:49:5215449 HBM2E標準的每個裸片的最大容量為2GB,每個堆棧可以放置12層裸片,從而可實現24GB的最大容量。雖然標準是允許的,但我們尚未看到市場上出現任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376 SK海力士在業界率先開發出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產品HBM31,公司不僅又一次創造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:251175 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經表示GDDR7已經在研發中,但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 GPU市場的顯存選擇 我們再看看目前GPU市場對于顯存的選擇,AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數據中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達則在部分
2022-12-02 07:15:03852 需要復雜的生產過程和高度先進的技術。人工智能服務的擴展扭轉了局面。一位業內人士表示,“與性能最高的DRAM相比,HBM3的價格上漲了五倍。” ? 據了解,目前SK海力士在HBM市場處于領先地位,約有60%-70%的份額。HBM(高帶寬存儲器)是高價值、高性能存儲器,垂直互連
2023-02-15 15:14:444689 HBM 使用多根數據線實現高帶寬,完美解決傳統存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數據線實現了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數據線傳輸數據
2023-04-16 10:42:243539 HBM2E(高帶寬內存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(如內存子系統、互連總線和處理器)結構復雜,驗證內存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰。
2023-05-26 10:24:38437 據韓媒報道,韓國三星電子公司正在加緊努力,更深入地滲透到HBM3市場,由于其在整個內存芯片市場中所占的份額很小,因此相對于其他高性能芯片來說,該公司一直忽視了這一領域。
2023-06-27 17:13:03453 HBM技術之下,DRAM芯片從2D轉變為3D,可以在很小的物理空間里實現高容量、高帶寬、低延時與低功耗,因而HBM被業界視為新一代內存解決方案。
2023-06-30 16:31:33626 近日,HBM成為芯片行業的火熱話題。據TrendForce預測,2023年高帶寬內存(HBM)比特量預計將達到2.9億GB,同比增長約60%,2024年預計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685 時任AMD CEO的蘇姿豐表示,HBM采用堆疊式設計實現存儲速度的提升,大幅改變了GPU邏輯結構設計,DRAM顆粒由“平房設計”改為“樓房設計”,所以HBM顯存能夠帶來遠遠超過當前GDDR5所能夠提供的帶寬上限,其將率先應用于高端PC市場,和英偉達(NVIDIA)展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24497 熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務 據報道,英偉達正在努力實現數據中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱,這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02404 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3,帶寬超過1.2TB/s,先進的1β制程節點提供卓越能效。 2023年7月27日,中國上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21489 在此之前,英偉達將大部分gpu的高級成套產品委托給tsmc。半導體方面,將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上,生產英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及,h100的需求劇增,在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:18720 來源:半導體芯科技編譯 業內率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進的1β工藝節點實現“卓越功效”。 美光科技已開始提供業界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587 sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41541 HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
2023-08-22 16:28:07559 與此同時,SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術,其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統中,無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
2023-08-23 15:13:13461 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關鍵供應商,三星或將從第四季度開始向英偉達供應HBM3。
2023-09-01 09:46:5140553 來源:EE Times 先進ASIC領導廠商創意電子(GUC)宣布,公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證,該方案采用臺積電5納米工藝技術。該平臺在臺積電2023北美技術研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50250 目前,HBM產品的主要供應商是三星、SK海力士和美光。根據全球市場調研機構TrendForce集邦咨詢的調查顯示,2022年,SK海力士在HBM市場占據了50%的份額,三星占據了40%,美光占據了10%。
2023-09-15 16:21:16374 ? ? 據了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM,能夠提升數據處理速度,HBM DRAM產品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400 HBM技術是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數據中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術的原理、優勢、應用和發展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343 據預測,進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業績明年將迅速恢復。部分人預測,三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
2023-11-14 11:50:57451 Rambus產品營銷高級總監 Frank Ferro 在 Rambus 設計展會上發表演講時表示:“HBM 的優點在于,可以在可變的范圍內獲得所有這些帶寬,并且表示獲得了非常好的功耗。”
2023-11-15 15:50:19266 如何加速HBM仿真迭代優化?
2023-11-29 16:13:18189 速度優勢是HBM產品成功的關鍵
2023-11-29 16:22:53172 由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業界預測,最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443 由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業界預測,最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353 英偉達的圖形處理器(gpu)是高附加值產品,特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元(約4.65萬美元)。英偉達將在存儲半導體領域發揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營銷的領先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達供應hbm3,領先于三星電子。
2023-11-29 14:37:00504 HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔(TSV 或連接孔),并與放置在基礎封裝層上的中間件相連,中間件上還安裝有處理器,提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49136 為增強AI/ML及其他高級數據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數據速率,支持HBM3內存標準的未來演進 實現業界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 作為業界領先的芯片和 IP 核供應商,致力于使數據傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內存控制器 IP 現在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06329 數據量、復雜度在增加,HBM內存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內存十分適合于AI訓練場景。最近,內存芯片廠商已經不約而同地切入HBM3E競爭當中。內存控制器IP廠商Rambus也率先發布HBM3內存
2023-12-13 15:33:48885 據最新傳聞,英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231 美國IT企業投資規模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年,HBM供應緊缺問題將愈發嚴重。對此,三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產品HBM3,并計劃啟動第五代HBM產品HBM3E的量產。在此
2024-01-03 13:41:02348 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現出強大的增長勢頭。數據顯示,公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上,成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠實現5TB/s的傳輸速率,內存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:42121 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00250 近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330 據手機資訊網站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內存模塊,并面向HBM3E進行了重新設計。另外,該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應商建立了穩固的聯系,同時也與如臺積電等重要的基板供應商以及OSAT社區保持著緊密的合作關系。
2024-02-27 15:45:05152 AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發,且伴隨服務器平均HBM容量增加,經測算,預期25年市場規模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203 在以臺積電與三星代工為首的諸多企業中,長期以來,保持硅晶圓高效產出的良品率一直是個難題。然而,這個難關如今已經蔓延至HBM行業。
2024-03-07 09:41:25204 三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158 這一結構性調整體現出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408 四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關注 AI的爆發極大的推動了HBM芯片的需求;今日市場有傳聞稱四川長虹將為華為代工HBM芯片,對此傳言四川長虹回應稱,尚未收到相關消息。 “HBM”作為一種新型
2024-03-18 18:42:552387 SK海力士作為HBM3E的首發玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21252 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24352 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126
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