導(dǎo)讀:DDR5協(xié)議發(fā)布已經(jīng)有一段時(shí)間了,其中的變化還是比較大的,地址信號(hào)采取了ODT的端接形式,本篇文章為大家仿真一下DDR5地址信號(hào)。同時(shí),我也推薦大家關(guān)注我在仿真秀原創(chuàng)的精品課《DDR3/4/5系列信號(hào)完整性仿真24講》,讓你清楚掌握DDR協(xié)議和仿真關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)。
2022-12-01 10:24:03933 由于RK3588 DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps,PCB設(shè)計(jì)難度大,所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模板和對(duì)應(yīng)的DDR固件,DDR模板是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的仿真和測(cè)試驗(yàn)證后發(fā)布的。 在單板
2023-08-18 10:55:43556 RK3588 DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps,PCB設(shè)計(jì)難度大,所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模板和對(duì)應(yīng)的DDR固件,DDR模板是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的仿真和測(cè)試驗(yàn)證后發(fā)布的。 在單板PCB設(shè)計(jì)空間足夠的情況下,優(yōu)先考慮留出DDR電路模塊所需要的布局布線(xiàn)空間,拷貝瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模
2023-08-21 17:16:50563 RK3588 DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps,PCB設(shè)計(jì)難度大,所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模板和對(duì)應(yīng)的DDR固件,DDR模板是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的仿真和測(cè)試驗(yàn)證后發(fā)布的。 在單板PCB設(shè)計(jì)空間足夠的情況下,優(yōu)先考慮留出DDR電路模塊所需要的布局布線(xiàn)空間,拷貝瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模
2023-08-24 08:40:05899 相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線(xiàn)過(guò)渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用,但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào),對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24464 DDR SDRAM參考設(shè)計(jì)VHDL版(有詳細(xì)的文檔,仿真綜合文件)File/Directory Description
2012-08-11 09:33:30
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
的完整性。 3仿真分析 對(duì)DDR3進(jìn)行仿真分析是以結(jié)合項(xiàng)目進(jìn)行具體說(shuō)明:選用PowerPC 64位雙核CPU模塊,該模塊采用Micron公司的MT41J256M16HA—125IT為存儲(chǔ)器
2014-12-15 14:17:46
作者:黃剛DDR仿真作為一個(gè)非常普遍的仿真模塊,基本上入門(mén)SI行業(yè)的人都會(huì)首先接觸到。記得本人剛接觸這個(gè)行業(yè)的時(shí)候,也是先接觸DDR模塊的仿真。從DDR2到DDR4,可能很多同行都一直使用同一
2019-07-24 06:56:33
這個(gè)工程是用來(lái)做DDR壓力測(cè)試的,通過(guò)特殊的數(shù)據(jù)模式,以EDMA方式寫(xiě),讀DDR,校驗(yàn)結(jié)果。在L138的EVM板驗(yàn)證正常運(yùn)行.
對(duì)于DDR的穩(wěn)定性測(cè)試,CPU的訪(fǎng)問(wèn)方式是不夠的,有時(shí)CPU訪(fǎng)問(wèn)通過(guò)
2018-06-21 13:45:30
kernel 中的 DDR 變頻功能 如何讓 kernel 一次 DDR 變頻都不運(yùn)行 如何查看 DDR 的容量 如何修改 DDR 頻率 如何修改 DDR 某個(gè)頻率對(duì)應(yīng)的電壓 如何關(guān)閉 DDR 的負(fù)載變頻
2022-06-20 15:35:47
上篇文章我們用仿真實(shí)例向大家展示了DDR中地址相對(duì)于時(shí)鐘的建立時(shí)間與保持時(shí)間。那么數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)于DQS又是什么樣的關(guān)系呢?我們知道,DDR和普通的SDRAM相比起來(lái),讀取速率為普通SDRAM的兩倍
2016-11-08 16:59:51
來(lái)看一下具體波形。建立如下通道,分別模擬DDR3的地址信號(hào)與時(shí)鐘信號(hào)。圖1 地址/時(shí)鐘仿真示意圖為方便計(jì)算,我們假設(shè)DDR的時(shí)鐘頻率為500MHz,這樣對(duì)應(yīng)的地址信號(hào)的速率就應(yīng)該是500Mbps,這里
2018-09-20 10:29:55
著迷等等吧。All right,那今天就再給大家分享一個(gè)
DDR仿真和
測(cè)試完美對(duì)應(yīng)的
經(jīng)典案例吧!不知道現(xiàn)在大家做的
DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了?從高速先生和最近眾多客戶(hù)的配合來(lái)看,從一個(gè)通道的總?cè)萘?/div>
2023-02-02 13:45:09
使用CCS5.4 對(duì)EVMDM8168 DDR2 進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試結(jié)果為
第一次測(cè)試
Error at 8d033180
FAIL... error code 32... quitting
第二次
2018-06-21 11:49:55
`經(jīng)典教程書(shū)籍--開(kāi)關(guān)電源仿真(PSpice和SPICE3應(yīng)用)`
2011-03-16 17:50:09
使用兩片DDR2)接口。兩個(gè)測(cè)試工程與對(duì)應(yīng)的功能如下所示。由于兩種模式的測(cè)試方式完全相同,這里僅以?xún)善?2bit模式的工程為例,講解測(cè)試過(guò)程。1、解壓
2016-12-15 14:43:40
ATK-DAP仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-HSDAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:05:52
AVR單片機(jī)寄存器DDR,PORT和PIN之間有什么對(duì)應(yīng)關(guān)系?
2021-11-01 06:31:52
DDR、PORT和PIN是什么?AVR單片機(jī)寄存器DDR、PORT和PIN之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系是什么?
2021-07-08 07:22:08
最近在做ddr2方面的東西,需要仿真ddr2,可是一直沒(méi)有頭緒。xx_example_top_tb仿真不知道是對(duì)是錯(cuò),網(wǎng)上說(shuō)的外掛美光ddr2 模型的仿真方法,沒(méi)有具體講解。哪位大蝦能夠指點(diǎn)一二哇,不甚感激!
2016-06-29 15:50:28
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
DDR Memory Interface IP 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載,參考設(shè)計(jì)已配置一例特定參數(shù),可用于仿真,實(shí)例化加插用戶(hù)設(shè)計(jì)后的總綜合,總布局布線(xiàn)。Gowin DDR Memory
2022-10-08 07:17:32
IBIS Models for DDR2 Analysis 仿真
2012-03-16 16:52:07
ST-LINK仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:38
USB Blaster仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:20
modelsim仿真DDR3時(shí),出現(xiàn)下面錯(cuò)誤。Instantiation of 'B_MCB' failed. The design unit was not found.并沒(méi)有用ISE聯(lián)合仿真
2016-01-21 10:12:40
仿真的經(jīng)典教程 愿大家學(xué)好軟件
2013-01-18 22:58:10
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之仿真篇
2020-03-12 08:54:20
上過(guò)程吧》》》》首先接著在前一節(jié)的工程里面添加DDR3的配置,這過(guò)程很簡(jiǎn)單,直接選好最后一一個(gè)型號(hào)的DDR3即可。。。這是配置好后的工程Diagram視圖下面是對(duì)memory的測(cè)試在SDK中新建存儲(chǔ)器
2015-05-25 16:23:21
什么情況,我們需要DDR信號(hào)仿真分析呢?
2021-03-17 07:38:51
的設(shè)計(jì)使得比以往任何產(chǎn)品的DDR難度都要大一點(diǎn),當(dāng)然我們也就會(huì)有很多測(cè)試和仿真的案例了。這里關(guān)于DDR調(diào)試的案例,我們?cè)俳o大家分享一個(gè)從fail到pass的經(jīng)歷哈。 在一個(gè)安靜祥和的午后,高速先生剛剛還略帶
2020-07-10 17:11:30
1.項(xiàng)目的板子上要用到兩顆DDR3芯片,板子打樣回來(lái)可能要進(jìn)行測(cè)試,對(duì)示波器的采樣率可能會(huì)有比較高的要求,不知道大家在設(shè)計(jì)中用的是什么示波器,最好有具體型號(hào)2.既然說(shuō)到DDR3了,有好些個(gè)問(wèn)題都想
2017-10-26 09:54:13
單片機(jī)仿真軟件Proteus 7.4完美破解版
2013-03-01 22:49:57
hello,各位大俠,請(qǐng)問(wèn)如何測(cè)試嵌入式系統(tǒng)linux下的CPU及DDR性能,或者類(lèi)似跑分軟件。
2016-07-11 17:11:46
自建Spartan6 DDR3仿真平臺(tái)
2019-08-01 06:08:47
我們仿真DDR究竟是仿真什么?
2021-03-04 07:32:07
和技術(shù)的升級(jí)推陳出新。目前,用于主存的DDR SDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了,但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3 SDRAM的需求仍然比較旺盛。測(cè)試痛點(diǎn):測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存,客戶(hù)一般面臨
2020-12-01 10:29:08
請(qǐng)問(wèn)電機(jī)測(cè)試系統(tǒng)如何完美軸對(duì)中?
2021-05-08 07:23:20
并沒(méi)有一個(gè)完全確定的概念,需要我們通過(guò)仿真和測(cè)試的手段去判斷和驗(yàn)證。而此時(shí),往往我們拿到的就是一個(gè)波形,測(cè)試波形或者仿真波形,該如何去判斷其信號(hào)質(zhì)量,參照的標(biāo)準(zhǔn)又是怎樣的,就是我們需要去考慮的重點(diǎn)
2016-09-28 19:00:54
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
很經(jīng)典的仿真器自制資料
2009-02-11 09:08:555 DDR 1&2&3的“讀”和“寫(xiě)”眼圖分析:現(xiàn)在不論做主板設(shè)計(jì)或測(cè)試的工程師,還是做內(nèi)存或DDR芯片設(shè)計(jì)或測(cè)試的工程師都會(huì)面臨這樣一個(gè)問(wèn)題:如何能夠分離出“讀”和“寫(xiě)”
2009-09-14 08:05:2535 經(jīng)典軟件測(cè)試計(jì)劃模版:<項(xiàng)目名稱(chēng)>的這一“測(cè)試計(jì)劃”文檔有助于實(shí)現(xiàn)以下目標(biāo):[確定現(xiàn)有項(xiàng)目的信息和應(yīng)測(cè)試的軟件構(gòu)件。列出推薦的測(cè)試需求(高級(jí)需求)。推薦
2009-10-19 18:58:500 經(jīng)典測(cè)試計(jì)劃模版:<項(xiàng)目名稱(chēng)>的這一“測(cè)試計(jì)劃”文檔有助于實(shí)現(xiàn)以下目標(biāo):
[確定現(xiàn)有項(xiàng)目的信息和應(yīng)測(cè)試的軟件構(gòu)件。列出推薦的測(cè)試需求(高級(jí)需求)。推薦
2009-11-19 17:23:580 DDR內(nèi)存插槽及測(cè)試點(diǎn)
一、實(shí)物圖上圖就是DDR內(nèi)存插槽實(shí)物圖
2009-04-26 15:36:515390 泰克為DDR測(cè)試和驗(yàn)證解決方案增加兩項(xiàng)新功能
泰克公司日前宣布增強(qiáng)和升級(jí)其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測(cè)試和驗(yàn)證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內(nèi)插器為工
2009-12-08 09:47:00930 什么是DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)的DDR SDRAM分為DDR 200,DDR 266,DDR 333以及DDR 400,其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz,133MHz,166MHz和200MHz,對(duì)應(yīng)的內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e為1.6GB/sec,2.12GB
2009-12-24 14:51:34595 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 通過(guò)Cadence軟件建立DDRⅡ信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、仿真信號(hào)的串?dāng)_、碼間干擾、過(guò)沖等與信號(hào)質(zhì)量相關(guān)的參數(shù),從仿真波形中可以測(cè)量出與信號(hào)時(shí)序相關(guān)的參數(shù),從而計(jì)算出信號(hào)的時(shí)序裕量,并為DDRⅡ
2012-02-13 15:16:2252 基于Xilinx的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)控制器的用戶(hù)接口設(shè)計(jì)與仿真,本設(shè)計(jì)通過(guò)采用多路高速率數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作仿真驗(yàn)證,可知其完全可以滿(mǎn)足時(shí)序要求,由綜合結(jié)果可知其使用邏輯資源很少,運(yùn)行速
2013-01-10 14:12:452990 研究了MPC8379E處理器的相關(guān)資料和DDR2的特性,以及它們之間PCB布線(xiàn)的規(guī)則和仿真設(shè)計(jì)。由于MPC8379E和DDR2都具有相當(dāng)高的工作頻率,所以他們之間的走線(xiàn)必須滿(mǎn)足高速PCB布線(xiàn)規(guī)則,還要結(jié)
2013-03-12 15:22:2680 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電工實(shí)訓(xùn)深入經(jīng)典仿真軟件.rar》資料免費(fèi)下載
2014-05-27 00:53:4124 安捷倫科技公司(NYSE: A)日前推出ADS先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)DDR4 一致性測(cè)試平臺(tái),為工程師提供從仿真設(shè)計(jì)到測(cè)量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無(wú)論是開(kāi)發(fā)DDR 控制器IP 的半導(dǎo)體公司、開(kāi)發(fā)DRAM 芯片
2017-12-05 09:52:02552 對(duì)于Layout人員來(lái)說(shuō),對(duì)于DDR這一塊,可能主要關(guān)注的是信號(hào)線(xiàn)之間的等長(zhǎng)。下面我們也來(lái)復(fù)習(xí)一下,DDR各組信號(hào)需要滿(mǎn)足的時(shí)序關(guān)系:地址/命令,控制和時(shí)鐘之間等長(zhǎng);DQ與之對(duì)應(yīng)的DQS組內(nèi)等長(zhǎng);DQS與CLK之間有一個(gè)相對(duì)寬松的等長(zhǎng)關(guān)系。
2018-09-15 10:58:005805 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 電源等組成。實(shí)時(shí)仿真模型系統(tǒng)模型基于A(yíng)MESim或者M(jìn)ATLAB/SIMULINK進(jìn)行搭建,提供與FCU控制器硬件IO信號(hào)相對(duì)應(yīng)的資源及與FCU控制器控制策略相對(duì)應(yīng)的燃料電池模型等。意昂神州FCU硬件在環(huán)(HiL)仿真測(cè)試系統(tǒng)http://www.eontronix.cn/FCU/FCU-HiL.html
2019-04-28 22:19:561065 DDR驗(yàn)證是任何SoC中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥贒UT內(nèi)部的控制器和位于DUT外部的外部DDR存儲(chǔ)器。 DDR系統(tǒng)由控制器,I/O,封裝,插座,電源,時(shí)鐘和外部存儲(chǔ)器組成,它們共同
2019-08-12 11:29:173917 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱(chēng),它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 首先按PowerSI提取s參數(shù)仿真指導(dǎo)書(shū)步驟將DDR的PORT點(diǎn)設(shè)置好(如下圖所示)并提取出s參數(shù)
2020-04-14 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線(xiàn)分析與設(shè)計(jì),二、DDR電路的信號(hào)完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計(jì)建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 容易引起電路的 SI 問(wèn)題,信號(hào)測(cè)試驗(yàn)證也變得越來(lái)越困難。一般 DDR 信號(hào)測(cè)試、仿真驗(yàn)證,大多數(shù)用 SPEED2000,大家在學(xué)習(xí) DDR 仿真前,可以先補(bǔ)充 SPEED2000 的時(shí)域波形仿真
2023-02-07 16:37:34896 DDR仿真作為一個(gè)非常普遍的仿真模塊,基本上入門(mén)SI行業(yè)的人都會(huì)首先接觸到。記得本人剛接觸這個(gè)行業(yè)的時(shí)候,也是先接觸DDR模塊的仿真。從DDR2到DDR4,可能很多同行都一直使用同一套的仿真方法
2021-03-31 14:01:182449 大家好,又到了每日學(xué)習(xí)的時(shí)間了,今天我們來(lái)聊一聊FPGA中測(cè)試文件編寫(xiě)的相關(guān)知識(shí),聊一聊激勵(lì)仿真。 ? 1. 激勵(lì)的產(chǎn)生 對(duì)于testbench而言,端口應(yīng)當(dāng)和被測(cè)試的module一一對(duì)應(yīng)。端口分為
2021-04-02 18:27:026010 這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試例程,Vivado也提供了一個(gè)DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復(fù)雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡(jiǎn)單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2021-05-02 09:05:002979 前言 上文中,我們介紹了DDR芯片的物理層及協(xié)議測(cè)試,本文我們繼續(xù)給大家揭秘如何利用是德科技的ADS仿真軟件輔助進(jìn)行DDR的電路仿真,驗(yàn)證和分析。 是德科技ADS簡(jiǎn)介 是德科技PathWave
2021-05-17 09:28:0510208 現(xiàn)在DDR應(yīng)用越來(lái)越普遍,很多同事不清楚DDR的壓力測(cè)試都要進(jìn)行哪些測(cè)試;現(xiàn)對(duì)DDR的壓力測(cè)試項(xiàng)進(jìn)行了總結(jié),供大家參考。
2021-06-24 16:28:0615 現(xiàn)在DDR應(yīng)用越來(lái)越普遍,很多同事不清楚DDR都要進(jìn)行哪些測(cè)試;本文對(duì)DDR的測(cè)試項(xiàng)進(jìn)行了總結(jié),供大家參考。
2021-06-26 15:45:3926 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試例程,Vivado也提供了一個(gè)DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復(fù)雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡(jiǎn)單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2022-08-16 10:28:581241 高速度,高頻率的測(cè)試座,凱智通經(jīng)過(guò)多年潛心研發(fā),重磅推出了擁有自主設(shè)計(jì)專(zhuān)利知識(shí)產(chǎn)權(quán)的DDR DIMM 雙面彈測(cè)試治具,對(duì)應(yīng)市場(chǎng)最新需求!!
2022-09-08 14:57:211223 凱智通最新發(fā)布DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具適用于DDR?/5測(cè)試的,與之前常用的導(dǎo)電膠,從材質(zhì)還是工作原理都各不相同,我們今天就來(lái)比較一下這兩款的區(qū)別。
2022-09-09 09:55:061415 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專(zhuān)門(mén)為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性?xún)?yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592 DDR2總線(xiàn)的仿真方法,基于A(yíng)gree公司最新的網(wǎng)絡(luò)處理器APP300和HY的
DDR2 SDRAM HY5PS121621。
2022-10-21 16:09:580 DDR2設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)詳解。
2022-10-24 15:10:182 第一次接觸DDR的仿真我也是比較茫然的,首先各種仿真軟件基本沒(méi)有使用過(guò),研究生階段雖然使用過(guò)ADS、HFSS等仿真軟件,但主要還是進(jìn)行無(wú)源鏈路的仿真。
2023-02-11 09:59:441011 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38313 復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735 RK3588 DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps,PCB設(shè)計(jì)難度大,所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模板和對(duì)應(yīng)的DDR固件,DDR模板是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的仿真和測(cè)試驗(yàn)證后發(fā)布的。 在單板PCB設(shè)計(jì)空間足夠的情況下,優(yōu)先考慮留出DDR電路模塊所需要的布局布線(xiàn)空間,拷貝瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模
2023-08-17 18:15:02325 RK3588DDR接口速率最高達(dá)4266Mbps,PCB設(shè)計(jì)難度大,所以強(qiáng)烈建議使用瑞芯微原廠(chǎng)提供的DDR模板和對(duì)應(yīng)的DDR固件,DDR模板是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的仿真和測(cè)試驗(yàn)證后發(fā)布
2023-08-18 08:09:43385 本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目:基于A(yíng)XI總線(xiàn)的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶(hù)接口的讀寫(xiě)方式:《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線(xiàn)上,那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:371896 Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進(jìn)口工業(yè)級(jí)芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 14:33:42709 DDR一致性測(cè)試的操作步驟? DDR(雙數(shù)據(jù)率)一致性測(cè)試是對(duì)DDR內(nèi)存模塊進(jìn)行測(cè)試以確保其性能和可靠性。在進(jìn)行DDR一致性測(cè)試時(shí),需要遵循一系列的操作步驟,以保證測(cè)試的準(zhǔn)確性和完整性。下面將詳細(xì)
2024-02-01 16:24:52212
評(píng)論
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