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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>Flash頁、扇區(qū)、塊的區(qū)別

Flash頁、扇區(qū)、塊的區(qū)別

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2018-08-28 10:50:46

基于虛擬扇區(qū)Flash 存儲管理技術(shù)

首先, 針對閃存Flash 的存儲編程特點(diǎn), 提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù), 使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash 的使用壽命和整個系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式
2009-05-16 13:30:2019

基于虛擬扇區(qū)Flash存儲管理技術(shù)

摘要:首先,針對閃存Flash的存儲編程特點(diǎn),提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù),使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash的使用壽命和整個系統(tǒng)的性能
2006-03-24 13:01:35608

nand nor flash區(qū)別

nand nor flash區(qū)別    NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163

關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

FLASH的全稱是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別FLASH扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:196031

Flash基本操作——Flash基礎(chǔ)(1)#多媒體技術(shù)

FlaSh
未來加油dz發(fā)布于 2023-05-24 10:43:53

扇區(qū)svpwm

扇區(qū)svpwm,有需要的朋友可以下來看看
2016-03-30 14:59:5918

cheap_flash_fs極速版

表的管理程序,可以提供單/多扇區(qū)的操作。 多扇區(qū)為nandflash專門設(shè)計,可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH上直接預(yù)分配功能。
2016-09-19 16:57:480

FLASH和EEPROM的區(qū)別

FLASH和EEPROM的區(qū)別
2017-03-29 09:09:146

一文看懂Flash芯片的種類與區(qū)別

FLASH芯片是應(yīng)用非常廣泛的存儲材料,Flash芯片可進(jìn)行可快速存儲、擦除數(shù)據(jù)的存儲物質(zhì)。本文主要介紹了其中Flash芯片的種類以以它們區(qū)別詳情。
2018-03-30 11:42:3561175

單片機(jī)上FLASH和EEPROM有什么不同?

FLASH的全稱是FLASHEEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大區(qū)別FLASH扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)
2018-09-21 22:40:01779

STM32F207內(nèi)部Flash編程詳解

Flash Flash存儲器有以下特點(diǎn) 最大1M字節(jié)的能力 128位,也就是16字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)讀取 字節(jié),半字,字和雙字寫入 扇區(qū)擦除和批量擦除 存儲器的構(gòu)成 主要存儲區(qū)塊包含4個16K字節(jié)扇區(qū)
2021-02-23 15:59:325168

華大HC32 flash擦除未生效的解決方法

本來想用做個OTA的功能,但在調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn),片內(nèi)的flash扇區(qū)擦除不生效。無論怎么擦,讀出的數(shù)據(jù)始終不為0xff。 后來,看了用戶手冊和HC32的庫的代碼,才發(fā)現(xiàn)問題。 以下
2021-11-23 18:06:4040

BSP-flash

主要介紹mcu-內(nèi)部flash1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash的結(jié)構(gòu):包含4個16KB的扇區(qū)、1個64KB的扇區(qū)、3個128KB的扇區(qū)。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2021-12-01 21:06:0711

flash 磨損均衡處理

是壽命問題,flash編程只能將bit由1位置0,不能將0位置1,將0置1只能擦除扇區(qū),而扇區(qū)往往比編程單位要大很多,哪怕我們只對對一個地址寫兩個字節(jié)的數(shù)據(jù),也需要擦除整個扇區(qū)來完成數(shù)據(jù)更新,頻繁擦寫導(dǎo)致flash壞塊。本人這邊做的一個小玩意里
2021-12-02 10:06:058

解決stm32f103同一個扇區(qū)flash只能擦除一次,再次擦除報FLASH_ERROR_PG錯誤問題

項目中用到stm32內(nèi)部flash存儲一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash,擦除對應(yīng)扇區(qū),然后寫入數(shù)據(jù)
2021-12-02 11:51:1316

對SPI FLASH的設(shè)計思路

為一個扇區(qū),也就是每次必須擦除 4K 個字節(jié)。操作需要給 W25Q128 開辟一個至少 4K 的緩存區(qū),對 SRAM 要求比較高,要求芯片必須有 4K 以上 SRAM 才能很好的操作。我這里主要講的是FLASH的設(shè)計思路,因為網(wǎng)上對于這一方面信息很少。FLASH分區(qū)首先,我設(shè)計的FLASH扇區(qū)為最小分割
2021-12-09 15:36:0710

華大HC32F460開發(fā)記錄----------------FLASH(EFM)

FLASH的主要特征:1、512k容量 分為64個扇區(qū) 每個扇區(qū)為8K byte2、編程單位4byte 擦除單位為8Kbyte3、OTP區(qū)域一共1020byte 分為960byte數(shù)據(jù)
2021-12-17 18:20:393

RFID卡片的扇區(qū)與塊地址的計算

RFID卡的扇區(qū)與塊地址本文檔為本人在自學(xué)RFID卡片數(shù)據(jù)讀取過程中所寫的筆記,RFID卡片的扇區(qū)與塊地址如下表所示(RFID卡片數(shù)據(jù)讀取原理請自行百度),本文檔內(nèi)容僅供學(xué)習(xí)參考。由于本人學(xué)習(xí)能力
2021-12-29 19:48:180

淺析基站、小區(qū)、扇區(qū)的關(guān)系

基站包含小區(qū),小區(qū)包含扇區(qū),每個扇區(qū)可以有多個載頻,一個載頻包含多個信道單元。
2023-01-17 10:06:079734

如何提高FLASH使用壽命以實(shí)現(xiàn)EEPROM的功能呢 ?

stm32的FLASH擦除是按整頁或者整扇區(qū)擦除的,不同芯片的頁或者扇區(qū)(下邊統(tǒng)稱為頁)的大小是不一樣的,有1K,16K,64K,128K等大小。
2023-10-23 17:44:08655

flash芯片時為什么需要先擦除?

數(shù)量的頁(Page)組成,每頁又可以分成若干個扇區(qū)(Sector),扇區(qū)Flash芯片的操作基本單位,通常為512字節(jié)或1K字節(jié)大小,而整個Flash芯片的容量則可以達(dá)到數(shù)個GB以上。Flash芯片的特點(diǎn)是擦寫次數(shù)是有限的,每個扇區(qū)只能擦寫數(shù)千次甚至更少次,而寫入次數(shù)則幾乎是無
2023-10-29 17:24:372320

stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲的

,包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲器通常被分為多個扇區(qū),每個扇區(qū)大小為2KB到256KB不等,根據(jù)不同的型號有所不同。每個扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03421

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