上海，2013年3月25日 –富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片。

　　圖1：MB85RS1MT和MB85RS2MT

　　兩款新型產品保證有10萬億次的讀寫次數，大約是現有芯片的10倍，適合用于智能電表、工業機械和醫療設備。與容量相同的EEPROM相比，寫入時可減少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系統存儲器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持數據的電池）所需的技術集成到單一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面積和功耗。這相應地極大地有助于開發小型和節能設備，使維修更加簡易，因此不再需要備用電池。

　　FRAM具有兩種特性：非易失性，即使關閉電源也能保存數據；隨機存取，可以快速寫入數據。即使發生突然電源故障和停電時，FRAM也可以安全存儲正在寫入的數據，所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數據。憑借該能力，自從1999年量產后，富士通半導體的FRAM產品一直廣泛應用于工業自動化設備、測量設備、銀行終端以及醫療設備等。

　　作為對其FRAM 產品陣容的更新，富士通半導體最近開發了MB85RS1MT （1 Mbit） 和 MB85RS2MT （2 Mbit），這兩款產品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產品。該系列產品讀寫次數提高到10萬億次，是富士通現行FRAM產品的10倍，因此可為實時連續數據記錄提供更好的支持。

　　對于包括智能電表和其它測量設備、工業機械以及醫療設備（如助聽器）－所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器－現在可以使用富士通半導體的新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高，同時可使由于電壓突然下降或者停電引起的數據丟失風險降至最低。針對寫入時所消耗的電量，新產品比EEPROM少消耗92%的電量，可以延長電池壽命。

　　展望未來，富士通半導體將繼續提供解決方案，幫助客戶提高終端產品的性能，促進客戶現場設備的維護，并最大程度地降低風險。

　　圖 2：讀寫次數比較

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　　圖 3：功耗比較

　　圖 4：占板面積比較

　　樣片發布日程

　　關于樣片價格，請咨詢當地銷售代表。

　　關于富士通半導體（上海）有限公司

　　富士通半導體（上海）有限公司是富士通在中國的半導體業務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島和武漢等地均設有分公司，負責統籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現場技術支持服務。

　　富士通半導體（上海）有限公司的產品包括專用集成電路（ASIC）、單片機（MCU）、專用標準產品（ASSP）/片上系統（SoC）和系統存儲芯片，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應用于廣泛領域。在技術支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設計中心和解決方案設計中心，通過與客戶、設計伙伴、研發資源及其他零部件供應商的溝通、協調，共同開發完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內的完整的亞太地區設計、開發及技術支持網絡。欲了解更多信息，請訪問網站：http://cn.fujitsu.com/fss。