FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同,FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM
2021-12-10 08:23:11
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件
2018-07-11 11:31:27
FLASH的塊/扇區(qū)/頁關(guān)系是什么?常用FLASH擦寫規(guī)則是什么?常用存儲器件有哪些分類?
2022-01-20 07:47:23
首先說明下flash。flash由N個扇區(qū)組成。1個扇區(qū)=16 page1page =16 block1 block =4 bytes其中最小的寫入單元是block,最小的擦除單元是page。即
2021-10-29 08:51:16
前言:英文中文block塊sector扇區(qū)page頁詳細(xì)描述:?P25Q32H芯片,擁有64個“塊”,每個塊有16個“扇區(qū)”,每個扇區(qū)有4KByte。
2021-12-20 06:51:22
flash較之eeprom的一大缺點(diǎn)是擦除以頁或扇區(qū)為單位。這樣帶來的問題是,即使用戶只需要修改一個字節(jié)的內(nèi)容,必須先擦除該字節(jié)所在的整頁,然后還要將之前該頁已存在的內(nèi)容重復(fù)寫入flash。如果主機(jī)
2021-11-26 07:35:20
:
Flash 單元格的已擦除狀態(tài)在邏輯上為 “0”。
aurixtc3xx_ts_part1_v2.5.1.pdf 第 380 頁,共 2155 頁
6.5.2.2. 3 命令序列定義——驗證已擦除
2024-01-30 06:51:40
主要介紹mcu-內(nèi)部flash1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash的結(jié)構(gòu):包含4個16KB的扇區(qū)、1個64KB的扇區(qū)、3個128KB的扇區(qū)。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2022-01-26 07:18:54
,頁寫入產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)以NAND_FLASH壞塊管理驅(qū)動運(yùn)行。NAND_FLASH支持ECC數(shù)據(jù)糾錯,每個扇區(qū)二次ECC糾錯,保證數(shù)據(jù)正確讀出。NAND_FLASH管理層如果發(fā)現(xiàn)不可糾錯恢復(fù)的扇區(qū)
2015-08-28 11:16:05
擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯,對每個扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯,保證數(shù)據(jù)正確的讀出。NAND_FLASH壞塊
2014-11-21 12:29:21
擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯,對每個扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯,保證數(shù)據(jù)正確的讀出。NAND_FLASH壞塊
2015-04-12 14:02:38
擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯,對每個扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯,保證數(shù)據(jù)正確的讀出。NAND_FLASH壞塊
2015-04-12 14:15:10
直接預(yù)分配功能。其上面可以運(yùn)行(Cheap_Flash_FS(支持多扇區(qū)操作))文件系統(tǒng)。文件系統(tǒng)可支持實(shí)時壞塊替換,包括擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動
2016-07-07 17:30:25
))文件系統(tǒng)。文件系統(tǒng)可支持實(shí)時壞塊替換,包括擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯,對每個扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯
2017-04-24 10:28:18
。其上面可以運(yùn)行(Cheap_Flash_FS(支持多扇區(qū)操作))文件系統(tǒng)。文件系統(tǒng)可支持實(shí)時壞塊替換,包括擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動運(yùn)行
2015-08-15 13:38:04
實(shí)時壞塊替換,包括擦除塊,塊移動,寫入頁產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)基于NAND_FLASH壞塊管理層驅(qū)動運(yùn)行。NAND_FLASH壞塊管理支持ECC糾錯,對每個扇區(qū)執(zhí)行二次ECC糾錯,保證數(shù)據(jù)正確的讀出
2018-10-14 18:44:56
/多扇區(qū)的操作。多扇區(qū)為nandflash專門定制,可以降低NANDFLASH的擦除數(shù)。其上面可以流暢的運(yùn)行(CheapFAT)文件系統(tǒng)。支持文件系統(tǒng)運(yùn)行的時候?qū)崟r壞塊的替換,包括塊擦除,塊移動,頁
2014-10-15 12:23:29
–> EPROM –> EEPROM2.EEPROM和FLASH的區(qū)別2.1 使用上的區(qū)別FLASH用于存放程序,在程序運(yùn)行過程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH...
2021-11-23 08:51:04
256K 及以上的閃存扇區(qū)大小是 2K,內(nèi)部 FLASH 大小小于 256K 的閃存扇區(qū)大小是 1K,在擦除時有所區(qū)別:1. 擦除閃存扇區(qū)步驟:解鎖閃存->擦除閃存扇區(qū)->鎖定閃存2. 擦除
2021-05-13 20:36:48
,執(zhí)行擦除選項字節(jié)塊的動作不會導(dǎo)致自動的整片擦除操作, 不會改變讀保護(hù)狀態(tài)。 4、MM32的Flash主閃存塊按128 頁(每頁 1K 字節(jié))或 32 扇區(qū)(每扇區(qū) 4K字節(jié))分塊,存儲器可以按頁(1K
2017-11-23 15:25:30
[ZZ]EEPROM和FLASH,NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
)閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫
2014-04-23 18:24:52
閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時需要
2013-04-02 23:02:03
Nand Flash中的特殊硬件結(jié)構(gòu)由于nand flash相對其他常見設(shè)備來說,比較特殊,所以,特殊的設(shè)備,也有特殊的設(shè)計,所以,有些特殊的硬件特性,就有比較解釋一下:1. 頁寄存器(Page
2018-07-19 14:03:50
,-> 256KB,-> 512KB此處是128KB。2.每個塊里面又包含了很多頁(page)。每個頁的大小,老的nand flash,頁大小是256B,512B,這類的nand flash被稱作
2018-06-12 10:10:18
RFID卡的扇區(qū)與塊地址本文檔為本人在自學(xué)RFID卡片數(shù)據(jù)讀取過程中所寫的筆記,RFID卡片的扇區(qū)與塊地址如下表所示(RFID卡片數(shù)據(jù)讀取原理請自行百度),本文檔內(nèi)容僅供學(xué)習(xí)參考。由于本人學(xué)習(xí)能力
2022-02-23 07:08:55
的 ROM 中有代碼,它在上電時通過 SPI 讀取閃存的第一個塊。
在那個塊中,我們有 2 個字節(jié)(在位置 2 和 3)。
它們的含義是(在別處找到):
現(xiàn)在文檔中不清楚的是
1) ROM 加載初始扇區(qū) 0
2023-06-09 09:03:28
Flash按照內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)的不同,可以分為哪幾種?Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別?SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里?
2021-06-18 08:46:32
-電源GND地:此引腳應(yīng)與系統(tǒng)地接在一起。-地(3)AT45DB161D的功能框圖:(4)存儲器陣列:AT45DB161D的儲存器陣列被分為3個級別的粒度,分別為扇區(qū)、塊與頁。下面的“存儲器結(jié)構(gòu)圖
2018-07-19 04:03:28
今天移植了某個F1的工程到F4上,發(fā)現(xiàn)STM32F407的FLASH不能擦除某頁。只能按扇區(qū)擦除。而后面的扇區(qū)大小,高達(dá)128K,對于我們一般的應(yīng)用來說,儲存幾個KB的數(shù)據(jù)就行了,不需要用到這個
2021-08-02 09:00:06
STM32F407的FLASH為什么只能按扇區(qū)擦除?怎樣使用STM32F407內(nèi)部扇區(qū)儲存數(shù)據(jù)?
2021-09-24 12:04:38
Flash module organization”,其中說扇區(qū)4的塊基地址從0x08011000開始,但實(shí)際上是從0x0801 0 000開始我通過將數(shù)據(jù)寫入閃存然后擦除扇區(qū) 4 來驗證它 -> 擦除的部分從地址 0x08010000 開始
2023-01-03 09:32:04
我想保存少量的設(shè)置數(shù)據(jù)在FLASH中,這樣斷電數(shù)據(jù)不丟失。F2XX和F4XX的FLASH,一擦就是一個扇區(qū),前面的幾個扇區(qū)還小一些,后面的扇區(qū)都是128K。程序得從開頭運(yùn)行吧,只能使用最后一個扇區(qū),可后面的扇區(qū)都是128K,太浪費(fèi)了。不知道ST對這個事是怎么考慮的。
2019-03-21 08:04:39
。FLASH的頁面STM32的FLASH主存儲塊按頁組織,有的產(chǎn)品每頁1KB,有的產(chǎn)品每頁2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點(diǎn)來看,頁面有點(diǎn)像通用FLASH的扇區(qū)。STM32產(chǎn)品的分類
2015-11-23 17:03:47
TC2XX現(xiàn)在看的擦除函數(shù)都是一個扇區(qū)一個扇區(qū)擦除的,如何實(shí)現(xiàn)按頁擦除?
2024-02-18 07:51:05
W25Q64串行FLASH基礎(chǔ)知識大小:8M(Byte)(128塊(Block),每塊64K字節(jié),每塊16個扇區(qū)(Sector),每個扇區(qū)4K字 節(jié),每個扇區(qū)16頁,每頁256個字節(jié))特點(diǎn)
2021-07-22 09:32:51
).Flash 芯片存儲區(qū)域劃分:8MB分為128塊,每塊大小為64KB;每塊又分為16個扇區(qū),每個扇區(qū)大小為4KB;每個扇區(qū)有16頁,每頁大小為256個字節(jié) 。 芯片引腳圖1.CS 片選信號,低電平有效,操作flash之前要先拉低CS,這里要注意...
2022-01-25 07:25:52
個扇區(qū)被擦除!!?(閃存大小為 512kB)(來自 stm32f2xx_hal_flash_ex.h)/** @defgroup FLASHEx_Sectors FLASH Sectors
2023-01-05 09:03:56
信息及對主存儲塊的保護(hù)信息。 FLASH的頁面STM32的FLASH主存儲塊按頁組織,有的產(chǎn)品每頁1KB,有的產(chǎn)品每頁2KB。頁面典型的用途就是用于按頁擦除FLASH。從這點(diǎn)來看,頁面有點(diǎn)像通用
2018-11-27 15:20:38
nand flash讀取以頁為單位,那為什么還需要列地址
2018-10-23 09:44:46
stm32f103rgt6 1 Mbyte of Flash memory有兩個bank。bank1256*2k。 bank2 我測試了。發(fā)現(xiàn)每個扇區(qū)是4K 。128*4 。我找了資料
2022-04-15 09:01:20
單片機(jī)的塊擦除與頁擦除是一樣的么
2023-10-10 06:24:34
在擦除扇區(qū)和寫入扇區(qū)時報FLASH_ERROR_PROGRAM錯誤。可能原因:flash沒有初始化。在操作前初始化即可。void drv_flash_Init(void){FLASH
2021-08-05 08:10:44
基于W25Q128一個塊 (bank)有多個扇區(qū) (sector),一個扇區(qū)(sector)有多個頁(page)塊(bank) > 扇區(qū)(sector) > 頁(page)頁:每頁有
2021-12-09 07:40:20
STM32開發(fā)板,外部FLASH為W25Q64,想問問void SPI_FLASH_SectorErase(u32 SectorAddr)這個函數(shù)是擦除了多少個字節(jié),如果想要擦除多頁應(yīng)該怎么設(shè)置,請大神們幫忙
2017-05-08 16:47:35
STM32L431CC 對其 FLASH 使用頁面而不是扇區(qū),因此這是我用來寫入其 FLASH 存儲器的代碼:HAL_FLASH_Unlock();__HAL_FLASH
2023-01-12 07:47:33
) {l_index += 1;l_地址 += 1;}HAL_FLASH_Lock();```然后我只是從同一個內(nèi)存塊中讀取。```l_address = FLASH
2023-01-04 06:08:52
W25Q128 將 16M 的容量分為 256 個塊(Block),每個塊大小為 64K 字節(jié),每個塊又分為 16個扇區(qū)(Sector),每個扇區(qū) 4K 個字節(jié)。 W25Q128 的最少擦除單位為一
2022-02-14 07:19:51
(sector)、每個扇區(qū)包含 256 頁(page)、每一頁包含256 字節(jié)(byte), 因此該 Flash 芯片需要用到 23 位地址線扇區(qū)地址:128 = 2^7頁地址:256 = 2^8字節(jié)地址:256 = 2^8所以地址線為:23=7+8+8...
2021-12-10 07:19:38
現(xiàn)在想找一塊最小扇區(qū)1K或者512字節(jié)的存儲芯片,有推薦的嗎?我找了很多都是4K的。我用STM8的MCU才有2K的RAM, 這樣MCU緩存的數(shù)據(jù)不夠4K放不滿一個扇區(qū)。
2017-06-30 10:35:50
的區(qū)別在于,①Flash的存儲容量大于EEPROM,②Flash在寫入之前的擦除操作時,需要以扇區(qū)為最小單位擦
2021-12-10 06:59:43
FLASH存儲器是什么?嵌入式Flash的特性有哪些?嵌入式Flash扇區(qū)擦除有哪些步驟?
2021-09-24 14:40:28
老師你好,,我想請教一下m25p32存儲芯片存數(shù)數(shù)據(jù)的問題,,由于單片機(jī)存數(shù)據(jù)少,所以找了一塊4M的存儲芯片m25p32,這個芯片有64個扇區(qū),每隔扇區(qū)有256頁,每頁有256字節(jié) 。如果我一直
2014-02-13 22:03:46
),可以用來存儲管理信息。頁組成塊(block)。Flash以塊為單位擦除,以頁為單位寫入。一些設(shè)備允許部分頁編程,但不允許字節(jié)寫入。Flash塊中的頁必須以遞增地方式順序?qū)懭耄磒age0,page1
2020-09-04 13:51:34
存放密碼和控制權(quán)限 ,不能用來存儲數(shù)據(jù)。每個扇區(qū)的塊0,塊1,塊2可以用來存儲數(shù)據(jù)(扇區(qū)0的塊0除外)。塊3的前6個字節(jié)為KeyA,后6個字節(jié)為KeyB。中間的4個字節(jié)為存儲控制。每個扇區(qū)可以通過它包含的密鑰A或者密鑰B單獨(dú)加密扇區(qū)圖IC卡加解密非加密卡和加密卡的區(qū)別就是,非加密卡中所有扇區(qū)的
2021-07-22 08:29:13
和AT25F4096與AT25F1024具有相同的操作時序和操作模式,區(qū)別僅僅是存儲空間的大小不同。AT25F1024為串行操作Flash遵循SPI操作時序,提供1M-Bit存儲單元,組織
2009-09-21 09:19:30
我將FLASHA 修改為: origin = 0x3F6000, length = 0x000010 /* on-chip FLASH */ 是不是沒有作用? flash的各個扇區(qū)大小范圍能否被修改?如果可以,那以上擦除的時候出現(xiàn)問的問題如何解釋? 望TI給出解答
2018-09-18 09:39:42
請問F407擦除的問題,有不同大小的扇區(qū),還有頁擦除這個概念嗎?如果是128K的扇區(qū)的話,是最小只能擦128K嗎
2019-02-26 07:32:06
NAND FLASH的數(shù)據(jù)讀取只能按頁讀取嗎?想按字節(jié)讀取可以實(shí)現(xiàn)嗎?
2019-09-26 08:31:39
在寫 SPI的FLASH扇區(qū)之前要確保所寫進(jìn)的區(qū)域全是0XFF,要不就有可能不準(zhǔn)確,請問SD卡的扇區(qū)是不是也要這樣呢?
2019-06-26 21:32:20
,FLASH有4個塊,每個是16K x 16;2、28335中,FLASH有8個塊,每個是32K x 16;為什么28335中FLASH 塊的大小是28332中的一倍大小,而不采用相同大小的FLASH塊呢?謝謝!
2018-08-19 06:43:59
我有一個數(shù)據(jù)文件想保存在207 內(nèi)部FLASH某個扇區(qū)。請問,有什么工具可以支持燒寫任意格式文件到指定扇區(qū)?如果沒有,那只有自己實(shí)現(xiàn)IAP了。
2018-08-28 10:50:46
首先, 針對閃存Flash 的存儲編程特點(diǎn), 提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù), 使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash 的使用壽命和整個系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式
2009-05-16 13:30:2019 摘要:首先,針對閃存Flash的存儲編程特點(diǎn),提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù),使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash的使用壽命和整個系統(tǒng)的性能
2006-03-24 13:01:35608 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 FLASH的全稱是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:196031 無扇區(qū)svpwm,有需要的朋友可以下來看看
2016-03-30 14:59:5918 表的管理程序,可以提供單/多扇區(qū)的操作。
多扇區(qū)為nandflash專門設(shè)計,可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH上直接預(yù)分配功能。
2016-09-19 16:57:480 FLASH和EEPROM的區(qū)別
2017-03-29 09:09:146 FLASH芯片是應(yīng)用非常廣泛的存儲材料,Flash芯片可進(jìn)行可快速存儲、擦除數(shù)據(jù)的存儲物質(zhì)。本文主要介紹了其中Flash芯片的種類以以它們區(qū)別詳情。
2018-03-30 11:42:3561175 FLASH的全稱是FLASHEEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)
2018-09-21 22:40:01779 的Flash Flash存儲器有以下特點(diǎn) 最大1M字節(jié)的能力 128位,也就是16字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)讀取 字節(jié),半字,字和雙字寫入 扇區(qū)擦除和批量擦除 存儲器的構(gòu)成 主要存儲區(qū)塊包含4個16K字節(jié)扇區(qū)
2021-02-23 15:59:325168 本來想用做個OTA的功能,但在調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn),片內(nèi)的flash扇區(qū)擦除不生效。無論怎么擦,讀出的數(shù)據(jù)始終不為0xff。 后來,看了用戶手冊和HC32的庫的代碼,才發(fā)現(xiàn)問題。 以下
2021-11-23 18:06:4040 主要介紹mcu-內(nèi)部flash1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash的結(jié)構(gòu):包含4個16KB的扇區(qū)、1個64KB的扇區(qū)、3個128KB的扇區(qū)。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2021-12-01 21:06:0711 是壽命問題,flash編程只能將bit由1位置0,不能將0位置1,將0置1只能擦除扇區(qū),而扇區(qū)往往比編程單位要大很多,哪怕我們只對對一個地址寫兩個字節(jié)的數(shù)據(jù),也需要擦除整個扇區(qū)來完成數(shù)據(jù)更新,頻繁擦寫導(dǎo)致flash壞塊。本人這邊做的一個小玩意里
2021-12-02 10:06:058 項目中用到stm32內(nèi)部flash存儲一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash,擦除對應(yīng)扇區(qū),然后寫入數(shù)據(jù)
2021-12-02 11:51:1316 為一個扇區(qū),也就是每次必須擦除 4K 個字節(jié)。操作需要給 W25Q128 開辟一個至少 4K 的緩存區(qū),對 SRAM 要求比較高,要求芯片必須有 4K 以上 SRAM 才能很好的操作。我這里主要講的是FLASH的設(shè)計思路,因為網(wǎng)上對于這一方面信息很少。FLASH分區(qū)首先,我設(shè)計的FLASH以扇區(qū)為最小分割
2021-12-09 15:36:0710 FLASH的主要特征:1、512k容量 分為64個扇區(qū) 每個扇區(qū)為8K byte2、編程單位4byte 擦除單位為8Kbyte3、OTP區(qū)域一共1020byte 分為960byte數(shù)據(jù)
2021-12-17 18:20:393 RFID卡的扇區(qū)與塊地址本文檔為本人在自學(xué)RFID卡片數(shù)據(jù)讀取過程中所寫的筆記,RFID卡片的扇區(qū)與塊地址如下表所示(RFID卡片數(shù)據(jù)讀取原理請自行百度),本文檔內(nèi)容僅供學(xué)習(xí)參考。由于本人學(xué)習(xí)能力
2021-12-29 19:48:180 基站包含小區(qū),小區(qū)包含扇區(qū),每個扇區(qū)可以有多個載頻,一個載頻包含多個信道單元。
2023-01-17 10:06:079734 stm32的FLASH擦除是按整頁或者整扇區(qū)擦除的,不同芯片的頁或者扇區(qū)(下邊統(tǒng)稱為頁)的大小是不一樣的,有1K,16K,64K,128K等大小。
2023-10-23 17:44:08655 數(shù)量的頁(Page)組成,每頁又可以分成若干個扇區(qū)(Sector),扇區(qū)是Flash芯片的操作基本單位,通常為512字節(jié)或1K字節(jié)大小,而整個Flash芯片的容量則可以達(dá)到數(shù)個GB以上。Flash芯片的特點(diǎn)是擦寫次數(shù)是有限的,每個扇區(qū)只能擦寫數(shù)千次甚至更少次,而寫入次數(shù)則幾乎是無
2023-10-29 17:24:372320 ,包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲器通常被分為多個扇區(qū),每個扇區(qū)大小為2KB到256KB不等,根據(jù)不同的型號有所不同。每個扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03421
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