在我們的項目中，時常會有參數或數據需要保存。鐵電存儲器的優良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅動設計、實現及使用。
2022-12-08 14:56:55
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雖然說使用EEPROM保存參數很有效，但操作及使用次數均有一下限制。當我們的一些參數需要不定時修改或存儲時，使用FRAM就更為方便一點。這一節我們就來設計并實現FM24xxx系列FRAM的驅動。
2022-12-08 15:09:11855 
），可以將其讀取以表示邏輯1或0。圖1：FRAM通過鐵電材料PZT的極化存儲數據。（來源：賽普拉斯半導體）鐵電存儲器的操作與浮柵技術衍生的傳統可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設計一個16或32個FRAM（SPI）設備的存儲器陣列，用于電池操作的數據表，用于遠程戶外位置。我已經查閱了CY15B104Q（512K×8）數據表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術優勢解決系列應用瓶頸創新的FRAM 認證芯片促進應用創新
2021-03-04 07:54:14
之前在論壇里面發帖問了關于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
flash存儲轉換成鐵電存儲,應該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
FRAM鐵電存儲器；讀卡器用于發射功耗強度固定,得到RF訊號后以讀寫應答器；天線安裝于車道上方作為數據采集的收發天線。 2.3.4 結束語 鐵電存貯器（FRAM）的等距離讀寫特性 快速擦寫和非易失性等特點
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
盡管靜態RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標準接口的出現，這些技術在功能上有很大的重疊。本篇詳細介紹了用FRAM替換SRAM時需要考慮的因素 FRAM注意事項FRAM與SRAM
2020-10-16 14:34:37
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數，掉電數據可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達到5 MHz的總線速度，結構容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內容在系統即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發送器讀取）。此外，在系統完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運行時對配置參數進行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會，介紹全新FRAM（鐵電隨機存儲器）解決方案，該器件可在高達攝氏
2017-08-18 17:56:43
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數應用中，鐵電存儲器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
使用鐵電存儲器FM25CL64B，通過SPI接口讀寫數據，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
EEPROM或閃存提供穩健統一的存儲器架構，從而可簡化安全系統設計。FRAM的優勢與基于閃存的傳統系統相比，FRAM可提供優異的保留性與耐用性。采用閃存，數據按晶體管充電狀態存儲（如開或關）。寫入閃存
2014-09-01 17:44:09
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫入性能優于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲器
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
比較高的客戶有用到。簡直是大海撈針。可能還有很多人不太了解這個產品，我簡單介紹一下，詳細了解可打咨詢熱線:(0755)82124969或QQ21444289鐵電存儲器FUJITSU FRAM 鐵電
2014-03-13 10:00:54
如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
可從全新的地點獲得更多的有用數據北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數據錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
MSP430FR2311這個單片機的fram存儲地址是什么還有如何設置
2021-06-06 18:21:25
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
便攜式和無線傳感應用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
、9uA就可以把數據寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數據到Flash等傳統存儲器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數據次數來看，一般存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應用中。網上也有不少對FRAM技術的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網友總結的FRAM應用的心得，發布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。
2017-03-28 18:05:301459 近年來隨著智能三表、物聯網、醫療器械及醫療電子標簽、汽車后裝設備、以及工業傳感網絡的快速增長，FRAM存儲器以及FRAM微控制器的應用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM（那時候
2017-03-28 18:41:571055 本視頻主要內容：介紹了富士通半導體的FRAM產品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951 與傳統非易失性存儲器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014464 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數據。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 FRAM 應用介紹
2018-08-15 08:28:005742 MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性
2018-08-02 01:04:005951 關鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間
2018-09-28 15:56:01270 本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標板 FRAM外擴存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
相比于其他市場，汽車市場更為關注技術成熟度。目前FRAM在汽車行業的銷售數量已超過8億臺，技術已相當成熟，汽車行業的客戶完全可以對此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
，如只讀存儲器和閃存）結合起來。接下來宇芯電子介紹關于非易失性FRAM中的預充電操作。 預充電是FRAM的內部條件，在該條件下，存儲器被調適以進行新的訪問。 FRAM設備中的預充電操作在以下任何條件下啟動： 1.驅動芯片使能信號/CE至高電平
2020-08-18 15:22:32721 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節尋址的非易失性存儲設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:166108 獨特性能成就技術“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 
不進行擦除或重寫，數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術和工作原理 FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當一個電場被加到鐵電晶體時，
2021-05-04 10:16:00515 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器，FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域，以及醫療
2021-04-26 15:49:16689 
開發和量產及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優先存儲器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產品特性開始說起。FRAM的學術名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經應用于IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點，符合科創板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優點，FRAM在此領域迅速占領了市場；隨著電子設備和存儲數據需求的增多使得FRAM受到廣泛應用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統中。
2021-05-12 16:52:49616 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。富士通代理英尚微介紹富士通半導體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設計人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設備的任意數字。
2022-11-18 16:48:271466 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
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