接下來看下W9825G6KH 規格書，挑選需要看的。

一、引腳說明：

行地址A0~A12，共13根線，可組成2的十三次方個不同的行地址；

列地址A0~A8，共9根線，可組成2的九次方個不同的列地址；

BANK線為：BS0、BS1，因此BANK為4；

數據線為DQ0~DQ15共16根，因此數據線寬為16位；

W9825G6KH的內存容量為：

A10：是用來設置自動預充電，當A10=1,使能所有BANK的預充電；

二、時間參數

2.1 CAS 延遲

就是前面說的CL，一般設置為2或3個時鐘周期（在讀命令發送完之后，需要等待幾個時鐘周期，DQ數據線上的數據才會有效，這個延遲時間叫CL）

2.2 SDCLK

W9825G6KH最快可達到200M（@CL=3）

注：時鐘是MCU來決定的，STM32F429的SDRAM時鐘為96MHz

2.3 BURST（突發操作）

先解釋下突發操作：在應用中，存儲器的一次數據傳輸通常涉及多個字節，例如，某些CPU的存儲接口數據總線為64位，則一次傳輸涉及8個字節數據，通常這8字節數據在存儲器中處于相鄰的位置，因此，采用BURST操作，可簡化讀寫命令； BURST操作，即一次讀寫命令可傳輸同一行中若干連續的存儲單元，一次傳輸字節的數量稱為突發長度（BURST Length）； 可設置以1、2、4、8或整頁的突發長度

2.4 模式寄存器設置時間 tRSC

加載模式寄存器命令和激活或刷新命令之間的延遲，tRSC=2時鐘周期

2.5 自刷新命令到激活命令之間的延遲 tXSR

器件要求為tXSR = 72ns

2.6 自刷新周期、刷新命令到激活命令之間的延遲tRC

器件要求tRC = 60ns

2.7 寫命令和預充電命令之間的延遲tWR

器件要求tWR = 2個時鐘周期

2.8 預充電命令與其他命令之間的延遲tRP

器件要求tRP = 15ns

2.9 激活命令與讀寫命令之間的延遲tRCD

器件要求tRCD = 15ns

2.10 器件刷新時間tREF

器件的刷新tREF = 64ms，W9825G6KH 行數為 8192行（2的13次方），所以刷新速率為：64/8192=7.81us

三 、STM32F429與SDRAM接口

通過STM32F429的FMC接口驅動SDRAM； FMC（可變存儲控制器）能夠與同步或異步存儲器、SDRAM存儲器和16位PC存儲器卡連接； FMC框圖如下：

由于是驅動SDRAM，重點看下SDRAM控制器

SDRAM控制器的主要特定如下：

(1)兩個 SDRAM 存儲區域，可獨立配置;

(2)8 位、 16 位和 32 位數據總線寬度;

(3)13 位地址行， 11 位地址列， 4 個內部存儲區域：4x16Mx32bit (256 MB)、 4x16Mx16bit(128 MB)、 4x16Mx8bit (64 MB)

(4)支持字、半字和字節訪問

(5)SDRAM 時鐘可以是 HCLK/2 或 HCLK/3

(6) 自動進行行和存儲區域邊界管理

(7)多存儲區域乒乓訪問

(8)可編程時序參數

(9)支持自動刷新操作，可編程刷新速率

(10)自刷新模式

(11)掉電模式

(12)通過軟件進行 SDRAM 上電初始化

(13)CAS 延遲 1,2,3

(14)讀 FIFO 可緩存，支持 6 行 x 32 位深度( 6 x14 位地址標記)

與SDRAM 驅動 IO接口如下：

電路圖如下：