RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2021-01-22 09:43:11
4794 
RMA是內(nèi)存得簡(jiǎn)稱，叫做Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 是計(jì)算機(jī)得重要組成部分 1、Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)：在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一
2009-10-13 17:04:10
（存入）或讀出（取出）信息。ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何ram中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失，所以ram是易失性存儲(chǔ)器。本文主要介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程。
2020-12-16 06:29:16
（存入）或讀出（取出）信息。 ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何ram中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失，所以ram是易失性存儲(chǔ)器。本文主要介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程。
2020-12-31 06:18:55
，所以ram是易失性存儲(chǔ)器。本文主要介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程。 1.ram的結(jié)構(gòu)它由三部分電路組成： 1）行、列地址譯碼器：它是一個(gè)二進(jìn)制譯碼器，將地址碼翻譯成行列對(duì)應(yīng)的具體地址，然后去選
2020-12-10 15:50:38
一文讀懂傳感器傳感器在原理與結(jié)構(gòu)上千差萬(wàn)別，如何根據(jù)具體的測(cè)量目的、測(cè)量對(duì)象以及測(cè)量環(huán)境合理地選用傳感器，是在進(jìn)行某個(gè)量的測(cè)量時(shí)首先要解決的問題。當(dāng)傳感器確定之后，與之相配套的測(cè)量方法和測(cè)量設(shè)備也就
2022-01-13 07:08:26
本文介紹一種基于FIFO結(jié)構(gòu)的優(yōu)化端點(diǎn)設(shè)計(jì)方案。
2021-05-31 06:31:35
SDRAM的基本特性是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種SDRAM控制器?介紹一種實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)數(shù)據(jù)突發(fā)讀寫的設(shè)計(jì)
2021-06-07 07:12:28
介紹幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法，并在原有基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法。
2021-04-09 06:15:29
單片機(jī)型號(hào)：STM32F070F6P6本文介紹應(yīng)用C語(yǔ)言進(jìn)行單片機(jī)內(nèi)部Flash的讀寫技巧，將從查看文檔開始，到最終完成完整的程序。單片機(jī)型號(hào)：STM32F070F6P6步驟如下：1、查看文檔
2022-01-26 06:48:36
文丘里管是根據(jù)文丘里效應(yīng)研制開發(fā)的一種節(jié)流式流量傳感器，是一種標(biāo)準(zhǔn)節(jié)流裝置。文丘里管按結(jié)構(gòu)分為標(biāo)準(zhǔn)文丘里管和通用文丘里管。文丘里管節(jié)流量水裝置是有節(jié)流喉道，差壓計(jì)和導(dǎo)壓管三部分構(gòu)成。標(biāo)準(zhǔn)（經(jīng)典）文丘
2017-12-01 15:47:01
在28335上，把eCAN的mailbox當(dāng)做普通RAM來用。直接對(duì)地址進(jìn)行讀寫很正常，使用memcpy拷貝一個(gè)字節(jié)也沒問題，但是如果長(zhǎng)度大于兩個(gè)寫入不成功，會(huì)把ram全部清零。代碼如下：int
2018-10-29 10:42:06
耗費(fèi)大量的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器,所以大部分程序會(huì)取折中的方法,將需要快速運(yùn)行的部分和要讀寫的部分放入RAM中(一般讀固態(tài)存儲(chǔ)器的過程和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的過程是 一樣的,但是寫就不同了,所以讀寫的部分一定要放到RAM中
2016-08-27 15:22:26
ram介紹ram（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中有一個(gè)很重要的部分就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說有了存儲(chǔ)器才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其
2022-10-25 15:08:10
的ram位為12*512=6144 ，故實(shí)際使用率為6144/8192=75%,當(dāng)所有fifo都按照這種配置來分配時(shí)FPGA中的ram最大使用率也就是75%。一種特殊情況是當(dāng)fifo容量較小而且讀寫時(shí)鐘分別
2015-09-05 18:59:57
用生成的ddrIP，自己寫讀寫狀態(tài)機(jī)，可是發(fā)現(xiàn)寫過程，local_wrdata和dq是正常的，數(shù)據(jù)一致的。可是讀的時(shí)候，local_rdata數(shù)據(jù)正常，可是dq卻出現(xiàn)錯(cuò)誤。請(qǐng)問這是什么原因呢？還有個(gè)
2016-07-21 11:02:54
提示：文章寫完后，目錄可以自動(dòng)生成，如何生成可參考右邊的幫助文檔文章目錄前言一、EC RAM是什么？二、使用步驟1.高級(jí)配置和電源接口(ACPI)規(guī)范2.EC RAM讀寫過程總結(jié)前言提示：這里可以
2022-02-07 07:42:37
EEPROMI2C協(xié)議I2C物理層的特點(diǎn)I2C的協(xié)議層I2C基本讀寫過程通訊的起始和停止信號(hào)數(shù)據(jù)有效性地址及數(shù)據(jù)方向響應(yīng)STM32的I2C特性及架構(gòu)通訊引腳時(shí)鐘控制邏輯數(shù)據(jù)控制邏輯整體控制邏輯
2022-01-21 08:57:09
文章目錄EEPROM介紹EEPROM 單字節(jié)讀寫操作時(shí)序EEPROM 寫數(shù)據(jù)流程EEPROM 讀數(shù)據(jù)流程EEPROM介紹在實(shí)際的應(yīng)用中，保存在單片機(jī) RAM 中的數(shù)據(jù)，掉電后就丟失了，保存在單片機(jī)
2022-01-26 06:43:52
I2C協(xié)議以及I2C讀寫EEPROM實(shí)驗(yàn)文章目錄I2C協(xié)議以及I2C讀寫EEPROM實(shí)驗(yàn)I2C 協(xié)議簡(jiǎn)介一、I2C 物理層二、I2C 協(xié)議層2-1 I2C 基本讀寫過程2-2 通訊的起始和停止信號(hào)
2021-08-23 08:25:55
IIC總線的特點(diǎn)IIC總線協(xié)議詳解IIC總線的讀寫過程
2021-01-04 07:30:58
OpenHarmony（以下簡(jiǎn)稱“OpenHarmony”） liteos_m內(nèi)核采用了littlefs作為默認(rèn)的文件系統(tǒng)。本文著重介紹了littlefs文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，并根據(jù)對(duì)讀寫過程的分析，解析
2022-07-18 12:18:40
SPI發(fā)送接收一字節(jié)函數(shù)編寫過程是怎樣的？
2022-02-17 06:45:17
STM32內(nèi)存結(jié)構(gòu)介紹和FreeRTOS內(nèi)存分配技巧這是我第一次使用FreeRTOS構(gòu)建STM32的項(xiàng)目，踩了好些坑，又發(fā)現(xiàn)了我缺乏對(duì)于操作系統(tǒng)的內(nèi)存及其空間的分配的知識(shí)，故寫下文檔記錄學(xué)習(xí)成果
2022-02-14 07:38:04
在詳細(xì)介紹STM32的FLASH讀寫之前，我們需要了解一下什么是RAM和ROM以及一些存儲(chǔ)器相關(guān)概念的介紹。由于篇幅過長(zhǎng)，請(qǐng)參考我的另一篇博文：RAM和ROM的區(qū)別及基本概念解釋：https
2021-08-20 06:27:40
分析IS62WV51216BLL的讀寫時(shí)序圖和時(shí)間特性參數(shù)，得到較合理的時(shí)間參數(shù)，大大優(yōu)化了外部RAM的操作時(shí)間。下面先介紹下前面3個(gè)參數(shù)：1.Address setup time: 從設(shè)置引腳地址開始到能夠讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間段2.Data setup time: 設(shè)置完地址后，能夠讀取數(shù)據(jù)總線的時(shí)間段3.Bus
2021-12-03 06:43:54
ST-LINK燒寫模式有哪幾種呢？STM32燒寫過程中的Boot0和Boot1的接法是怎樣的？
2021-11-26 06:21:53
BIN文件在ROM中的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主要包括幾大部分？STM32的RAM/ROM在升級(jí)過程遇到哪些問題呢？
2021-11-29 06:25:16
可以上知乎--我的介紹對(duì)于嵌入式設(shè)備來說，舉例STM32這類，RAM區(qū)一般不超過512kbyte，F(xiàn)lash最多2Mb，咱們這篇文章，主要是關(guān)注內(nèi)存（即RAM區(qū)）。所有代碼，都里不開內(nèi)存，但由于嵌入式
2021-12-17 06:46:10
USART串口通信代碼編寫過程是怎樣的
2021-12-08 06:18:22
求助：ddr2 ram，256M，64位位寬，突發(fā)長(zhǎng)度為4時(shí)，讀寫地址如何提供。 1. 提供給控制器的數(shù)據(jù)是上升沿和下降沿的拼接，一個(gè)周期提供兩個(gè)數(shù)據(jù)到app_wdf_data，位寬為128位。那么
2013-09-29 21:48:53
[attach]***[/attach](給出雙口RAM的結(jié)構(gòu)．介紹雙口RAM的忙邏輯，并主要介紹了在雷達(dá)終端的數(shù)據(jù)處理過程中兩個(gè) CPU通過雙El RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存、交換和共享的設(shè)計(jì)原理和方法。
2012-08-11 16:21:22
大家好，請(qǐng)教一個(gè)問題，因需要我現(xiàn)在講程序從IAR轉(zhuǎn)入到keil之中，但是碰到一個(gè)奇怪的問題，是這樣，我聲明了一個(gè)結(jié)構(gòu)體，如下：
#pragma pack(push) //保存對(duì)齊狀態(tài)
#pragma
2023-08-25 07:58:33
不勝感激 tsl2561光強(qiáng)傳感器誰(shuí)寫過程序？求助
2016-11-03 16:33:07
行為建模方式是用過程賦值語(yǔ)句來實(shí)現(xiàn)的。下面對(duì)行為建模方式的過程結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)介紹。 過程結(jié)構(gòu) Verilog HDL 中的主要行為通過兩種語(yǔ)句來控制進(jìn)行： ? initial 語(yǔ)句
2018-09-21 09:29:52
COF結(jié)構(gòu)智能屏 單獨(dú)強(qiáng)大的51系統(tǒng)框架 資源充足，頻率高。我對(duì)原來工業(yè)控制加熱設(shè)備部分簡(jiǎn)化一下程序移植，基本達(dá)到目的。 實(shí)現(xiàn)工業(yè)控制加熱設(shè)備等功能。硬件框架如上圖所示，硬件部分基于 迪文COF結(jié)構(gòu)智能
2022-03-31 17:34:45
1.迪文屏介紹本次試用的是迪文科技推出的迪文COF結(jié)構(gòu)480*480分辨率的4寸智能觸摸屏，4寸的方屏剛好可以放在86型開關(guān)面板上，也就是我們家用的開關(guān)面板。所以不難看出這款迪文屏的市場(chǎng)定位
2022-04-08 14:23:48
本帖最后由 TLLED 于 2022-2-11 11:38 編輯
今天來搭建迪文DMG85480F050_01WN 型號(hào)屏幕的開發(fā)環(huán)境搭建及例程燒寫過程。 一、下載工具軟件 迪文顯示屏的資料
2022-02-11 11:36:25
前言本文介紹基于迪文屏和esp32的圖書檢索及錄入系統(tǒng)。 一、硬件組成觸摸屏：迪文屏DMG85480F050_01WTC主控1：esp32主控2：air105LCD：顯示camera圖像，用于掃碼
2022-04-06 19:03:28
讀寫地址分開。嵌入式內(nèi)存結(jié)構(gòu)由M9K存儲(chǔ)器模塊組成，通過這些M9K存儲(chǔ)器模塊進(jìn)行配置，可以實(shí)現(xiàn)各種存儲(chǔ)器功能，RAM、移位寄存器、ROM、以及FIFO緩存區(qū)。下面是使用IP核中RAM配置過程首先在IP
2020-01-23 15:28:06
我在I2C中實(shí)現(xiàn)了一個(gè)從屬客戶端，所有的工作都很好，但是我不能從I2C主控中識(shí)別寫過程的完成。在CaldRvI2I2CyRead（）之后，如何才能看到進(jìn)程何時(shí)完成？我嘗試調(diào)用
2020-04-13 08:21:55
各位高手，小弟正在使用MICODER集成開發(fā)環(huán)境向慶科的micokit 3165開發(fā)板燒寫程序，燒寫過程中出現(xiàn)“download failed”。請(qǐng)教其中的原因，謝謝！
2019-09-18 01:01:54
使用SPI對(duì)SD卡進(jìn)行讀寫過程中常見的問題有哪些？如何解決？
2022-01-27 07:17:56
本帖最后由 runileking 于 2016-4-14 17:56 編輯
RAM1和RAM2是兩個(gè)一樣的IP核，兩個(gè)時(shí)序一樣，見圖，為什么RAM1可以正確讀寫，RAM2讀不出數(shù)據(jù)？
2016-04-14 17:13:24
，狀態(tài)機(jī)等待未進(jìn)行一定的操作。接著是寫等待數(shù)據(jù)狀態(tài)，此時(shí)根據(jù)片選信號(hào)CS0和CSl的值譯出SEML、CEOL、CElL，并輸出有效的地址和控制信號(hào)R WL、UBL、LBL到雙口RAM。接著是寫過程狀態(tài)
2018-12-12 10:27:45
摘要：介紹SDRAM的主要控制信號(hào)和基本命令時(shí)序，提出一種應(yīng)用于解復(fù)用的支持多路讀寫的SDRAM接口設(shè)計(jì)，為需要大容量存儲(chǔ)器的電路設(shè)計(jì)提供了新思路。關(guān)鍵詞：SDRAM 解復(fù)用 接口 存儲(chǔ)器
2018-12-03 15:20:48
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。1.實(shí)驗(yàn)原理Xilinx
2021-01-07 16:05:28
大家好， 我使用Ultrascale Virtex Devices和Vivado工具， 在ASIC RAM中，ther是一個(gè)單獨(dú)的奇偶校驗(yàn)寫使能位，但在FPGA RAM中沒有單獨(dú)的Pariaty寫使能位。 如何實(shí)現(xiàn)ASIC RAM奇偶校驗(yàn)寫入啟用ino FPGA RAM。謝謝娜文G K.
2020-04-24 09:37:05
等都是 RAM。 RAM 一般用來保存程序數(shù)據(jù)、中間結(jié)果，比如在程序中定義了一個(gè)變量 a，然后對(duì)這個(gè) a 進(jìn)行讀寫操作。int a;a = 10;a 是一個(gè)變量，我們需要很方便的對(duì)這個(gè)變量進(jìn)行讀寫操作，方法就是直接“a”進(jìn)行讀寫操作，不需要在乎具體的讀寫過程。我們可以隨意的對(duì) RAM 中任何地址的數(shù)
2021-12-16 07:10:10
(no fetch/write access).是不是Sx RAM如果配置給一個(gè)核，該核可以對(duì)其讀寫，而另一個(gè)核只能對(duì)其進(jìn)行讀操作？
2020-06-09 11:11:15
泛型函數(shù)bsearch()的編寫過程是怎樣的？
2022-02-09 06:31:47
硬件IIC讀寫EEPROM一. I2C協(xié)議簡(jiǎn)介I2C物理層的特點(diǎn)I2C的協(xié)議層1. I2C基本讀寫過程主機(jī)由從機(jī)中讀數(shù)據(jù)：通訊復(fù)合格式：2.通訊的起始和停止信號(hào)3.數(shù)據(jù)有效性4.地址及數(shù)據(jù)方向5.
2021-08-20 06:26:00
硬盤的外部物理結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？硬盤的內(nèi)部物理結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？硬盤上的數(shù)據(jù)是如何組織與管理的呢？硬盤讀寫數(shù)據(jù)的過程是怎樣的？
2021-07-15 07:41:52
，首先對(duì)SRAM的讀寫過程進(jìn)行初步的分析。以讀出操作為例，首先是讀信號(hào)和地址信號(hào)有效，然后在內(nèi)部時(shí)序電路的控制下，對(duì)存儲(chǔ)陣列中的位線進(jìn)行預(yù)充電，接下來行、列譯碼器輸出，選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元的字線和位線，數(shù)據(jù)
2022-11-17 16:58:07
那個(gè)方的芯片拆了。這樣的話相當(dāng)于就是CH365直接讀寫中間那個(gè)雙口RAM 了現(xiàn)在的問題是，DEBUG365這個(gè)軟件，我不能正常讀寫RAM用IO端口讀寫，寫的時(shí)候會(huì)彈一個(gè)寫數(shù)據(jù)成功，但是讀出來，顯示就是
2022-10-10 09:03:28
有誰(shuí)寫過AT25F1024這一款EEPROM的讀寫程序嗎？最好是基于DSP2812或者DSP28335的例程。自己調(diào)試了許久，未能成功。
2019-02-14 06:35:21
的STC8H8K信號(hào)采集版”介紹了通過并行接口擴(kuò)展單片機(jī)片外內(nèi)存的方法。在STC8H8K單片機(jī)運(yùn)行在40MHz總線的情況下，完成片外RAM的讀寫僅僅需要0.5微妙。這在很多情況下可以滿足單片機(jī)數(shù)據(jù)訪問的要求了。但是通過單片機(jī)的...
2021-07-01 08:45:13
對(duì)一個(gè)開發(fā)板燒寫不同的程序，運(yùn)行，驗(yàn)證正確性，燒寫過程真的很方便，完全可以使用脫機(jī)使用。
下一步，測(cè)試其他型號(hào)的便利性。加密，遠(yuǎn)程燒錄的其他功能。
2023-05-08 18:11:33
COF（chip on FPC）智能屏是基于迪文低功耗雙核T5L0 ASIC，將整個(gè)智能屏核心電路放到液晶模組
2021-12-28 15:44:28
迪文T5L平臺(tái)COB結(jié)構(gòu)智能屏是基于迪文自主研發(fā)的高性價(jià)比雙核T5L系列芯片，將整個(gè)智能屏核心電路放到PCB板子上，集成整合觸摸屏（電阻觸摸和電容觸摸
2022-06-15 13:49:45
摘要：本文介紹了在單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域中RAM讀寫存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)在掉電時(shí)的三種保護(hù)方法及相應(yīng)的設(shè)計(jì)電路和軟件設(shè)計(jì)方法，以便更可靠地保護(hù)RAM中的數(shù)據(jù)。關(guān)鍵詞：RAM 掉電保護(hù)
2010-05-31 09:47:41
29 針對(duì)A類接口的讀寫器不能對(duì)B類CPU卡進(jìn)行讀寫的問題,介紹一種可以對(duì)3V的B類卡片進(jìn)行讀寫的5V接觸式IC卡讀寫器,闡述了其硬件電路結(jié)構(gòu)和單片機(jī)固件程序,介紹了對(duì)其進(jìn)行操作的簡(jiǎn)單
2010-10-08 16:27:190
圖2．2 （1）靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖
2008-04-01 17:36:398708 
1024 X4位RAM（2114）的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:29:046231 
雙端口RAM的并口設(shè)計(jì)應(yīng)用
摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨(dú)立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口R
2010-03-03 19:25:551754 
滿足市場(chǎng)需求，提高讀寫器的讀寫效率，提出了一種超高頻讀寫器的設(shè)計(jì)方案，介紹了讀寫器的系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上闡述了RFID讀寫器的軟件設(shè)計(jì)流程以及防沖撞算法的實(shí)現(xiàn)。相對(duì)
2011-11-03 15:20:5780 【LabVIEW從入門到精通】5.2.4.1b 單片機(jī)C51程序燒寫過程
2016-01-08 15:47:020 單片機(jī)擴(kuò)展外部ROM或RAM讀寫時(shí)序，PPT介紹。
2016-12-12 21:36:199 pygit是一個(gè)大約500行Python代碼工具，實(shí)現(xiàn)了一些git功能，包括創(chuàng)建庫(kù)、將文件添加到索引、提交、將自身推送到GitHub上去。 本文給出了一些代碼編寫過程，并詳細(xì)介紹了相關(guān)代碼。 Git
2017-09-30 10:08:070 一個(gè)SLICEM里面有4個(gè)LUT，他們可以組合得到多種大小的RAM。首先就是四端口的32x2bits的RAM，支持一次性讀寫2bits，原理如下圖。四個(gè)LUT的寫數(shù)據(jù)端口DI1，DI2，寫使能WE，寫地址WA共用，稱為寫控制信號(hào)共用。讀地址A分別控制。
2018-10-30 10:28:4010404 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MLX90640紅外陣列傳感器的底層驅(qū)動(dòng)程序測(cè)試演示，是個(gè)完整的Keil工程，包含了EEPROM、寄存器和RAM的讀寫過程,16位32位MCU都可以用。
2019-10-12 08:00:00111 STM32F0xx_SPI讀寫(Flash)配置詳細(xì)過程
2020-04-07 11:40:284534 
ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入
2020-12-09 14:25:0514861 
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2022-02-08 15:50:4912183 
本文重點(diǎn)介紹以太網(wǎng)工業(yè)級(jí)雙通道讀寫器讀寫頭CK-FR102AN-E00開發(fā)手冊(cè)之讀寫過程與操作流程，歡迎發(fā)燒友交流與溝通!
1、讀寫器讀寫過程
PLC、電腦發(fā)送讀寫數(shù)據(jù)命令到讀寫器，讀寫器響應(yīng)命令后獲取電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)，讀寫數(shù)據(jù)成功回復(fù)相關(guān)數(shù)據(jù)到PLC、電腦端
2021-02-03 22:03:54132 
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2021-03-15 06:09:4514 提示：文章寫完后，目錄可以自動(dòng)生成，如何生成可參考右邊的幫助文檔文章目錄前言一、EC RAM是什么？二、使用步驟1.高級(jí)配置和電源接口(ACPI)規(guī)范2.EC RAM讀寫過程總結(jié)前言提示：這里可以
2021-12-04 11:36:1222 ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的...
2022-01-25 20:03:251 。本來的含義是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是說這種存儲(chǔ)器只能讀，不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫。這個(gè)詞的由來是因?yàn)樵缙诘挠?jì)算機(jī)曾經(jīng)使用磁鼓作為內(nèi)存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設(shè)備。RAM則可以隨機(jī)讀寫。
2023-03-30 14:53:271941 APB3是一個(gè)低功耗低成本接口。所有信號(hào)在時(shí)鐘上升沿傳輸，每次傳輸需要兩個(gè)時(shí)鐘周期。
2023-03-31 17:26:211397 
設(shè)計(jì)都涉及到對(duì)RAM的讀寫操作。在FPGA芯片中，RAM也叫做存儲(chǔ)塊（Block RAM），可以存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。 FPGA中的RAM可以一次讀取多個(gè)數(shù)據(jù)，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM的結(jié)構(gòu)是一個(gè)多列的數(shù)據(jù)表格，其中每一列都是一個(gè)包含多個(gè)存儲(chǔ)單元的塊。通過在時(shí)鐘的一次上升沿來讀取RAM中的數(shù)據(jù)，這個(gè)操作必須在一個(gè)
2023-10-18 15:28:20598 統(tǒng)計(jì)有效數(shù)據(jù)包的個(gè)數(shù)。 假設(shè)數(shù)據(jù)中存在pkt_id，pkt_id為0~63，則ram的深度為64。pkt_id用于作為讀寫地址。RAM讀延時(shí)為3個(gè)時(shí)鐘周期。
2023-11-17 17:36:16296 
FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口，可以對(duì)同一存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀寫操作，從而實(shí)現(xiàn)并行訪問。
2024-03-15 13:58:1481
電子發(fā)燒友App
=0，選中該片ram為工作狀態(tài)。讀/寫操作有效：
=1，讀出信息;
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論