富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:234212 賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài),無(wú)論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610429 雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱(chēng);它通??s寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中,我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫(huà)
2018-04-02 09:21:218082 在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來(lái)分類(lèi),有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 EPROM,它們的寫(xiě)都要有特殊的條件,一般我們用一種稱(chēng)之為“編程器”的設(shè)備來(lái)做這項(xiàng)工作,一旦把它裝到它的工作位置,就不能隨便改寫(xiě)了。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)
按功能能分為只讀和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器兩大類(lèi)。所謂只讀
2010-11-01 13:14:23
說(shuō)起存儲(chǔ)器IC的分類(lèi),大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類(lèi)。RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě),翻譯過(guò)來(lái)就是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫(xiě)。常見(jiàn)的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
,用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫(xiě),訪(fǎng)問(wèn)速度較高。RAM:(Random Access Memory),隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種可讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器,一般用于計(jì)算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計(jì)(重點(diǎn))位擴(kuò)展(位并聯(lián)法)字節(jié)擴(kuò)展(地址串聯(lián)法)【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類(lèi)這里我們揀SRAM和DRAM來(lái)講【3】SRAM基本原理:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM):所謂...
2021-07-29 06:21:48
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小,RAM,ROM,Code,RO-data,RW-data,ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱(chēng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過(guò)指令隨機(jī)讀寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲(chǔ)器有多種類(lèi)型,按其存取特性可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器;按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器以及外部存儲(chǔ)設(shè)備;按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除,而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意:SRAM和SDRAM是不相同的,SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
它們寫(xiě)入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中(例如硬盤(pán))。RAM和ROM相比,兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失,而ROM不會(huì)自動(dòng)消失,可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。對(duì)靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
MT47H64M16NF-25E:M動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:規(guī)格:存儲(chǔ)器類(lèi)型易失存儲(chǔ)器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲(chǔ)容量1Gb (64M x 16)存儲(chǔ)器接口并聯(lián)時(shí)鐘頻率400MHz寫(xiě)
2020-06-30 16:26:14
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱(chēng);它通??s寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中,我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫(huà)
2022-11-23 07:15:34
RAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器“隨機(jī)”表示存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí),所需的時(shí)間與數(shù)據(jù)所在的位置無(wú)關(guān)RAM掉電數(shù)據(jù)丟失,分為SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存取器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存取器)。SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)
2021-12-10 06:39:26
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-12-24 07:04:20
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開(kāi)始,主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類(lèi):動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
sram存儲(chǔ)原理是依靠,概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
Erasable PROM)。 ?。?) 混合型?! 《?、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi) 1、按功能分為 ?。?)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?SRAM是由哪些部分組成的?
2021-10-09 08:37:59
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)靜態(tài) RAM(SRAM)動(dòng)態(tài) RAM(DRAM)動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪(fǎng)存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-12-03 08:22:16
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM(所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM(LPDDR4X)是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
存儲(chǔ)器名詞解釋 RAM:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。每一存儲(chǔ)單元都可方便而快速地存取。通常,RAM是指任何快速可寫(xiě)的易失性存儲(chǔ)器。 ROM:只
2009-03-30 13:21:402813 第三十一講 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元一、
2009-03-30 16:36:571139 概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布,Maxim能夠提供無(wú)需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù),F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器,其讀/寫(xiě)操作與RAM類(lèi)似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 摘要:該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘,無(wú)需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 名稱(chēng) RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)
2010-06-29 18:16:592215 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM),該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口,可用于儀表、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布,現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線(xiàn)上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性,有效電流為100 μA (在100 kHz下),典型
2011-07-22 09:38:011523 據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM),其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷,且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 所謂「隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)」,指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r(shí),所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的,存取順序訪(fǎng)問(wèn)(SequenTIal Access)存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí),其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系(如磁帶)。
2018-06-28 12:17:0011795 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個(gè)接口都支持異步存儲(chǔ)器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SBSRAM)和同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。
2018-05-07 11:01:063 美國(guó)芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國(guó)存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作建立一個(gè)在中國(guó)的合資企業(yè)Reliance Memory,以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 在計(jì)算機(jī)科學(xué)中,隨機(jī)存取(有時(shí)亦稱(chēng)直接訪(fǎng)問(wèn))代表同一時(shí)間訪(fǎng)問(wèn)一組序列中的一個(gè)隨意組件。反之則稱(chēng)循序訪(fǎng)問(wèn),即是需要更多時(shí)間去訪(fǎng)問(wèn)一個(gè)遠(yuǎn)程組件。
2018-05-17 16:43:2310333 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫(xiě),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5819725 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,RAM)又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫(xiě),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器,易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)為主,非易失存儲(chǔ)器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)、相變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)等新型存儲(chǔ)器,開(kāi)始被市場(chǎng)采用,而AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場(chǎng)。
2019-07-29 16:38:053109 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)報(bào)告書(shū)免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 我們?cè)S多人都知道,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory,縮寫(xiě):RAM;也叫主存)是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。
2020-01-13 11:50:271949 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的學(xué)習(xí)課件資料說(shuō)明包括了:存儲(chǔ)器基本概念,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),只讀存儲(chǔ)器(ROM),存儲(chǔ)器連接與擴(kuò)充應(yīng)用,微機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)
2020-05-08 08:00:002 或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼.由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器,就用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)了. 按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)ram)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取
2020-05-10 10:10:547053 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類(lèi)型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲(chǔ)器單元實(shí)際上是時(shí)序邏輯電路的一種。按存儲(chǔ)器的使用類(lèi)型可分為只讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2020-07-15 11:45:1021113 SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108 UG-1755:評(píng)估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開(kāi)關(guān)
2021-03-23 00:21:254 富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片,使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù),而無(wú)需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:00928 ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測(cè),20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,雙單擲開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 作者:Robert Taylor1? 德州儀器
雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱(chēng);它通??s寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981 。因此,ROM常用來(lái)存儲(chǔ)系統(tǒng)程序,具有開(kāi)機(jī)自檢、鍵盤(pán)輸入處理、用戶(hù)程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱(chēng)為讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。當(dāng)信息被讀出時(shí),內(nèi)存中的內(nèi)容保持不變;寫(xiě)入時(shí),新寫(xiě)入的信息會(huì)覆蓋原始內(nèi)容。
2021-12-24 13:50:3513864 鐵電存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,同時(shí)也是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn),它屬...
2022-01-26 18:11:561 一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種,差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新,...
2022-02-07 12:29:531 國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠(chǎng)商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部組織為32K字,每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz,采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口??梢赃x擇塊單獨(dú)配備專(zhuān)用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝(6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,堆疊六個(gè)SRAM芯片,采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口。可以使用專(zhuān)用的#CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四層采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專(zhuān)用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個(gè)16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個(gè)2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個(gè)獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù),該設(shè)備堆疊4個(gè)4-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造,可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個(gè)獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 基于原子級(jí)銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲(chǔ)器具有和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(10 ns)相當(dāng)?shù)木幊趟俣龋瑫r(shí)具備非易失、大容量的存儲(chǔ)特性。
2022-06-10 16:15:101522 W9825G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM),由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 在過(guò)去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě),RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱(chēng)作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 RAM :隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205064 ,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類(lèi)型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28878 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫(xiě)入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271950 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí),包括其工作原理、分類(lèi)以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi) 1、按功能分為 (1)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01734 ,VM)兩大類(lèi)。例如,人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory,簡(jiǎn)稱(chēng) Flash)就屬于 NVM,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory, SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱(chēng)為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼(ECC)的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)產(chǎn)品線(xiàn)。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿(mǎn)足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39359
評(píng)論
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