雖然EEPROM和閃存通常是大多數應用中非易失性存儲器（NVM）的首選，但鐵電RAM（FRAM）為能量收集應用中的許多低功耗設計（如無線傳感器節點）提供了明顯的優勢。智能電表和其他數據記錄設計。憑借
2019-03-18 08:08:00
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西部數據公司(NASDAQ: WDC)今日宣布推出一系列新產品，旨在滿足用戶對于高耐久度存儲解決方案日益增長的需求——尤其是針對工業、智能和先進制造（包括多種物聯網設備）等需要在嚴苛環境中操作的應用
2019-09-26 05:15:003650 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
64－Kbit FRAM是什么？為什么要開發一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統EEPROM相比，有哪些亮點？FRAM RFID有哪些創新應用案例？
2021-05-21 06:53:14
你好，我正在設計一個16或32個FRAM（SPI）設備的存儲器陣列，用于電池操作的數據表，用于遠程戶外位置。我已經查閱了CY15B104Q（512K×8）數據表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機/睡眠電流規格與EEPROM的待機/睡眠電流規格差不多。有功電流中的差異對功耗產生巨大影響，特別是當應用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
EDR實施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續存儲最新的1到5 s的數據，而閃存陣列用于批量存儲較舊的數據。對于Excelon-Auto設備，有一
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術優勢解決系列應用瓶頸創新的FRAM 認證芯片促進應用創新
2021-03-04 07:54:14
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
內存FRAM 4K（512×8）位I2C
2023-03-29 21:29:54
MRAM與FRAM技術比較
2021-01-25 07:33:07
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內容在系統即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發送器讀取）。此外，在系統完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運行時對配置參數進行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
ucgui 儲存設備分析優勢使用儲存設備,會開辟一段內存，一系列繪圖操作保存這段內存中，僅在調用GUI_MEMDEV_CopyToLCD() 時 更新。相關函數 及步驟創建儲存設備
2022-01-21 08:23:58
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優點與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優勢：?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數
2023-04-07 16:26:28
能量收集應用提供了許多低功耗設計，例如無線傳感器節點，智能電表明顯的優勢，和其他數據記錄的設計。憑借其擴展的寫周期耐力和數據保留時間，FRAM技術可幫助設計人員滿足使用的FRAM芯片和基于FRAM
2016-02-25 16:25:49
之前在論壇里面發帖問了關于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
功耗要求。”在類似如上所述的系統中，FRAM 可帶來多種優勢。 結合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
您好!IAM使用FM25V01 128 kBIT（16 K×8）串行（SPI）F RAM。在將數據存儲到Flash中之后，希望從FLASH讀取完整內存區域的數據。是否有任何工具或設備，如PROM程序員直接讀取傾倒數據讀取這個FRAM。請幫忙。如果你知道任何工具建議我。
2019-09-25 13:41:48
寫入FRAM的零時鐘周期延遲 一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數據轉移到非易失性EEPROM內。當需要寫入幾千字節的數據時，會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫
2020-09-28 14:42:50
兆次代表了富士通FRAM產品本身性能優異的高讀寫耐久度，20年則是富士通專注FRAM、成功量產與不斷創新的寶貴經驗，37億顆表示了量產以來的累計出貨量。毫無疑問，富士通FRAM正在廣泛賦能各行各業的創新應用！”
2020-10-30 06:42:47
隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
較之閃存/EEPROM 具有哪些主要優勢？ 1) 速度。 FRAM 具有快速寫入的特性。 寫入到 FRAM 存儲器單元的實際時間小于50ns，這超越了所有其他存儲器的類似操作。 這大約比 EEPROM
2018-08-20 09:11:18
確保100倍以上的數據寫入速度和250倍的功耗降幅。此外，這種片上 FRAM 還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件
2011-05-04 16:37:37
你好！我在一個嵌入式項目中使用CY15B104Q FRAM。有誰有這個內存的C/C++驅動程序嗎？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hello! I'm using CY15B104Q FRAM
2019-06-28 09:20:28
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久
2014-06-19 15:49:33
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:45
25 本文首先介紹了FRAM 的特點；然后在分析了FRAM 配置及DSP 的SPI 通信模塊的基礎上，給出了FM25L256 與TMS320F2812 DSP 的接口電路的硬件設計。最后，文章給出了SPI模塊的初始化程序及DSP
2009-09-14 16:01:2018 富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優點:? 抗金屬，可在金屬環境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數據寫入：可提高數據寫入時的效率。? 穩定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
內存故障與分析
一、開機無顯示由于內存條原因出現此類故障是比較普遍的現象，一般是因為內存條與主板內存插槽接 觸不
2009-05-22 09:02:06478 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術，本文將論述FRAM的主要技術屬性，同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業內擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571568 上海，2016年3月9日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，將攜其FRAM鐵電隨機存儲器等自有產品線，以及代理產品線參加在中國上海舉行的“第十五屆慕尼黑上海電子展”（Electronica China 2016）。本次展會將于2016年3月15日至17日在上海新國際博覽中心拉開帷幕。
2016-03-09 10:47:521383 近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應用中。網上也有不少對FRAM技術的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網友總結的FRAM應用的心得，發布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統嵌入EEPROM的RFID的優勢。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應用。
2017-03-28 18:00:431652 
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。
2017-03-28 18:05:301459 富士通半導體因FRAM在醫療領域和智能電表中的解決方案及應用而備受業界矚目。FRAM在這兩個領域備受關注，這與它在醫療領域和智能電表行業內的有著巨大的優勢是分不開的。
2017-03-29 11:12:121117 和DRAM這些傳統易失性存儲器的級別。而且，FRAM的讀/寫耐久性能遠遠優于EEPROM和Flash存儲器。EEPROM和Flash存儲器能寫入大約100萬次（106次），FRAM最高可寫入1013次，或者說寫入次數可以達到前兩種存儲器的1000萬倍以上。
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014464 本文首先介紹了耐久性試驗的概念，其次介紹了耐久性試驗的目的及耐久性試驗標準，最后介紹了電子設備耐久性試驗的基本步驟。
2018-05-14 09:27:597640 FRAM 應用介紹
2018-08-15 08:28:005742 板卡存儲大廠影馳宣布，旗下ONE 240GB SSD固態盤歷時3個半月、持續109天的考驗，順利完成了耐久度測試，數據總寫入量達到715.5TB，期間無任何數據出錯。
2019-01-04 15:00:145302 
西部數據為工業4.0智慧工廠的生態和物聯網設備提供兼具高耐久度和低功耗的工業級存儲解決方案，以促成工業物聯網（IIoT）的構成。
2019-09-26 09:07:08503 富士通電子在過去約20年量產各種FRAM非易失性內存產品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來，這些產品被廣泛應用于可穿戴裝置、工業機器人與無人機。
2019-11-01 08:38:312627 和FLASH非易失性內存相比，FRAM在EDR應用上有三大關鍵優勢。對于那些有精確時間要求的應用來說，FRAM會立即具備非易失性。這些應用在系統發生故障時，最重要的數據，如數據記錄器通常會面臨風險。FRAM擦寫周期為10E+14，而EEROM為10E+6，FLASH為10E+5，。因此FRAM是數據記錄
2020-05-26 11:03:431080 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-07-03 10:27:44336 
最近出現的許多內存問題都以3D Xpoint的形式出現在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM（FRAM）在小型利基設備中得到了成功。 去年對新興內存年報，吹捧的ReRAM，MRAM
2020-07-24 15:17:57459 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 鐵電存儲器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比
2020-10-19 14:22:59626 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢？舉例說明：TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2020-12-06 10:00:001469 我們每天都在同內存打交道，但大家對內存真的了解嗎？上篇文章中，我們對服務器內存以及服務器內存技術有所介紹，為增進大家對內存的認識，本文將為大家介紹高頻率內存的優勢。此外，小編還將對虛擬內存加以探討。如果你對內存及其相關知識具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-12-06 17:43:005856 
內存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數據完整性的應用程序，內存耐用性是關鍵的系統性能特征和設計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 
獨特性能成就技術“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824 
本應用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通過跳線和修改代碼來創建一個集成EERAM 和FRAM（第二個源）的設計。
2021-04-16 10:04:567 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 
監控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統BMS應用 高燒寫耐久性，高速寫入操作： ?系統每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
存儲器的性能和耐久性設計，這些要求使FRAM成為理想的存儲選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應用 高速燒寫，高讀寫耐久性： 系統經常會會受到發動機關閉，導航，倒車攝像或電話進入時的干擾，高端的car infotainment需要實時記錄當前狀態，并在干擾之后回復當前
2021-05-04 10:15:00290 
的 FRAM 究竟用到了哪些領域呢？下面由富士通代理英尚微電子帶大家一起來看看吧 汽車工業 車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持續增加，因此對于高效能非易失性內存技術的需求也越來越高，因為當系統在進行資料分析或是其他數據處理時，只有
2021-04-24 10:56:48422 FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 仍有最大訪問（讀）次數的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個優勢： 1、壽命，讀寫的次數比較多， EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 表重要數據的標準元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應用，與智能電表類似，如非易失性與高寫入耐久性確保了準確、可靠的數據記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電，FRAM存儲器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數據寫
2021-05-08 15:41:37421 
工業物聯網的蓬勃發展，對數據鏈上如數據采集、數據記錄、數據處理等各個環節的應用提出了更高的要求。對于智能電表而言，數據記錄及存儲需要考慮準確記錄、非易失性、耐久度等多個方面的需求。因此智能電表方案
2021-05-11 17:18:08503 
FRAM是電力計量系統中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優點，FRAM在此領域迅速占領了市場；隨著電子設備和存儲數據需求的增多使得FRAM受到廣泛應用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統中。
2021-05-12 16:52:49616 FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-16 10:21:018 FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351 鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。FRAM鐵電存儲器
2022-02-17 15:33:241666 
、讀/寫循環壽命長、功耗低等特點。 ? FRAM 采用了哪些類型的應用程序？ FRAM已被用于需要小密度內存和頻繁數據寫入的應用中。應用示例是；OA設備（例如用于計數器和打印記錄的MFP），FA設備（例如用于存儲參數和數據記錄的測量設備和分析儀），金融終端（例如用于
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
內存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數據完整性的應用程序，內存耐用性是關鍵的系統性能特征和設計考慮因素之一。
2022-11-30 16:49:39310 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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