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1952年至今，閃存的“日記本”。
編譯來源：semianalysis
1952
- 麻省理工學院的Dudley Buck利用鐵電晶體創造了第一個半導體非揮發性存儲器。
1955
- 貝爾實驗室的Merz和Anderson創造了單片256位FRAM鐵電非易失性存儲器，這是第一個單片存儲器芯片。
1961
- 飛兆公司的C.T. "Tom" Sah設想在MOS四極管的柵極上使用電荷存儲的浮動柵NVM。
1965
- Dov Frohman-Bentchkowsky撰寫伯克利大學博士論文《MNOS結構中的電荷傳輸和捕獲及其存儲器應用》，并建立了一個9位的原型。
1966
- 西屋公司的Edgar A. Sack、Ting L. Chu等人使用金屬氮化物-硅（MNOS）結構作為電荷捕獲元件。
1967
- Dawon Kahng和Simon Sze在貝爾實驗室發明了非易失性存儲器浮動門；這篇文章以 "浮動門及其在存儲器設備中的應用"（貝爾系統技術雜志）發表。
- 西屋公司的John R. Szedon和Ting L. Chu在IEEE固態設備研究會議上提出使用電荷陷阱作為非易失性存儲器位的建議。
1968
- Stanford R. Ovshinsky宣布了Ovonic內存開關，這是英特爾和美光在2015年宣布的3D XPoint內存的基礎，后來英特爾將其產品化為Optane。
1970
- Dov Frohman-Bentchkowsky在英特爾公司發明了可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）；這在1971年IEEE固態設備研究會議（ISSCC）上發表，并在1971年4月以 "浮動門雪崩注入MOS（FAMOS）結構中的存儲器行為 "發表。
- 在與斯坦福大學R.Ovshinsky合作之后，英特爾的Gordon Moore為《電子雜志》撰寫了一篇關于相變存儲器的首次演示的文章，這是英特爾和美光在2015年宣布的3D XPoint所使用的NVM技術，并由英特爾作為Optane進行生產。
1972
- 東芝公司的Iizuka和Masuoka等人在國際固態設備和材料會議上介紹了第一個具有浮動門電擦除功能的雙層多晶硅存儲器，即疊層門雪崩注入型MOS（SAMOS）存儲器。
1974
- 通用儀器公司出貨的EAROM是第一個商業EEPROM。
1975
- 日立公司為NAND型MROM申請專利。
- 伊士曼柯達公司發明的便攜式數碼相機，在磁帶上存儲數字圖像。
1976
- 當時休斯微電子公司的Eli Harari為第一個實用的浮動門EEPROM申請專利，該EEPROM使用薄二氧化硅和Fowler-Nordheim隧道進行編程和擦除。
1977
- Eli Harari，發表了 "熱硅氧烷高應力薄膜中的電子傳導和捕獲"。
- 飛兆半導體的P.C.Y Chen在IEEE Transactions on Electron Devices上介紹了SONOS電荷陷阱NVM單元。
- 德州儀器公司的Gerald Rogers獲得專利，其掩膜ROM被配置為NAND陣列以減少芯片面積和成本。
1978
- Eli Harari發表了 "Dielectric Breakdown in Electrically Stressed Thin Films of Thermal SiO2"。
- 休斯微電子公司在IEEE ISSCC上推出第一個采用Fowler Nordheim浮動門EEPROM的CMOS NOVRAM 256位芯片（非揮發性SRAM）。
- 喬治-佩雷戈斯設計的Intel 2816在1980年推出，成為第一個商業上成功的EEPROM。
1979
- 美國電氣和電子工程師協會（IEEE）《固態電路》雜志發表了德州儀器公司Guterman、Rinawi、Chieu、Holvorson和McElroy的論文，題為 "使用浮動門結構的電可改變的非Volatiles存儲單元"。
1980
- 休斯微電子公司推出3108，第一個采用福勒諾德海姆隧道技術的CMOS EEPROM 8Kb芯片
- 英特爾在IEEE ISSCC上推出了2816，這是一款16Kb的HMOS EEPROM，采用了Fowler-Nordheim隧道的FLOTX（浮動門隧道氧化物）結構。
- 富士通為日立1975年MROM的改進申請專利
1981
- 英國科學家和發明家凱恩-克雷默設計了第一個基于磁泡記憶芯片的數字音頻播放器（IXI）。
1982
- SEEQ技術公司推出了第一款5213，第一款帶有片上電荷泵的EEPROM，用于系統內的寫入和擦除，這是所有閃存器件中使用的一項發明。
- Ramtron推出首款商用FRAM非易失性存儲器。
1983
- 英特爾推出了2817A 16Kb EEPROM。
1984
- 東芝的Fujio Masuoka在舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上發表了第一篇描述閃存EEPROM的論文。
- 英特爾開始開發閃存工藝。
- 喬治-佩雷戈斯創立了ATMEL（內存和邏輯的先進技術）。
1985
- Exel公司為第一個NOR FLASH單元申請專利
- NEC的北村申請首個MLC（多級單元）EPROM專利
1986
- 英特爾推出的帶有ECC和卡上控制器的閃存卡概念
- 英特爾成立專注于固態硬盤的部門。
- RCA的R. Stewart在IEEE VLSI研討會上發表了第一篇關于NAND配置的UV-EPROM的論文。
1987
- 閃存芯片年收入達到160萬美元。
- 東芝的Fujio Masuoka發表了IEEE IEDM關于NAND閃存的論文。
- 英特爾推出了NOR閃存芯片。
1988
- 閃存芯片年收入達到640萬美元。
- Sundisk（閃迪）由Eli Harari創立，開發新的 "系統閃存 "架構，將嵌入式控制器、固件和閃存結合起來，模擬磁盤存儲，并申請第一個MLC（多級單元）閃存專利。
- 英特爾的第一個閃存樣品為1Mb NOR芯片。英特爾的設計團隊Richard Pashlet, Stefan Lai, Bruce McCormic和Niles Kynett。
- 英特爾和Psion設計基于閃存的移動PC。
- 第一臺基于閃光燈的數碼相機，富士DS-1P，展示。
- 使用150毫米的晶圓。
1989
- 閃存芯片年收入達到25600000美元。
- SunDisk（閃迪）為 "系統閃存 "申請專利，描述了片上單元管理。
- M-Systems由Dov Moran和Aryeh Mergi創立，并引入了閃存盤概念（閃存SSD的前身）。
- 英特爾提供512Kb和1Mb的NOR閃存。
- 推出基于閃存的Psion PC。
- 微軟在與英特爾的共同努力下推出了Flash文件系統。
- DigiPro在Comdex上推出8MB NOR閃存盤。
- 西部數據和SunDisk率先推出基于NOR的SSD，完全模擬ATA硬盤。
- PC存儲卡國際協會（PCMCIA）成立。
- Silicon Storage Technology（SST）公司成立，生產與CMOS邏輯工藝兼容的NOR超級閃存。
1990
- 閃存芯片年收入達到100000000美元。
- 索尼推出了使用閃存電子閱讀器。
- 展示的柯達基于閃光燈的相機原型。
- PCMCIA為ATA PC卡的形式因素和引腳設置了標準，使用SunDisk的 "系統閃存 "規范以實現對硬盤的完全兼容。
- 英特爾1MB和4MB線性閃存PCMCIA卡問世。
- 英特爾推出2Mb NOR芯片。
- SunDisk公司推出2Mb NOR芯片。
- SunDisk推出首款NOR閃存固態硬盤：20MB 2.5"，完全兼容conner外圍的2.5 "ATA硬盤。
- 東芝驗證了NAND閃存芯片的運行，并開始4Mb和16Mb NAND閃存芯片的開發。
1991
- 閃存芯片年收入達到170000000美元。
- 柯達推出DCS-100，它的第一臺DCS，售價13000美元。
- Zenith、Poqet和HP公司在春季Comdex上展示的使用閃存卡的掌上電腦。
1992
- 閃存芯片年收入達到295000000美元。
- 東芝出貨首批大規模生產的NAND閃存芯片（4Mb）。
- 信息存儲設備公司推出了基于閃存的語音記錄器芯片。
- 富士通推出其第一個NOR產品。
- M-Systems推出了TrueFSS，第一個閃存卡FTL；后來被PCMCIA采用。
- 英特爾推出第二代FFS2。
- 英特爾推出了8Mb NOR閃存芯片和4MB-20MB的線性閃存卡。
- 英特爾推出了1Mb的 "引導塊 "NOR閃存，其中有用于BIOS應用的扇區--首次使用內部寫狀態機來管理閃存寫入算法。
- SunDisk推出首個用于SSD應用的串行9Mb NOR閃存芯片。
- PC開始使用閃存進行BIOS存儲
- 聯合攝影專家組發布了JPEG標準，使數碼相機能夠使用閃存等媒介存儲壓縮的照片。
1993
- 閃存芯片的年收入達到505000000美元。
- 東芝出貨的16Mb NAND閃存芯片，通過第一批PCMCIA卡實現了便攜式存儲。
- Datalight公司推出了 "Card Trick "閃存管理軟件。
- 蘋果公司推出了基于NOR閃存的Newton PDA。
- 英特爾推出16Mb和32Mb NOR閃存。
- 英特爾和Conner Peripherals公司推出聯合開發的5MB/10MB ATA閃存盤驅動器。
- AMD推出使用負柵極擦除的純5伏NOR。
1994
- 閃存芯片年收入達到864805000美元。
- SunDisk公司推出了CompactFlash卡。
- 諾里斯通信公司推出了Flashback，這是第一個帶有閃存的便攜式數字語音記錄儀。
- 公布了0.5微米的工藝。
- SunDisk推出用于SSD應用的18Mb串行NOR閃存芯片。
- M-Systems公司推出了基于NOR的片上磁盤。
1995
- 閃存芯片年收入達到1860089000美元。
- 閃存（NOR和NAND）收入超過10億美元。
- 卡西歐推出QV-11數碼相機，使用閃光燈而不是膠片或軟盤。
- 三菱公司推出了DiNOR。
- SunDisk更名為SanDisk。
- 緊湊型閃存協會（CFA）成立。
1996
- 閃存芯片年收入達到2610603000美元。
- 東芝推出SmartMedia存儲卡（也叫固態軟盤卡）。
- 三星開始運送NAND閃存。
- 柯達DC-25是第一臺帶有CompactFlash卡的DSC。
- Datalight推出了 "FlashFX "閃存管理軟件，該軟件在單個驅動器中支持NOR和NAND。
- 閃迪公司在緊湊型閃存（CF）卡中推出了世界上第一個MLC（2比特/單元）閃存芯片（80Mb）。
- Palm推出了基于閃存的PDA。
- 公布了0.35微米的工藝。
- Lexar Media從Cirrus Logic分拆出來。
- USB協會（USBA）成立。
1997
- 閃存芯片年收入達到2801678000美元。
- 5億個閃存芯片出貨。
- SaeHan信息系統公司推出了基于閃存的MPMan MP3播放器。
- Sandisk和西門子推出多媒體卡（MMC和MMCplus）。
- 索尼推出了記憶棒。
- 第一批手機出貨時帶有閃存。
- M-Systems推出了基于NAND的片上磁盤。
- 200毫米晶圓開始生產。
- 閃迪公司開始在其CompactFlash（CF）卡中使用256Mb MLC閃存芯片
- 英特爾推出2位/單元64Mb MLC StrataFlash芯片。
- 閃迪公司和西門子推出的多媒體卡（MMC）。
- 閃迪公司開始從NOR閃存過渡到NAND閃存。
1998
- 閃存芯片年收入達到2492552000美元。
- NOR的收入超過20億美元。
- 250納米工藝公布。
- SaeHan信息系統公司和被許可人Eiger公司推出了第一款大規模生產的32MB的MP3播放器（MPMan）。
- Diamond Rio推出PMP300 MP3播放器。
- 多媒體卡協會由14家公司成立。
- 蘋果公司推出的iMac沒有軟盤但有USB，鼓勵基于USB的外部存儲。
- USB實施論壇首次發布了USB大容量存儲類規范（1999年定稿），以規范USB存儲。
1999
- 閃存芯片年收入達到4560493000美元。
- NOR的收入超過40億美元。
- 超過10億的閃存芯片出貨。
- 東芝和閃迪創建閃存制造合資企業。
- 美光公司宣布推出NOR產品。
- Hagiwara Sys-Com公司開始出貨FlashGate，一種USB智能媒體閃存卡驅動器。
- Dov Moran是M-Systems公司申請的USB閃存驅動器專利的共同發明人。
- Lexar Media推出CompactFlash轉USB的JumpSHOT。
- 松下（Matsushita）、SanDisk和東芝推出SD存儲卡。
2000
- 閃存芯片年收入達到10637231000美元。
- M-Systems（與IBM合作）和Trek Technology推出USB閃存驅動器。
- 英特爾交付其第10億個閃存單元。
- 宣布160納米工藝節點。
- 松下、Sandisk和東芝成立了SD協會，以規范和推廣安全數字存儲卡（SD卡）。
- 基于SLC NAND的SD卡以8MB到64MB的容量推出。
2001
- 閃存芯片年收入達到7594502萬美元。
- NAND的收入超過10億美元。
- 東芝和SanDisk宣布了1Gb MLC NAND。
- 閃迪公司推出首款NAND "系統閃存 "產品。
- 日立推出AG-AND。
- 三星開始大規模生產512Mb閃存設備。
- Saifun開發了帶有電荷陷阱的NROM閃存器件，這是Spansion的MirrorBit的基礎。
2002
- 閃存芯片年收入達到7766797000美元。
- 奧林巴斯和富士膠片推出xD-Picture卡。
- 由MMCA（多媒體卡協會）推出的MMCmobile卡。
- 索尼和閃迪聯合推出Memory Stick PRO和半尺寸Memory Stick PRO Duo卡。
- M-Systems推出了移動芯片磁盤，這是第一個芯片中的固態硬盤；它被諾基亞、摩托羅拉和愛立信的手機所采用。
- AMD推出MirrorBit，使用基于熱電子注入的電荷陷阱閃存。
- 賽普拉斯推出可編程片上系統（PSoC），首次采用基于量子力學隧道的電荷陷阱閃存的嵌入式SONOS。
- 宣布采用130納米工藝。
2003
- 閃存芯片年收入達到11739282000美元。
- NAND的收入超過50億美元。
- 閃迪公司推出迷你SD卡。
- 索尼和閃迪聯合推出Memory Stick PRO Micro。
- Spansion從AMD和富士通中剝離出來。
- 三星在IEEE IEDM上介紹了TaNOS結構，這項技術后來被用于3D NAND。
2004
- 閃存芯片年收入達到15610575000美元。
- NAND價格下降到DRAM價格以下。
- SanDisk和M-Systems推出的U3軟件系統用于USB閃存驅動器。
- 閃迪和摩托羅拉推出TransFlash卡，即現在的microSD卡。
- Datalight推出了多線程的 "FlashFX Pro "管理軟件，以支持多媒體NAND設備。
- Spansion宣布MirrorBit Quad 4-bit NOR。
- 90納米工藝公布。
- 海力士和意法半導體成立閃存合資企業。
- 海力士NAND產品問世。
- 英飛凌推出基于Saifun Charge Trap閃存的NAND產品。
- 松下和三洋推出首款基于閃存的攝像機。
- 閃迪公司推出閃存Sansa MP3播放器。
- 飛思卡爾公司（后來的Everspin公司）推出第一個商用MRAM非易失性存儲器。
- 惠普公司的Pankaj Megra和Sam Fineberg在IEEE計算機協會的第18屆IPDPS上發表了持久性內存論文。
2005
- 閃存芯片年收入達到18568940000美元。
- NAND GB的出貨量超過了DRAM的出貨量。
- 蘋果公司推出了首批兩款基于閃存的iPod，即iPod shuffle和iPod nano。
- 微軟推出混合硬盤驅動器概念。
- 由MMCA推出的MMCmicro卡。
- 宣布采用70納米工藝。
- 美光公司推出NAND產品。
- 閃存芯片的出貨量超過30億。
- NAND的收入超過100億美元。
2006
- 閃存芯片年收入達到20076313000美元。
- 首屆閃存峰會在圣何塞舉行。
- 英特爾推出了羅布森緩存內存（現在稱為渦輪內存）。
- 微軟推出了ReadyBoost。
- 閃迪公司宣布推出3位TLC NAND技術。
- M-Systems宣布推出4位QLC技術。
- 閃迪公司宣布推出microSDHC卡。
- 閃迪公司收購了Matrix半導體公司。
- 閃迪收購了M-Systems公司。
- 三星和希捷展示首款混合型硬盤驅動器。
- 由英特爾和美光組建的IMFT負責生產NAND閃存。
- STEC收購了Gnutech。
- Spansion推出ORNAND閃存。
- 宣布采用56納米工藝。
- 300毫米晶圓開始生產。
- 美光公司收購Lexar媒體。
- Numonyx和三星推出相變NVM
2007
- 閃存芯片年收入達到22182405000美元。
- NAND的收入超過145億美元。
- 非易失性存儲器主機控制器接口（NVMHCI）工作組成立，英特爾的Amber Huffman擔任主席。
- 東芝推出eMMC NAND。
- IMFT開始出貨50納米NAND閃存。
- 東芝推出首款基于MLC SATA的固態硬盤。
- 蘋果公司推出了iPhone。
- Fusion-io宣布推出640GB ioDrive MLC NAND-based PCIe X4板。
- BiTMICRO推出容量為1.6TB的3.5英寸SSD（用于軍事應用）。
- Spansion收購了Saifun。
- 推出的幾款筆記本MLC固態硬盤，存儲量高達128GB。
- 戴爾為筆記本電腦型號引入了固態硬盤選項。
- 200美元以下的上網本電腦推出了閃存存儲功能。
- 微軟推出了基于閃存的Zune播放器。
- 希捷公司宣布成立混合存儲聯盟。
- 希捷推出首款混合型HHD，Momentus PSD。
- MMCA/JEDEC e.MMC規格發布
- 東芝在IEEE VLSI研討會上展示3D閃存BiCS存儲器。
2008
- 閃存芯片年收入達到18435970000美元。
- 英特爾發布的NVMHCI 1.0規范。
- 閃迪推出ABL，實現高速MLC、TLC和X4 NAND。
- 英特爾和美光宣布的34納米工藝。
- 東芝推出首款基于MLC的512GB SATA固態硬盤。
- 英特爾和意法半導體拆分Numonyx。
- IBM展示了首個 "百萬IOPS "陣列。
- EMC宣布將基于閃存的SSD用于企業SAN應用。
- 蘋果推出基于SSD的MacBook Air，沒有HDD選項。
- 美光、三星和Sun Microsystems宣布推出高耐久性閃存。
- Violin Memory推出首個完全基于閃存的存儲設備。
- 三星宣布推出150GB 2.5 "MLC固態硬盤，采用SATA II接口。
- 一些公司宣布為筆記本應用提供高達256GB的MLC閃存固態硬盤。
- 美光公司推出首款串行NAND閃存。
- 蘋果在3天內賣出100萬部基于閃存的iPhone。
- MMCA并入JEDEC。
- SNIA固態存儲倡議（SSSI）成立。
- HGST發布首款采用SAS接口的固態硬盤。
2009
- 閃存芯片年收入達到19302693000美元。
- 英特爾和美光推出34納米TLC NAND。
- 三星推出首款配備64GB SSD的全高清攝像機。
- 希捷進入SSD市場。
- SandForce推出首個基于壓縮的SSD控制器。
- Virident和Schooner推出首個基于閃存的數據中心應用設備。
- Pillar Data將Axiom SAN轉換為SSD。
- Pliant推出首款SAS固態硬盤。
- 閃迪和東芝在IEEE ISSCC上展示4位/單元的閃存。
- WD收購SiliconSystems并進入SSD業務。
- NVELO推出首個PC閃存緩存軟件 "Dataplex"。
- 閃迪推出100年閃存庫。
- AgigA推出NAND支持的DIMM。
2010
- 閃存芯片的年收入達到26734247000美元。
- 東芝推出基于16芯片堆棧的128GB SD卡。
- 英特爾、美光推出25納米TLC和MLC NAND。
- Numonyx被Micron收購。
- Microchip收購SST。
- 三星電子開始生產64Gb的3位NAND。
- 三星電子推出利用切換模式DDR NAND內存的高速512GB SSD。
- 希捷發布首款自我管理的混合硬盤Momentus XT，配備4GB NAND閃存和500GB硬盤存儲。
- 通用閃存協會（UFSA）成立。
- JEDEC發布了兩項固態硬盤的規格。"SSD要求和耐久性測試方法 "和 "SSD耐久性工作負載"。
2011
- 閃存芯片年收入達到28123615000美元。
- LSI收購了SandForce。
- 閃迪收購了Pliant。
- IMFT推出20納米NAND閃存。
- 英特爾宣布為PC提供智能響應SSD緩存。
- 希捷發布第二代Momentus XT混合硬盤，配備8GB NAND閃存和750GB硬盤存儲。
- 蘋果公司收購了信號處理控制器公司Anobit。
- Fusion-io收購了虛擬化感知的閃存緩存軟件公司IO Turbine。
- NVMHCI更名為 "NVM Express"（NVMe），NVM Express工作組成立；NVMe Rev.1.0出版。
- JEDEC發布首個通用閃存（UFS）規范。
- SNIA發布了兩個固態存儲性能規范。企業和客戶。
- JEDEC發布了串行閃存可發現參數（SFDP）規范。
- 英特爾1988年的NOR閃存設計團隊Richard Pashley、Stefan Lai、Bruce McCormick和Niles Kynett獲得第一個FMS終身成就獎。
2012
- 閃存芯片年收入達到28213759000美元。
- 閃迪和東芝在IEEE ISSCC上宣布采用19納米工藝生產128Gb芯片。
- 超極本開始配備智能響應技術（SRT）的SSD緩存。
- 旺宏和華邦進入NAND業務。
- 希捷公司推出了混合硬盤（HDD），將閃存與HDD配對。
- 爾必達推出ReRAM。
- 美光和英特爾推出20納米的128Gb NAND芯片，使用hi-k平面單元。
- SK hynix是在SK電信收購海力士半導體的控股權后成立的。
- MOSAID對333GB/s的HL-NAND進行了采樣。
- Adesto收購了ATMEL的串行NOR業務。
- Spansion推出8Gb NOR芯片。
- DensBits Technologies公司推出了內存調制器。
- Proximal Data引入了AutoCache。
- 閃迪收購了FlashSoft。
- EMC收購了XtremIO。
- OCZ收購了Sanrad公司。
- 三星收購了NVELO。
- 英特爾收購了Nevex并推出了CacheWorks。
- LSI推出了帶有MegaRAID CacheCade緩存軟件的Nytro閃存。
- 美光公司推出2.5英寸PCIe企業級固態硬盤。
- IBM收購了Texas Memory Systems。
- 賽普拉斯半導體公司收購了Ramtron公司。
- 西部數據收購了HGST。
- Skyera推出44TB閃存陣列。
- JEDEC和ONFi引入了切換模式。
- 閃迪公司創始人Eli Harari獲得FMS終身成就獎
2013
- 閃存芯片年收入達到29797262000美元。
- 三星在FMS上宣布推出24層3D V-NAND，并在1TB的SSD中進行演示。
- 11家公司參加了首屆NVMe Plugfest。
- Diablo Technologies宣布推出內存通道存儲技術。
- SMART存儲系統公司將Diablo Technologies的設計納入ULLtraDIMM。
- SNIA NVDIMM SIG成立；許多基于閃存的NVDIMM產品推出。
- 西部數據和閃迪推出了使用iSSD與硬盤驅動器相結合的SSHD。
- 東芝推出固態硬盤系列。
- Everspin Technologies宣布STT MRAM的出貨量。
- 美光和其他公司對16納米閃存進行采樣。
- 閃迪發布CFast 2.0專業視頻存儲卡。
- M.2 PCIe接口正式確定。
- 西部數據收購了sTec、Virident、Velobit。
- 閃迪公司收購SMART存儲系統。
- NVMdurance推出了延長閃存耐用性的軟件。
- 美光收購了爾必達。
- 英特爾推出了英特爾緩存加速軟件。
- 東芝的第一批UFS設備采樣為8GB。
- 松下在MCU中推出首個商用嵌入式ReRAM。
- 阿德斯托推出Mavriq CBRAM：第一個商業獨立的ReRAM。
- SNIA發布了NVM編程模型V1.0。
- 原東芝公司的Fujio Masuoka獲得FMS終身成就獎
2014
- 閃存芯片年收入達到30236484000美元。
- 三星、閃迪和東芝宣布建立3D NAND生產設施。
- 閃迪推出4TB企業級固態硬盤。
- 閃迪宣布推出128GB microSD卡，在設備十周年之際將容量增加1000倍。
- IBM宣布eXFlash DIMMs使用SanDisk ULLtraDIMM的Diablo內存通道存儲技術的實現。
- 三星推出具有32層的第二代3D V-NAND。
- Spansion推出具有333 MB/s HyperBus的HyperFlash NOR。
- 東芝收購了OCZ。
- Everspin推出ST-MRAM并加大生產力度。
- 三星推出3位/單元的3D NAND固態硬盤。
- 阿德斯托運送第100萬個CBRAM。
- SK hynix收購了Violin Memory的PCIe SSD業務。
- 希捷收購LSI/Avago存儲業務。
- 閃迪收購了Fusion-io。
- HGST收購了Skyera。
- 三星收購了Proximal Data。
- 前貝爾實驗室的Simon Sze獲得FMS終身成就獎
2015
- 閃存芯片年收入達到31053183000美元。
- 閃迪公司推出InfiniFlash存儲系統。
- 賽普拉斯半導體公司收購了Spansion公司。
- 東芝、三星和閃迪宣布推出48層的3D NAND。
- 英特爾和美光宣布推出256Gb 3D NAND。
- 三星推出首款NVMe m.2固態硬盤。
- 閃迪推出200GB microSDXC UHS-1卡。
- 賽普拉斯推出了4MB的串行FRAM。
- 英特爾和美光宣布3D XPoint內存。
- 英特爾宣布推出基于3D XPoint的 "Optane "DIMMs和SSDs。
- 美光公司推出帶有CMOS下3D NAND陣列（CUA）的設備。
- 閃迪推出200GB microSD卡。
- Mellanox和合作伙伴展示了預標準的NVMe over Fabrics（NVMe-oF）。
- 純粹存儲有IPO。
- JEDEC發布首個DDR4 NVDIMM-N持久性內存模塊規范。
- Linux內核中增加了對LightNVM和OpenChannel SSD的支持。
- 閃存峰會十周年 鮑勃-諾曼，前SanDisk和Micron的員工，獲得FMS終身成就獎。
2016
- 閃存芯片年收入達到33423128000美元。
- 所有主要的供應商都有3D NAND產品。
- XMC在中國擁有的第一個NAND閃存實驗室破土動工。
- 美光公司推出768Gb 3D NAND。
- 西部數據收購了閃迪公司。
- Everspin宣布推出256Mb MRAM芯片。
- IBM將TLC適應于PCM。
- 三星推出48層3D NAND。
- NVMe-oF（NVM Express over Fabrics）Rev.1.0發布。
- 至少有12家供應商展示的NVMe-oF產品。
- 東芝在16片堆棧式NAND中引入了硅通孔（TSV）。
- Spin Transfer Technologies公司提供功能齊全的ST-MRAM樣品。
- 美光公司推出Xccela聯盟。
- 東芝推出業界首款NVMe BGA "芯片上的SSD"。
- 西部數據展示了世界上第一個1TB SDXC卡的原型。
- Adesto推出基于CBRAM的Moneta系列ReRAM。
- SFF委員會成為SNIA SFF技術聯盟。
- 三星公司系統LSI/半導體業務總裁Kinam Kim獲得FMS終身成就獎
2017
- 閃存芯片年收入達到497.27億美元。
- 閃存市場超過了整個1990年半導體市場的規模。
- 微芯科技發布了其第75億個基于SST的超級閃存器件。
- SK hynix宣布推出72層3D NAND。
- 東芝將所有新的SSD遷移到64層BiCS FLASH TLC。
- 英特爾推出Optane（3D XPoint）固態硬盤。
- 英特爾的 "統治者標準 "捐贈給企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF）工作組。
- HPE收購了Nimble Storage和Simplivity。
- 美光公司推出首款串疊式3D NAND。
- 三星和東芝/WD宣布96層3D NAND。
- NGD系統推出NVMe 24TB計算存儲設備（CSD）。
- Everspin的1Gb STT MRAM芯片樣品。
- Global Foundries推出嵌入式eMRAM。
- WD在64層3D NAND上開發TLC。
- JEDEC和SNIA為NVDIMM-N標準贏得FMS獎。
- ScaleFlux是第一個部署符合生產條件的計算存儲的公司。
- Eli Harari（2012年和2022年FMS終身成就獎獲得者）入選國家發明家名人堂。
- 曾在英特爾、SEEQ和ATMEL工作的George Perlegos獲得FMS終身成就獎。
2018
- 閃存芯片年收入達到562.27億美元。
- 賽普拉斯推出16Mb FRAMs。
- 東芝完成了180億美元的內存業務出售。
- 三星推出高速Z-SSD。
- 美光推出使用QLC和1Tb 3D NAND芯片的企業級SSD。
- Hyperstone推出具有AI和機器學習功能的閃存控制器。
- 英特爾樣品Optane（3D XPoint）直流持久性存儲器。
- 中國的 "大基金 "第二階段的目標是超過300億美元的半導體投資。
- NVMe/TCP Transport Binding規范由NVMe工作組批準。
- SNIA成立了計算存儲技術工作小組（TWG）。
- Gyrfalcon科技公司推出AI加速器，首次使用臺積電的eMRAM。
- SNIA發布了固態存儲和真實世界存儲工作負載的性能規格。
- M-Systems的聯合創始人Dov Moran和Aryeh Mergi獲得FMS終身成就獎。
2019
- 閃存芯片年收入達到41141000000美元。
- 所有主要供應商都出貨或提供96層NAND樣品；SK海力士、三星和美光提供128層NAND樣品。
- 所有領先的代工廠都生產嵌入式MRAM（eMRAM）。
- Lightbits實驗室推出首個商用NVMe/TCP軟件定義的分解存儲。
- YMTC提供32層 "Xtacking "NAND的樣品。
- 英特爾推出Optane（3D XPoint）DIMMs。
- 美光公司推出業界首款QLC企業級固態硬盤。
- 英特爾的固態硬盤同時配備了Optane（3D XPoint）和QLC NAND。
- 開放通道SSD開始向NVMe分區命名空間（ZNS）過渡 。
- 引入Computer Express Link (CXL)，并發布Spec V1.1。
- NGD系統公司推出了業界首個基于ASIC的可擴展計算存儲NVMe SSD。
- Eideticom推出首款基于NVM的計算存儲處理器。
- SNIA發布密鑰值存儲API V1.0，并獲得FMS獎。
- 東芝內存成為KIOXIA。
- Phison和AMD推出首個PCIe 4.0 x4 NVMe SSD和主板解決方案。
- IBM的Calline Sanchez獲得FMS的 "閃光女性 "獎。
- 美光公司的Sanjay Mehrotra，以及英特爾、SEEQ、IDT、ATMEL、SanDisk和WD的前任，獲得了FMS終身成就獎。
2020
- 閃存芯片年收入達到507.14億美元。
- WDC將112層BiCS 3D NAND作為512 Gbit TLC部件發貨。
- KIOXIA推出首款密度為512GB的汽車UFS。
- Lightbits Labs推出首個集群、冗余、擴展的NVMe/TCP軟件解決方案。
- 英飛凌收購賽普拉斯半導體。
- KIOXIA收購了LiteOn。
- NVMe ZNS命令集規范V1.0發布。
- NVMe計算存儲任務組成立。
- 開放計算項目（OCP）發布了NVMe云計算SSD規范V1.0：第一個云計算SSD要求規范。
- JEDEC發布了DDR5 SDRAM標準和通用閃存（UFS）卡擴展3.0標準。
- JEDEC發布首個DDR4 NVDIMM-P持久性內存模塊規范。
- SNIA發布了Native NVMe-oF和Cloud Data Mgmnt的規范。接口(CDMI)。
- KIXOIA推出首款PCIe 4.0企業級NVMe SSD。
- Dialog半導體公司收購了Adesto技術公司。
- DNA數據存儲聯盟啟動。
- WekaIO的Barbara Murphy獲得了FMS的 "超級女性閃光獎"。
- 原西屋公司的John R. Szedon獲得FMS終身成就獎。
2021
- 閃存芯片年收入達到604.81億美元。
- NOR的收入超過36億美元。
- Kioxia和WDC宣布了162層的3D NAND。
- 三星宣布首個基于DDR5的CXL上運行的DRAM內存。
- JEDEC發布了XFM（交叉型閃存）嵌入式和可移動存儲設備標準。
- SK海力士開始收購英特爾的NAND和SSD業務，將被打造成Solidigm品牌。
- Nvidia推出了GPUDirect Storage（GDS），提供了一個直接的NVM到GPU的數據路徑。
- 僑興和三星宣布了PCIe 5.0 x4企業級NVMe SSD。
- 瑞薩公司收購了Dialog半導體公司。
- NVMe 2.0標準作為一套9個規格發布：基礎、3個cmd.集、4個傳輸和管理I/F。
- SK海力士開始大規模生產176層的 "4D "NAND。
2022
- 閃存芯片年收入達到725.77億美元。
- NAND閃存誕生35周年。
- 英特爾結束了他們的Optane努力。
- PCI-SIG發布PCIe 6.0規范。
- 通用芯片互連快遞（UCIe）1.0規格發布，實現芯片間互連的標準化
- JEDEC發布了高帶寬內存（HBM）DRAM標準的HBM3更新。
- 美光推出首款176層QLC 3D NAND，并宣布推出232層TLC 3D NAND。
- SK Hynix宣布推出238層TLC 3D NAND。
- YMTC宣布推出超過200層的TLD 3D NAND。
- Lightbits Labs推出首個集群式NVMe/TCP軟件定義的公共云存儲解決方案。
- 西部數據公司的李艷獲得了FM超級女性閃存獎。
- 北村吉重（原NEC）、Sandisk創始人Eli Harari和Greg Atwood（原Inte、Numonyx和Micron）獲得FMS終身成就獎
編輯：黃飛
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工商網監
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