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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>美高森美推出滿足油氣行業(yè)鉆井探測環(huán)境的高溫快閃存儲器產(chǎn)品

美高森美推出滿足油氣行業(yè)鉆井探測環(huán)境的高溫快閃存儲器產(chǎn)品

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ST推出閃存容量高達512KB的STM32F3微控制

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半導(dǎo)體存儲器的分類

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2020-09-01 19:40:50

運行功能存儲在外部存儲器

PIC24設(shè)備,它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲器(RAM)開始從那里執(zhí)行。具有擴展程序存儲器接口,所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴展存儲器,然后跳轉(zhuǎn)到PC,這個選項在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16

鐵電存儲器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長

閃存)結(jié)合起來。鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜(Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲器的技術(shù)原理

,中心原子保持不動,存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新,掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存,速度而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上,并置
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲器的技術(shù)原理

,中心原子保持不動,存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新,掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存,速度而且不容易寫壞。鐵電存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上,并置
2011-11-21 10:49:57

閃速存儲器的分類及特征

同等程度以上的高速隨機存取性。因為寫人操作也采用了隧道方式,所以較小的寫入電流就可完成寫人操作。又因數(shù)據(jù)置換所需要的電壓升壓電路可以設(shè)計于芯片內(nèi)部,因此可以進行低電壓的單一電源操作。AND閃速存儲器
2018-04-09 09:29:07

集成鐵電存儲器的MCU有何作用

集成鐵電存儲器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

存儲設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲器

S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲器  1.8 V帶CMOS I/O的單電源  具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17

新型串行閃存滿足大容量存儲應(yīng)用需求

128Mb以上的串行閃存被認為是電子產(chǎn)品滿足市場需求、增加更多功能的一個主要障礙,針對需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求,美光科技 (Micron Technology)推出一個簡單的獨一無二的擴
2010-10-11 11:36:2254

旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器

旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器 全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677

滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應(yīng)用電路

滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應(yīng)用電路 德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它
2010-02-04 09:35:34532

高性能20納米級NAND閃存存儲器

高性能20納米級NAND閃存存儲器 SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片,用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091

嵌入式快閃存儲器(Flash Memory)技術(shù)

隨著數(shù)碼時代的來臨,除了PC外,越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進入我們的家庭:移動電話、掌上電腦、數(shù)碼相機、GPS等等,這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動微存儲器。這些存儲器中很大部分是快閃存儲器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:033867

Spansion推出HyperRAM 存儲器

Spansion公司宣布推出首款配備HyperBus?接口的RAM產(chǎn)品。作為HyperFlash?的配套設(shè)備,SpansionHyperRAM?存儲器可實現(xiàn)簡約而經(jīng)濟高效的SoC和微控制器(MCU
2015-03-05 16:30:595668

閃存存儲器是寄存器嗎?_寄存器和存儲器的區(qū)別

閃存存儲器是寄存器嗎? 很明顯不是 ,一個屬于儲存器,一個是寄存器。那么寄存器和存儲器有什么區(qū)別呢? 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部,它的訪問速度快,但容量小(8086微處理器只有14個16
2017-10-11 17:12:2111741

一站式的非揮發(fā)性存儲器讓低容量快閃存儲器重現(xiàn)商機

存儲器芯片價格還在上漲的同時,質(zhì)量就決定勝負的重要關(guān)鍵,對旺宏而言,2017年的業(yè)績大幅成長,完整產(chǎn)品組合,提供一站式的非揮發(fā)性存儲器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲器重現(xiàn)商機。
2017-12-18 13:09:16991

旺宏NOR快閃存儲器 形塑超高省電應(yīng)用與發(fā)展

隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進,芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際,同步也朝向更省電的發(fā)展推進,旺宏電子(Macronix)自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲器產(chǎn)品,以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:391443

2017年旺宏以在NOR型快閃存儲器的市占率約30%成為全球霸主

旺宏昨日召開財報會表示,2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%,旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來
2018-02-01 05:34:011107

閃存儲器控制器選擇技巧

現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點,并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255

手機、pc該怎樣正確選擇快閃存儲器

代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點,并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396

存儲器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器,性能獲重大提升

是新產(chǎn)品,普及還要一段時間,目前 3D TLC 快閃存儲器如何發(fā)展,依然是關(guān)鍵。24 日,東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤,是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲器首發(fā),讀取
2018-07-26 18:01:002026

JDR電纜與美國油氣鉆井服務(wù)供應(yīng)商簽訂五年協(xié)議

日前,系統(tǒng)公司已與美國油氣鉆井服務(wù)供應(yīng)商Superior Well Services公司旗下Wild Well Control簽訂了為期五年的長期服務(wù)協(xié)議。
2018-10-14 10:19:00745

Macronix推出新型存儲器,以滿足高容量存儲需求

作為非易失性存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者,Macronix推出了一系列eMMC存儲器,以滿足高容量存儲和高可靠性應(yīng)用的需求。通過將閃存設(shè)計和管理方面的多年經(jīng)驗與先進的內(nèi)部NAND閃存制造技術(shù)相結(jié)合
2020-06-30 10:13:03346

閃存儲器和其它可編程元件的區(qū)別

閃存儲器的編程時間有時會很長(對于大的存儲器存儲器組可達1分鐘)。因此,此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動,否則快閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:00720

閃存存儲器你了解多少

人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤(SSD)正在徹底改變當今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因,因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:452880

搭載長江存儲閃存的消費級SSD產(chǎn)品推出

1月16號,長江存儲召開市場合作伙伴新春溝通會,紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來站臺,其中威剛還宣布將會率先推出搭載長江存儲閃存的消費級SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報的消息,長江存儲64層閃存存儲密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品
2020-01-17 14:43:553442

高溫存儲器的詳解及推薦

高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式: 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲器和半導(dǎo)體存儲器 存儲方式的不同可分為順序
2020-03-16 15:15:441447

石油高溫存儲器未來發(fā)展趨勢預(yù)測

主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲器技術(shù),以替代閃存技術(shù),更有效地縮小存儲
2020-04-03 15:01:30664

如何選擇石油測井高溫存儲器

青島智騰微電子主打的175度耐高溫大容量存儲器,具有高低溫下快速讀寫,可靠高、能優(yōu)良等特點。可長期工作在-45℃~175℃的惡劣環(huán)境中。它綜合了高能和低功耗操作,能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)
2020-03-14 10:11:14632

高溫存儲器的詳解及推薦

高溫存儲器的詳解及推薦 存儲器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式: 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲器)和外存(輔助存儲器) 存儲介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲器和半導(dǎo)體存儲器 存儲方式的不同可分為順序
2020-03-23 11:41:21941

FRAM存儲器技術(shù)在汽車高溫環(huán)境中的應(yīng)用

為了讓FRAM存儲技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)引擎蓋下的應(yīng)用,必需開發(fā)出把兩部分溫度圖考慮在內(nèi)的數(shù)據(jù)保持規(guī)格。第一部分是行駛壽命;第二部分是車輛總體壽命中行駛以外的剩余部分。車輛壽命的高溫部分以沒有大維修的250
2020-04-06 10:41:00691

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

油氣存儲區(qū)環(huán)境在線監(jiān)測解決方案

XKCON祥控油氣存儲區(qū)環(huán)境在線監(jiān)控系統(tǒng)對于石油儲備、石油化工企業(yè)的安全生產(chǎn)起到監(jiān)測和報警的重要作用,能夠及時發(fā)現(xiàn)溫度和氣體濃度等環(huán)境要素異常,提高油氣存儲環(huán)境的安全監(jiān)管力度。
2023-02-15 11:29:50257

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