據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，由上游持續(xù)減產(chǎn)和下游需求逐漸提升，內(nèi)存芯片市場出現(xiàn)復(fù)蘇跡象，且最快第4季轉(zhuǎn)為供不應(yīng)求，三星電子已調(diào)漲DRAM與 NAND芯片價(jià)格10%~20%。

三星內(nèi)存芯片最高漲20%

9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。

與此同時(shí)，三星還計(jì)劃以更高價(jià)格，向自家生產(chǎn)Galaxy系列手機(jī)的移動(dòng)業(yè)務(wù)部門供應(yīng)存儲(chǔ)芯片，以此反應(yīng)移動(dòng)芯片價(jià)格上漲的趨勢。

三星 DRAM 開發(fā)的部門負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-Jun 也在近日表示，從第三季開始內(nèi)存市場的供需正在達(dá)到平衡，第四季開始將出現(xiàn)大量的需求，明年基本會(huì)是「需求主導(dǎo)」的市場。

此外，三星、蘋果等主要智能手機(jī)公司紛紛推出新產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新競爭，也被認(rèn)為內(nèi)存行業(yè)的一大利多因素，因?yàn)檫@需要更多的內(nèi)存來提高智能手機(jī)的性能。業(yè)界認(rèn)為，智能型手機(jī)使用的 DRAM 容量每年增長超過 5%。

上游原廠的漲價(jià)，也帶動(dòng)了中間通路及下游廠商的一系列動(dòng)作。

臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日也報(bào)道，隨著上游NAND Flash原廠如三星、鎧俠、SK海力士等開始拉高晶圓合約價(jià)，由于中間通路及下游系統(tǒng)模塊廠手中庫存低于正常季節(jié)水平，引發(fā)終端業(yè)者搶貨，將進(jìn)一步帶動(dòng)第4季內(nèi)存模塊價(jià)格全面走揚(yáng)。

先前通路商及下游系統(tǒng)模塊廠因市況不佳，加上預(yù)期價(jià)格可能持續(xù)下跌情況下，盡量降低持有內(nèi)存庫存。而后，隨著內(nèi)存原廠價(jià)格喊漲，原先就沒有相關(guān)庫存的終端業(yè)者，為搶拿中間通路及下游系統(tǒng)模塊廠所剩不多的相對(duì)低價(jià)庫存，開始使出渾身解數(shù)拉貨。

由于終端業(yè)者拉貨力道強(qiáng)勁，包括消費(fèi)性SSD、存儲(chǔ)卡及隨身碟，手機(jī)相關(guān)零組件如eMMC、eMCP價(jià)格全面走揚(yáng)。供應(yīng)鏈傳出，目前平均漲幅約在個(gè)位數(shù)左右，由于部分內(nèi)存產(chǎn)品庫存水位相對(duì)較低，因此第4季的漲幅有上看雙位數(shù)水平。

價(jià)格持續(xù)走高

在DRAM市場， 價(jià)格逐步上漲主要由 LPDDR5X 等智能手機(jī)的最新產(chǎn)品帶動(dòng)。此外，集邦也表示，三星電子第2季開始抑制產(chǎn)量，第3季預(yù)料進(jìn)一步壓縮產(chǎn)量，隨著庫存即將減少，價(jià)格看來即將上漲，韓國內(nèi)存芯片制造商決定調(diào)漲最新芯片價(jià)格，漲價(jià)也可能延續(xù)到第4季。

在NAND閃存市場，韓國產(chǎn)業(yè)主管說，客戶也不再砍單，甚至擴(kuò)大下單。芯片制造商也已開始減產(chǎn) NAND 閃存芯片，「內(nèi)存芯片制造商目前的實(shí)際資本支出與芯片投入量，都比今年初預(yù)定計(jì)劃少了一半以上」，「DRAM和閃存芯片今年的供應(yīng)位成長率可能下滑超過10%」。

隨著龍頭減產(chǎn)，存儲(chǔ)市場拐點(diǎn)已隱隱顯現(xiàn)，信達(dá)證券指出，前期存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)效應(yīng)或已顯現(xiàn)，庫存去化效果明顯，并且伴隨著市場備貨旺季到來，整體出貨節(jié)奏加快，價(jià)格或已顯現(xiàn)拐點(diǎn)，存儲(chǔ)周期有望開啟復(fù)蘇。

編輯：黃飛