9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1209 NAND Flash存儲(chǔ)器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲(chǔ)存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲(chǔ)器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171185 
受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128508 
近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231531 通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái)，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212124 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。基本的存儲(chǔ)器種類見圖基本存儲(chǔ)器種類。
2022-10-18 16:31:486955 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321693 
存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場(chǎng)景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命，因此適合用來(lái)存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231940 
近期，加快芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國(guó)科技企業(yè)最重要的議題之一，中國(guó)存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量，以爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額。
2020-09-23 10:05:432660 主要的產(chǎn)品，具備非易失、高密度、低成本的優(yōu)勢(shì)，NAND FLASH的這些特點(diǎn)由其特殊架構(gòu)決定。在SLC NANDFLASH中，數(shù)據(jù)是以位（bit）的方式保存在Memory Cell中，一個(gè)Cell存儲(chǔ)一
2020-11-19 09:09:58
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來(lái)解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，因而常用于存儲(chǔ)各種固化程序和數(shù)據(jù)。可以用于存放boot-----FlashFLASH EEPROM 又稱閃存，快閃。flash可擦寫，在單片機(jī)中用于存儲(chǔ)程序。因?yàn)闅v史原因，很多人還是將 Flash 叫做 ROM.....種類有nandflash ，norflash等等...
2021-12-10 06:34:11
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
前言
嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)
2023-09-26 17:40:35
一個(gè)存儲(chǔ)芯片來(lái)緩存拍攝完的圖片。2、寫入速度要求快，這個(gè)時(shí)候普通的NOR Flash和 NAND Flash它們滿足不了這種快速寫入需求。而SD NAND可以。3、協(xié)議棧，以前的打獵相機(jī)存儲(chǔ)在本地
2019-04-26 18:40:02
SD卡、嵌入式SD卡等。它的主要優(yōu)勢(shì)在于解決了主控器（例如STM32系列的MCU單片機(jī)）使用NAND FLASH、SPI NAND FLASH、eMMC等存儲(chǔ)器時(shí)需要自行管理NAND FLASH
2024-01-24 18:30:00
前言:
很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲(chǔ)芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過(guò)程以及部分設(shè)計(jì)。
深入了解該產(chǎn)品：
拿到這個(gè)產(chǎn)品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
FlashMemory有哪些種類？eMMC、UFS、NAND Flash是如何定義的？
2021-06-23 14:50:51
＋RAM的設(shè)計(jì)，這種取長(zhǎng)補(bǔ)短的設(shè)計(jì)能夠發(fā)揮NOR和NAND各自的優(yōu)勢(shì)。除了速度、存儲(chǔ)密度的因素，設(shè)計(jì)師在選擇閃存芯片時(shí)，還需要考慮接口設(shè)計(jì)、即插即用設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)程序等諸多問(wèn)題，因?yàn)閮?b class="flag-6" style="color: red">種類型的閃存在上述幾個(gè)方面也有很多
2014-04-23 18:24:52
，設(shè)計(jì)人員也可以把兩種閃存芯片結(jié)合起來(lái)使用，用NOR芯片存儲(chǔ)程序，用NAND芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，使兩種閃存的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。事實(shí)上，這種聰明的設(shè)計(jì)早已普遍應(yīng)用于手機(jī)、PocketPC、PDA及電子詞典等設(shè)備中了。在
2013-04-02 23:02:03
Flash memory是非易失性存儲(chǔ)的，可用于FPGA或者車載芯片上的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的加載。Flash Memory根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，F(xiàn)lash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND
2022-07-01 10:28:37
。 我們也總結(jié)了一下，這位客戶需要的是一款大容量、非SPI接口、而且又支持系統(tǒng)啟動(dòng)接口的存儲(chǔ)芯片，非常巧，客戶的CPU是支持SDIO接口啟動(dòng)的。 SD NAND就成了客戶的不二選擇。 CS品牌SD
2019-09-24 15:07:41
NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應(yīng)用是
2018-06-14 14:26:38
：
大家好，請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項(xiàng)目需要保存900M以上字節(jié)，nand flash 比較貴。或者有什么便宜的存儲(chǔ)芯片提供。謝謝！
傳統(tǒng)做法無(wú)非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)非常
2023-04-18 23:03:42
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
前言
大家好，我們一般在STM32項(xiàng)目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中，經(jīng)常會(huì)用到存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今天我和大家來(lái)介紹一款存儲(chǔ)芯片，我這里采用（雷龍） CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
什么是SLC NAND？它有什么特點(diǎn)嗎？和SPI NOR FLASH相比，SLC NAND有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 07:26:48
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
，ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲(chǔ)器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中，我知道，例如，直接訪問(wèn)與處理器或DMA控制器的使用。除了QDR、DDR存儲(chǔ)器之外，哪種類型的同步SRAM用于外部存儲(chǔ)器。感謝和問(wèn)候蘇巴什
2019-08-15 07:02:35
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
增長(zhǎng)也是非常可觀的。近些年穿戴式手表產(chǎn)品應(yīng)用的逐漸增多，也讓CS SD NAND有了用武之地，最近就有做穿戴式手表的客戶找到我們，想要用到大容量存儲(chǔ)的東西，他們很疑惑該怎么辦。很多客戶也是找到我們，經(jīng)過(guò)
2019-04-25 16:08:09
有大佬用過(guò)SD NAND嗎？這種存儲(chǔ)拿來(lái)做產(chǎn)品方便嗎，穩(wěn)定性及可開發(fā)性怎么樣？在stm32平臺(tái)上使用SDIO接口驅(qū)動(dòng)SD NAND怎么樣？
2022-08-01 10:55:46
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)
2019-07-23 06:15:10
之前我們一直有在講SD NAND和T卡的對(duì)比介紹文檔，我們最近也遇到了客戶案例，在這里分享給大家。最近有一位客戶找到我們，他們的產(chǎn)品是應(yīng)用在管道工程上面的，需要用到大容量存儲(chǔ)。最開始他們選用的是T卡
2019-04-15 18:11:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-5 14:08 編輯
AM3354X 的BOOT+存儲(chǔ)的NAND用MT29F8G08ABACA還是MT29F8G16ABACA根據(jù)這個(gè)帖子http
2018-06-04 00:36:06
Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已
2010-04-12 13:42:171180 
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021096 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23771 
基于NAND Flash的存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)首先要解決壞塊問(wèn)題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機(jī)產(chǎn)生壞塊，因此為了提高設(shè)備的可靠性應(yīng)該將這兩種操作分散在閃存不同的塊
2011-04-25 11:10:101331 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動(dòng)并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)計(jì)所關(guān)注的問(wèn)題如壞塊處理從NAND 啟動(dòng)當(dāng)前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:10
76 提出一種適用于未來(lái)高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:4116 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13853 如何存儲(chǔ)MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450 NAND編程器:用于NAND存儲(chǔ)器的讀寫
2016-06-08 15:13:4916 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 ，能夠很好的完成復(fù)雜的數(shù)據(jù)信息處理。現(xiàn)在需要的更多的是如何有效的存儲(chǔ)和管理越來(lái)越多的數(shù)據(jù)，隨著對(duì)大容量存儲(chǔ)需求的日益迫切，NAND Flash因?yàn)槠渥陨淼奶攸c(diǎn)成為了嵌入式設(shè)備，特別是消費(fèi)類手持嵌入式設(shè)備的最主要存儲(chǔ)解決方案。目前針對(duì)NAND
2017-10-19 15:22:580 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003755 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050552 
目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00736 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109983 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366 Altera公司開發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設(shè)計(jì)在經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高性價(jià)比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00610 NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢(shì)明顯。頁(yè)是NAND中的基本存貯單元，一頁(yè)一般為512 B（也有2 kB每頁(yè)的large page NAND FLASH），多個(gè)頁(yè)面組成
2020-05-20 08:57:002769 
Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266587 目前在技術(shù)上，聲音的存儲(chǔ)大都使用大容量的NAND Flash，但一般按照文件系統(tǒng)的方式存儲(chǔ)，這對(duì)學(xué)生有一定的難度。本聲音播放器的聲音文件采用非文件方式存儲(chǔ)在NAND Flash中，這樣在不需要太多
2018-12-31 11:29:002880 
的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241687 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345464 
本視頻主要詳細(xì)介紹了私有云存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)，分別是速度優(yōu)勢(shì)、安全優(yōu)勢(shì)、統(tǒng)一管理、易于實(shí)現(xiàn)集中備份及容災(zāi)以及易于擴(kuò)展、升級(jí)方便。
2019-01-04 15:15:324462 近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365829 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522084 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281281 在考慮遷移到云端或多云存儲(chǔ)環(huán)境時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理員應(yīng)該考慮云存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)。例如，傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)對(duì)容量有限制，而云存儲(chǔ)服務(wù)提供前所未有的可擴(kuò)展性。此外，云存儲(chǔ)使管理員可以利用多租戶的優(yōu)勢(shì)，以及避免與數(shù)據(jù)遷移相關(guān)的麻煩。
2019-07-21 09:51:232660 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161668 存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器SCM能夠如同NAND閃存一樣保留其內(nèi)容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-11-24 10:31:221485 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052853 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152379 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512837 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46720 
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492028 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547130 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083861 
中國(guó)存儲(chǔ)器的努力已縮小到兩個(gè)最有前途的參與者，即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù) （CXMT），它們得到了蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:113470 
存儲(chǔ)背后的大腦：NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí) ， 只會(huì)談?wù)?NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:551464 隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠
2022-10-14 11:08:38525 
隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對(duì)
2022-10-24 15:24:53341 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32869 
* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)
2022-11-08 13:37:36579 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
2022-12-06 10:39:31333 在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578307 盡管NAND市況持續(xù)低迷，但供應(yīng)鏈傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)繼第2季率先調(diào)漲報(bào)價(jià)后，近期再度提升報(bào)價(jià)約5%，坐擁中國(guó)龐大內(nèi)需消費(fèi)市場(chǎng)，享盡主場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
2023-07-18 17:59:21799 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23578 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06501 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171472 存儲(chǔ)信息的方式有多種種類，它們?cè)诓煌膱?chǎng)景和需求下提供了各自的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。 一、傳統(tǒng)存儲(chǔ)方式 紙張存儲(chǔ)：最古老的存儲(chǔ)方式之一，通過(guò)紙張記錄文字和圖像信息。優(yōu)點(diǎn)是易于制作、便于閱讀和保存，但紙張容易
2023-12-01 13:36:091595 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:004035 兒童玩具的發(fā)展一直在不斷創(chuàng)新，而SD NAND作為一種多功能存儲(chǔ)器，為兒童玩具帶來(lái)了全新的應(yīng)用體驗(yàn)。無(wú)論是音樂(lè)和故事播放器，還是教育游戲和應(yīng)用，甚至是圖像和視頻存儲(chǔ)，SD NAND都能發(fā)揮重要作用。
2024-01-31 16:47:16231 
Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī)，肯定會(huì)考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45165 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39305 
在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144021
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