SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
5518 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281523 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131327 
帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:073570 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
人工智能的蓬勃發(fā)展促使產(chǎn)業(yè)對AI基礎設施提出了更高的性能要求，先進計算處理單元，尤其是ASIC或GPU，為了在機器學習、HPC提供穩(wěn)定的算力表現(xiàn)，傳統(tǒng)的內(nèi)存系統(tǒng)已經(jīng)不太能滿足日益增加的帶寬
2022-03-29 07:35:002025 為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191454 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）今年對于存儲廠商而言，可謂是重新梳理市場需求的一年，不少企業(yè)對 NAND和DRAM 的業(yè)務進行了大幅調(diào)整，有的就選擇了將重心放在下一代 DRAM 上，尤其是在 AI
2023-12-13 01:27:001179 
5500高端芯片組充實國內(nèi)服務器市場滿足當下環(huán)境需求5500芯片組目前已是市場主流系列，從09年發(fā)布對于5500系列芯片來說具有劃時代的意義，具備多項創(chuàng)新的智能特性，前所未有的提升了能效，是最具用戶
2011-09-06 09:45:58
DRAM產(chǎn)能再大，也難以滿足全球龐大的市場需求。因此，應該是技術(shù)層面的原因。技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競爭力。3D Flash目前技術(shù)在96層，但是技術(shù)路標的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
ARM是如何滿足數(shù)據(jù)中心需求的
2021-02-01 06:34:23
價格迅速下跌。IC Insights預測，隨著更多的產(chǎn)能上線，供應限制開始緩解，DRAM市場增長將會降溫。值得一提的是，據(jù)報道，三星和SK海力士已推遲了部分擴張計劃，原因是預計客戶需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
保持著不錯的增長。本土企業(yè)有著很好地方市場發(fā)展機遇，中國半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈愈來愈完善和不斷進步，國家對本土創(chuàng)新企業(yè)的支持，國內(nèi)電子設備企業(yè)提升產(chǎn)品核心的需求都對MCU的發(fā)展有促進作用。3、由于手機半導體
2017-04-18 15:24:41
MCU的身影已廣泛出現(xiàn)在手機、PC外圍、汽車、工業(yè)等領域，但物聯(lián)網(wǎng)眾多的應用將會催生MCU更大的商機。不過，為了滿足物聯(lián)網(wǎng)智能家居、智能汽車、智能制造以及可穿戴設備、人工智能等眾多應用的需求，MCU
2019-07-17 06:10:50
科技總經(jīng)理徐英琳表示，目前DRAM市況，因在智能型手機及個人計算機等應用的市場高度成長，帶動DRAM需求強勁，市場確實普遍仍處缺貨狀態(tài)。不過，他認為，7月包括瑞晶、力晶（5346）及茂德（5387）等
2010-05-10 10:51:03
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個外部傳感器的物聯(lián)網(wǎng)設備日益增長的需求，其提供一個利用藍牙的擴展集線器功能的多功能通信環(huán)境。
2020-05-18 06:20:47
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口？
2021-05-08 09:19:15
嵌入式程序開發(fā)基本概念如何滿足嵌入式系統(tǒng)的靈活需求開發(fā)高效程序的技巧是什么
2021-04-28 06:07:27
如何去設計一種滿足安全／帶寬需求的車載網(wǎng)絡？
2021-05-13 06:11:57
開發(fā)一個鑰匙柜管理項目，市場上現(xiàn)有的不能滿足需求。要求實現(xiàn)對鑰匙的精準管理，不能使用鑰匙扣等輔助工具，因為用鑰匙扣上的鑰匙并不一定是你要管理的鑰匙，如果固定好了，鑰匙要取出不方便。尋找有實力的軟件開發(fā)商，硬件供應商共同合作。870087187@qq.com
2016-09-09 19:08:15
的比例。計算機市場對MLCC的需求熱點則主要集中在P4主板上。與P3主板相比，P4主板對MLCC的需求有了較大的變化，主要體現(xiàn)在： 1，使用數(shù)量增加。P3主板MLCC用量為347只，而在P4上則達到
2013-01-07 14:52:51
高級RF收發(fā)器滿足SDR應用的需求是什么？
2021-05-19 06:51:52
DRAM市場觸底，Q3出貨成長有望超過30%
市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費市場需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場報價在這半年
2009-08-17 09:47:14353 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場需求，DIGITIMES預估
2011-10-28 09:39:003382 AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設置HBCC主控，具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427 作為先進內(nèi)存技術(shù)的世界領導者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計算）、更先進的圖形處理、網(wǎng)絡系統(tǒng)和企業(yè)服務器等應用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:28784 Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認為是極限，因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項非常復雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:001535 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723 Stratix 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件，其特殊的體系結(jié)構(gòu)設計滿足了高性能系統(tǒng)對存儲器帶寬最嚴格的要求。
2018-08-16 11:15:001150 高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉(zhuǎn)發(fā)設備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4929981 封裝集成 DRAM象征著在高端 FPGA 應用存儲器帶寬發(fā)展方面邁出了一大步。HBM 集成在賽靈思業(yè)界領先的器件中， 指明了未來朝向多 Tb 存儲器帶寬發(fā)展的清晰方向，同時我們的加速強化技術(shù)將實現(xiàn)高效的異構(gòu)計算，滿足客戶極為苛刻的工作負載和應用需求。
2019-07-30 09:33:162562 據(jù)韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學習和虛擬現(xiàn)實將引領明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19432 產(chǎn)品價格已上漲，市場對DRAM的需求程度將有增無減，供需緊張的情況將延續(xù)好幾年。 美光指出，美光在中國臺灣地區(qū)的DRAM廠已開始量產(chǎn)采用全球最先進制程技術(shù)1α（1-alpha）生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品，首批產(chǎn)品是為著重運算需求之客戶提供DDR4、和適用消費性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品，此一里程碑會更鞏
2021-01-28 15:54:451874 出貨將會專供于人工智能領域。在AI/ML當中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:374378 算法和神經(jīng)網(wǎng)絡上，卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341391 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104 點擊藍字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓練、游戲和汽車應用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認為是一種
2021-11-01 14:30:506492 
不太能滿足日益增加的帶寬了。與此同時，在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中，HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍，為數(shù)據(jù)密集型應用提供了支持。
2022-03-31 11:42:232165 HBM2E標準的每個裸片的最大容量為2GB，每個堆?？梢苑胖?2層裸片，從而可實現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標準是允許的，但我們尚未看到市場上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376 由于傳統(tǒng)的HBM測試，電壓最高測試至8kV，但有些IC會更進行高電壓的測試，比如隔離器件、驅(qū)動器件等。季豐電子為了滿足客戶對于ESD HBM測試更高電壓的需求，更好地服務客戶，特引進了ES612，它的HBM測試電壓范圍更大，最高測試電壓可達到0~20kV。
2022-09-07 10:44:401884 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:251175 幾十年來，人們一直在談論要取代 DRAM，但事實證明，從市場的角度來看，DRAM 比任何人預期的都要更有彈性。在高帶寬內(nèi)存(HBM) 的 3D 配置中，它也被證明是一種極快、低功耗的選擇。
2022-09-26 09:46:003212 需要復雜的生產(chǎn)過程和高度先進的技術(shù)。人工智能服務的擴展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價格上漲了五倍?！?? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場處于領先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:444689 
據(jù)韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領域。
2023-06-27 17:13:03453 近日，HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預測，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預計將達到2.9億GB，同比增長約60%，2024年預計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702 
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685 
從技術(shù)上先來看，SK海力士是目前唯一實現(xiàn)HBM3量產(chǎn)的廠商，并向英偉達大量供貨，配置在英偉達高性能GPU H100之中，持續(xù)鞏固其市場領先地位。
2023-07-13 09:52:23945 
時任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設計實現(xiàn)存儲速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結(jié)構(gòu)設計，DRAM顆粒由“平房設計”改為“樓房設計”，所以HBM顯存能夠帶來遠遠超過當前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應用于高端PC市場，和英偉達（NVIDIA）展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24497 
三星計劃在天安工廠安裝該設備，增加hbm的出貨量。天安工廠是三星半導體后端工程生產(chǎn)基地。考慮到hbm是垂直連接多個dram而成的形態(tài)，三星為增加出貨量，需要更多的后端處理器。據(jù)報道，此次擴建的總投資額為1萬億韓元。
2023-07-14 10:05:27513 熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務 據(jù)報道，英偉達正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱，這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02404 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3，帶寬超過1.2TB/s，先進的1β制程節(jié)點提供卓越能效。 2023年7月27日，中國上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21489 
在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:18720 在人工智能（ai）時代引領世界市場的三星等公司將hbm應用在dram上，因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個dram芯片垂直堆積，可以適用于為ai處理而特別設計的圖像處理裝置（gpu）等機器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:50487 來源：半導體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗為基礎，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版
hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器
市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41541 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559 與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13461 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應HBM3。
2023-09-01 09:46:5140553 目前，hbm在整個dram市場中所占比重不到1%，但隨著人工智能和ai半導體市場的迅速增長，對hbm的需求正在增加。市場調(diào)查機構(gòu)預測說，到2023年全世界hbm需求將達到2.9億gb，比前一年增加60%，到2024年將增長30%。
2023-09-01 14:25:15474 長5%至91.28億美元，DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長11.9%至106.75億美元。 整體來看， 二季度全球存儲市場規(guī)模198.03億美元，環(huán)比增長9%，但不足去年同期的一半，同比下跌54%。 尤其在
2023-09-05 16:13:32317 
來源：EE Times 先進ASIC領導廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50250 
有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32400 封裝的新型內(nèi)存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計算芯片中，HBM芯粒通過硅轉(zhuǎn)接板與計算芯粒實現(xiàn)2.5D封裝互聯(lián)，具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術(shù)優(yōu)勢，可以滿足AI大模型高訪存的需求，成為當前高性能智能計算芯片最主要的技術(shù)路線，其中核心技術(shù)是計算芯粒與
2023-09-20 14:36:32664 ? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400 SK海力士稱，由于高性能半導體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲芯片（如DDR5和HBM）的需求持續(xù)增長，第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預期。在第四季度，DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品，如HBM3等。
2023-11-02 17:17:32599 HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢、應用和發(fā)展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343 據(jù)預測，進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業(yè)績明年將迅速恢復。部分人預測，三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
2023-11-14 11:50:57451 omdia首席研究員Jung Sung-kong表示：“dram產(chǎn)業(yè)正在充分享受生成式AI帶來的好處。今后dram產(chǎn)業(yè)的地形圖將發(fā)生巨大變化?！痹谏尚蚢i蓬勃發(fā)展的情況下，ai和機器學習技術(shù)將成為中長期牽引d內(nèi)存需求的要素，hbm市場目前正在顯示出較大的增長趨勢。
2023-11-24 11:29:32260 英偉達的圖形處理器（gpu）是高附加值產(chǎn)品，特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元（約4.65萬美元）。英偉達將在存儲半導體領域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營銷的領先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達供應hbm3，領先于三星電子。
2023-11-29 14:37:00504 當前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關(guān)鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術(shù)不斷演進，HBM將成為數(shù)據(jù)中心的標準配置，而以企業(yè)應用為重點場景的存儲卡供應商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:32215 
為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115 
作為業(yè)界領先的芯片和 IP 核供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06329 控制器產(chǎn)品，應對這一需求的到來。 ? Rambus?HBM3控制器 ? Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP可提供高
2023-12-13 15:33:48885 
據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02348 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預期DDR4價格將進一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術(shù)領域的領先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:0598 AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203 
這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21252 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24352 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
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