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電子發燒友網>存儲技術>三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

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2019-08-19 15:45:223148

三星電子成功開發出了DDR5芯片

隨著現代計算機能力的不斷發展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發DDR5芯片,可提供更強大、更可靠的性能,支持現代服務器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47760

大多DRAM廠商DDR5相應產品發售,DDR5能成為市場的主流嗎

目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產品規劃并發布相應產品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:432758

十銓已開啟DDR5內存模組的開發測試

繼早前展望了消費級 DDR5 內存產品線的規劃之后,十銓(TeamGroup)現已開啟 DDR5 內存模組的工程樣品開發工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作,對 DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924

十銓稱已成功開發DDR5 SO-SIMM內存,希望率先與Intel、AMD的新平臺進行驗證合作

去年底,TEAMGROUP(十銓)宣布正開發DDR5內存條(U-DIMM,用于臺式機)。現在,SO-DIMM形態的DDR5內存也官宣了,筆記本、迷你機、NAS等將因此受益。 十銓稱已成功開發
2021-01-26 16:43:212616

SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20代PCI SSD

  SK海力士宣布提供業界內DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術,相較第二代10納米級(1y)DDR5產品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產效率,其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:521533

美光科技推出全新DDR5服務器DRAM

合作伙伴推出美光 DDR5 服務器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務器及工作站平臺的行業資格認證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內存產品能夠將系統性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298

三星電子DDR5 DRAM內存顆粒實現HKMG工藝大規模應用

該機構表示,目前已經在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內存中發現了三星HKMG DDR5內存顆粒。該機構還預計HKMG將成為下一代DRAM行業的新標準。
2022-09-19 15:14:481025

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

出其首款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:54756

SK海力士第四代10納米級DDR5服務器DRAM全球首獲英特爾認證

服務器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布,公司研發的第四代10納米級(1a)DDR5服務器DRAM獲得了英特爾(Intel?)近期上市的全新第四代Xeon?服務器
2023-01-12 21:32:26610

DDR5DDR4的關鍵區別在哪里?

DDR5 已占據整個 DRAM 市場份額的 10%,2024年則將進一步擴大至 43%。服務器市場可能最先推廣DDR5,服務器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471605

三星計劃采用12納米技術,提升內存模組容量

日前有信息稱,三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術,生產ERP開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰業界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram,目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度。”另外,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485

ddr5為什么能跑得那么穩呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產工藝難度的加大,DRAM內存出現單位錯誤的風險也隨之增加,為進一步改善內存信道,糾正DRAM芯片中可能出現的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術,將ECC集成到DDR5芯片內部,提高可靠性并降低風險,同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106

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