眾所周知，一顆存儲芯片的性能提升主要取決于主控芯片及其固件算法優(yōu)化；存儲芯片容量的提升一方面取決于單顆Die存儲密度的不斷增大（如2D NAND到3D NAND的升級跨越），另一方面還依賴于超薄Die、疊Die等核心封裝工藝。在以“高性能、小尺寸、低功耗”為追求目標的嵌入式存儲芯片中，eMCP/ePOP芯片從誕生到量產(chǎn)則集中展現(xiàn)了廠商的核心研發(fā)能力及封測制造等優(yōu)勢。佰維存儲作為國內(nèi)少數(shù)具備存儲器研發(fā)設計、封測制造、品牌運營一體化能力的企業(yè)，近年來持續(xù)推出eMCP/ePOP系列高效能集成存儲解決方案，助力智能手機、智能穿戴等小型智能終端應用小而美。

兼具小尺寸、高性能和成本優(yōu)勢

最高容量可達256GB（NAND）、64Gb（DRAM）

佰維eMCP整合高性能主控和NANDFlash晶片，增強了NAND Flash、DRAM與SoC之間的通信能力，提高芯片整體性能，同時最大可提供256GB+64Gb的容量存儲空間，在更好地控制成本的基礎上，實現(xiàn)小體積內(nèi)的更高性能與更大容量。

以佰維eMCP MG系列為例，其采用SiP先進封裝技術——FBGA254、超薄Die堆疊封裝工藝，將eMMC與LPDDR整合封裝后，芯片平面尺寸為11.5mm × 13mm ，厚度薄至0.90mm，減少存儲設備及內(nèi)存組件的占用空間，釋放PCB空間40%~60%，使智能手機、掌上游戲機、可穿戴設備、平板電腦等智能設備更為輕薄化。MG系列的順序讀寫速度分別高達300MB/s、150MB/s，LPDDR支持頻率最高為2133MHz，休眠功耗低至2.8mW。

嚴苛測試+多平臺驗證

高品質(zhì)助力客戶產(chǎn)品競爭力

佰維擁有深圳市3D立體封裝技術工程實驗室，并設立囊括設計仿真、系統(tǒng)驗證、信號分析、可靠性試驗等模塊的存儲器創(chuàng)新實驗室，可實時針對eMCP/ePOP開展eMMC測試、DRAM速度測試、功能測試等環(huán)節(jié)，充分為產(chǎn)品可靠性、一致性及高耐用性等維度保駕護航。

在平臺驗證方面，佰維與國內(nèi)外主流SOC平臺廠商建立了密切的合作與溝通，主要產(chǎn)品已進入高通、聯(lián)發(fā)科、展銳、瑞芯微等SoC 芯片及系統(tǒng)平臺廠商的合格供應商名錄，便于終端品牌商或ODM客戶對于佰維可靠、質(zhì)優(yōu)的存儲芯片進行選型。

聚焦智能終端設備的核心訴求

獲手機和智能穿戴大廠信賴

客戶端支持上，佰維通過自身積累的多晶圓堆疊封裝等技術，結合先進的存儲器測試生產(chǎn)設備，從而滿足公司高標準的質(zhì)量控制和產(chǎn)品可靠性要求；采用大批量的原材料采購策略，積極采用先進制造技術并自主開發(fā)了一系列的大批量、大規(guī)模的測試生產(chǎn)設備，為客戶提供具有競爭力的價格支持；在導入設計階段，佰維為客戶提供實時的FAE技術支持，通過自有存儲器創(chuàng)新實驗室進行失效性分析等，保障存儲產(chǎn)品匹配客戶端應用與量產(chǎn)。目前，佰維eMCP、ePOP產(chǎn)品已大批量進入Facebook、Google、小天才等知名品牌的智能穿戴設備供應體系。

值得一提的是，佰維ePOP芯片E100系列屢獲業(yè)界嘉獎，斬獲“2021 年全球電子成就獎年度存儲器”、“2021 年度硬核中國芯最佳存儲芯片”諸多殊榮。佰維eMCP與eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND等存儲芯片，通過通用型和定制化產(chǎn)品的輸出，共同構建了公司豐富的嵌入式存儲芯片解決方案，持續(xù)為智能終端客戶提供有競爭力的存儲產(chǎn)品。

萬物互聯(lián)時代，智能終端設備往智能化、集成化、節(jié)能化等趨勢發(fā)展。通過創(chuàng)新驅動戰(zhàn)略，佰維不斷鞏固與發(fā)揮“研發(fā)封測一體化”產(chǎn)業(yè)鏈體系優(yōu)勢，持續(xù)提升技術水平，為物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、嵌入式應用等領域提供高能效集成存儲解決方案。