眾所周知，一顆存儲芯片的性能提升主要取決于主控芯片及其固件算法優化；存儲芯片容量的提升一方面取決于單顆Die存儲密度的不斷增大（如2D NAND到3D NAND的升級跨越），另一方面還依賴于超薄Die、疊Die等核心封裝工藝。在以“高性能、小尺寸、低功耗”為追求目標的嵌入式存儲芯片中，eMCP/ePOP芯片從誕生到量產則集中展現了廠商的核心研發能力及封測制造等優勢。佰維存儲作為國內少數具備存儲器研發設計、封測制造、品牌運營一體化能力的企業，近年來持續推出eMCP/ePOP系列高效能集成存儲解決方案，助力智能手機、智能穿戴等小型智能終端應用小而美。


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兼具小尺寸、高性能和成本優勢
最高容量可達256GB（NAND）、64Gb（DRAM）
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佰維eMCP整合高性能主控和NAND Flash晶片，增強了NAND Flash、DRAM與SoC之間的通信能力，提高芯片整體性能，同時最大可提供256GB+64Gb的容量存儲空間，在更好地控制成本的基礎上，實現小體積內的更高性能與更大容量。

以佰維eMCP MG系列為例，其采用SiP先進封裝技術——FBGA254、超薄Die堆疊封裝工藝，將eMMC與LPDDR整合封裝后，芯片平面尺寸為11.5mm × 13mm?，厚度薄至0.90mm，減少存儲設備及內存組件的占用空間，釋放PCB空間40%~60%，使智能手機、掌上游戲機、可穿戴設備、平板電腦等智能設備更為輕薄化。MG系列的順序讀寫速度分別高達300MB/s、150MB/s，LPDDR支持頻率最高為2133MHz，休眠功耗低至2.8mW。
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嚴苛測試+多平臺驗證
高品質助力客戶產品競爭力
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佰維擁有深圳市3D立體封裝技術工程實驗室，并設立囊括設計仿真、系統驗證、信號分析、可靠性試驗等模塊的存儲器創新實驗室，可實時針對eMCP/ePOP開展eMMC測試、DRAM速度測試、功能測試等環節，充分為產品可靠性、一致性及高耐用性等維度保駕護航。
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在平臺驗證方面，佰維與國內外主流SOC平臺廠商建立了密切的合作與溝通，主要產品已進入高通、聯發科、展銳、瑞芯微等SoC 芯片及系統平臺廠商的合格供應商名錄，便于終端品牌商或ODM客戶對于佰維可靠、質優的存儲芯片進行選型。
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聚焦智能終端設備的核心訴求
獲手機和智能穿戴大廠信賴
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客戶端支持上，佰維通過自身積累的多晶圓堆疊封裝等技術，結合先進的存儲器測試生產設備，從而滿足公司高標準的質量控制和產品可靠性要求；采用大批量的原材料采購策略，積極采用先進制造技術并自主開發了一系列的大批量、大規模的測試生產設備，為客戶提供具有競爭力的價格支持；在導入設計階段，佰維為客戶提供實時的FAE技術支持，通過自有存儲器創新實驗室進行失效性分析等，保障存儲產品匹配客戶端應用與量產。目前，佰維eMCP、ePOP產品已大批量進入國內外一線知名品牌的智能穿戴設備供應體系。
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值得一提的是，佰維ePOP芯片E100系列屢獲業界嘉獎，斬獲“2021 年全球電子成就獎年度存儲器”、“2021 年度硬核中國芯最佳存儲芯片”諸多殊榮。佰維eMCP與eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND等存儲芯片，通過通用型和定制化產品的輸出，共同構建了公司豐富的嵌入式存儲芯片解決方案，持續為智能終端客戶提供有競爭力的存儲產品。
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萬物互聯時代，智能終端設備往智能化、集成化、節能化等趨勢發展。通過創新驅動戰略，佰維不斷鞏固與發揮“研發封測一體化”產業鏈體系優勢，持續提升技術水平，為物聯網、智能穿戴、嵌入式應用等領域提供高能效集成存儲解決方案。