引 言

　　以ARM芯片為處理器核的嵌入式應用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們越來越多的青睞。包括工業(yè)控制領域、無線通信領域、網(wǎng)絡應用、消費電子、成像和安全產(chǎn)品等，如今，ARM微處理器及嵌入式技術的應用幾乎已經(jīng)滲透到了各個領域。其中ARM7作為ARM微處理器系列中的一員，是低功耗的32位RISC處理器。Samsung公司的S3C4510B、Philips公司的LPC20XX、LPC21XX、LPC22XX系列等都是ARM7處理器。這些為數(shù)繁多的ARM7處理器，因其片內(nèi)外設不同而各擅所長，但都應用同樣的ARM7TDMI核（或ARM7TDMI—S核，這是ARM7TDMI的綜合版本，這兩種核對處理器應用人員來說沒有區(qū)別）?？梢哉f，ARM7TDMI是目前使用最為廣泛的32位嵌入式RIsc處理器。ARM7TDMI核應用馮·諾依曼結構，處理器使用的存儲器中數(shù)據(jù)和程序指令不予區(qū)分，PC寄存器指向的存儲器單元，無論是ROM區(qū)還是RAM區(qū)，只要符合ARM指令的格式都可以執(zhí)行，這就為系統(tǒng)自修改提供了可能。在應用編程IAP（InApplicatAion Program）就是這樣的自修改程序。它先在RAM存儲器中寫人數(shù)據(jù)值，然后使PC指向該存儲段，把該段作為程序段來執(zhí)行。很多ARM7芯片自帶IAP處理器，應用其自帶的IAP處理器可以方便地對其片內(nèi)集成的Flash存儲器進行在應用編程，但幾乎所有的ARM核芯片均不支持片外IAP處理，因為片外Flash存儲器是用戶選型的，芯片生產(chǎn)廠家無法先知先覺，而不同F(xiàn)lash存儲器其編程時序也不盡相同，導致芯片生產(chǎn)廠家無法提供通用的IAP代碼。那么，如何對嵌入式系統(tǒng)的片外Flash存儲器進行在應用編程呢？這里分兩種情況：一是普通代碼存放在片外單獨1片F(xiàn)lash中，IAP代碼在另一片F(xiàn)lash中完成，此時只要依據(jù)Flash的操作時序執(zhí)行IAP代碼，完成擦除或寫入操作即可。這種情況雖然簡單，但應用了2片F(xiàn)lash；而IAP代碼很小，一般完全可以集成到1片中，所以這里對這種情況不予考慮。另一種情況是1片F(xiàn)lash中既要存儲普通代碼，又要實現(xiàn)IAP。下面以Phnips公司的LPC2210 和 Silicon storage Technology 公司的SST39VFl60為例，詳細討論這種情況IAP的解決方案。

　　1 硬件結構

　　1.1 LPC2210介紹

　　Philips公司的LPC22lO是一款基于支持實時仿真和嵌入式跟蹤的16／32位ARM7TDMI-SCPU的微控制器。芯片采用144腳封裝，有16 KB片內(nèi)靜態(tài)RAM，開放外部總線；通過外部存儲器接口可將外部存儲器配置成4組，每組的容量高達16 Mb，數(shù)據(jù)寬度8／16／32位均可；具有多個32位定時器、8路lO位PWM輸出、多個串行接口（包括2個16C550工業(yè)標準UART、高速I2C接口和2個sPI接口）以及9個外部中斷、多達76個可承受5 V電壓的通用I／O口，同時內(nèi)嵌實時時鐘和看門狗，片內(nèi)外設功能豐富強大；片內(nèi)晶振頻率范圍l～30 MHz，通過片內(nèi)PLL可實現(xiàn)最大為60 MHz的CPU工作頻率，具有2種低功耗模式——空閑和掉電，通過外部中斷將處理器從掉電模式中喚醒，并可通過個別使能／禁止外部功能來優(yōu)化功耗。以上特性，使其特別適用于工業(yè)控制、醫(yī)療系統(tǒng)、訪問控制和POS機，同時也非常適合于通信網(wǎng)關協(xié)議轉換器，嵌入式軟Modem，以及其他各種類型的應用。

　　1.2 SST39VFl60介紹

　　Silicon StoraLge Technology公司的SST39VFl60是一個lM×16b的CMOS多功能Flash器件，單電壓的讀和寫操作，電壓范圍3．O～3．6 V，提供48腳TSOP和48腳TFBGA兩種封裝形式。

　　該器件主要操作包括讀、字編程、扇區(qū)／塊擦除和芯片擦除操作。擦除和字編程必須遵循一定的時序，表l列出了扇區(qū)擦除和字編程過程及時序。擦除或編程操作過程中讀取觸發(fā)位DQ6將得到“1”和“O”的循環(huán)跳變；而操作結束后讀DQ6，得到的是不變的固定值。這是器件提供的寫操作狀態(tài)檢測軟件方法。

　　1.3 硬件連接

　　SST39VF160作為系統(tǒng)的程序存儲器，以LPC2210的CSO作為Flash的片選信號，處理器配置Boot引腳為16位數(shù)據(jù)總線寬度后，上電可直接執(zhí)行SST39VFl60中代碼。此Flash芯片為16位數(shù)據(jù)寬度，無字節(jié)控制總線，所以應用中不使用LPC2210的BLS引腳。系統(tǒng)結構示意圖如圖l所示。

　　2 軟件實現(xiàn)

　　2.1 IAP實現(xiàn)要點分析

　　在嵌入式應用系統(tǒng)中，通常要求記錄一些現(xiàn)場的傳感、交互輸入數(shù)據(jù)，通常把數(shù)據(jù)記錄在Flash存儲器中，以便下次上電能獲取以前的數(shù)據(jù)。如果系統(tǒng)程序和數(shù)據(jù)分開存儲，那么只要對存放數(shù)據(jù)的Flash器件進行編程即可。然而大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)，程序和需保存的數(shù)據(jù)都共存于同一Flash存儲器中，那么是否也如前所述，可對Flash存儲器直接編程呢？理論和實踐都表明不可以。先從理論上計算：LPC22lO允許的芯片核工作頻率（CCLK）范圍是10～60 MHz，存儲器讀訪問長度由存儲器組配置寄存器BCFG中讀訪問的長度域控制WSTl控制，其最大可用長度為35個CCLK，而SST39VFl60的扇區(qū)擦除典型時間為18 ms。下面是計算算式：

　　TRDmax=RDLenmax／CCLKmin=35／10×10一6=3．5 μs

　　．TD=18 ms》3．5μs

　　其中：TRDmax—最大讀訪問時間；

　　RDLenmix——最大讀訪問可用長度；

　　CCLKmin——最小核工作時鐘頻率；

　　Tp——扇區(qū)擦除典型時間。

　　算式得出扇區(qū)擦除典型時間遠大于最大讀訪問時間。這樣一來，如果再給某Flash寫數(shù)據(jù)，同時于其中預取指，那么因F1ash在執(zhí)行命令期間，對其他操作不響應，預取出的必定是其數(shù)據(jù)引腳上的不確定數(shù)據(jù)，預取指失敗。實踐也表明，如果在程序執(zhí)行過程中，對同一Flash進行扇區(qū)擦除，必定引起預取指中斷。

　　為了解決在同一Flash芯片存放程序并IAP這一問題，引進代碼重映射的思想。所謂重映射就是代碼先自復制到指定存儲區(qū)，然后跳轉到指定區(qū)的起點開始執(zhí)行。這里，lAP程序先自復制到LPC2210片內(nèi)SRAM中，然后跳轉到SRAM執(zhí)行l(wèi)AP代碼。前面說過，ARM7為馮·諾依曼結構，這就為IAP程序重映射提供了可能。

　　編寫可重映射代碼的關鍵是要解決程序中相對偏移的問題，ARM7指令系列中涉及相對偏移的指令主要有LDR／STR以及跳轉指令。這里的解決方案是：凡涉及偏移值的指令通通采用基址變址尋址方式，以PC寄存器作基址寄存器，以立即數(shù)為變址，這樣當程序塊整塊移動時，要加載的數(shù)據(jù)或跳轉的地址與當前Pc值的偏移值固定，解決了相對偏移問題。

　　2.2 扇區(qū)擦除

　　事先編程在Flash中的程序先自復制到SRAM指定的位置，然后，賦PC為SRAM中扇區(qū)編程代碼段的起點ERASEPART。程序于SRAM中的ERASEPART起點開始執(zhí)行，按照SST39VF160扇區(qū)擦除的時序要求開始擦除。按照ARM公司提出的ATPCS規(guī)定，C語言程序調用匯編程序時，寄存器R0一R3傳遞參數(shù)，返回值由寄存器RO傳遞原則，扇區(qū)擦除程序的一個參數(shù)，要擦除的扇區(qū)號，由RO傳遞；返回參數(shù)置于R0，扇區(qū)擦除成功返回“1”，否則返回“0”。

　　2.3 字編程

　　程序于SRAM中的PROGRAMPART起點開始執(zhí)行，按照SST39VFl60字編程的時序要求開始編程。入口參數(shù)有三個，依次為編程地址、數(shù)據(jù)起始地址、編程數(shù)據(jù)長度。字編程成功返回“1”，否則返回“0”。

　　3 結論

　　在嵌入式應用系統(tǒng)中，IAP是極為有效的一種技術。根據(jù)本文提出的方案，在實際應用中只需針對選用的Flash，更改特定的擦、寫操作代碼就可實現(xiàn)系統(tǒng)片外存儲器的在應用編程。文中提出的IAP代碼重入到SR—kM執(zhí)行的方法，有效地解決了應用無片內(nèi)程序存儲器的32位ARM處理器的嵌入式系統(tǒng)IAP難題，有很大的應用價值。