7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。

　　SanDisk公司目前在其新的BiCS （Bit-Cost Scalable NAND Bit-Cost可擴展NAND）產品，它可能是在2015年第四季度交付，或在2016年。

　　Objective Analysis的顧問及分析師Jim Handy表示，“BiCS不是堆疊芯片，它是昂貴的。這是疊加位在同一塊芯片上。NAND被制成成垂直串位，而不是今天的水平的字符串。”

　　這對晶圓代工水平要求是苛刻的，因為它從根本上改變了NAND。比如縮小現有的流程從34納米NAND到28 nm NAND，流程中的步驟通常保持不變。BICS并非如此，“一個最值得關注的問題是，它改變了整個過程。半導體制造商調整他們的晶圓廠從一個過程到下一個移動通過更換工裝的10-25%，但是BICS的出現這將是75%的大部分進行全新更換。”

　　分析師說，“涉及蝕刻/沉積，而不是像現有2D NAND盡可能多的光刻。”

　　NAND生產成本

　　整點收縮是縮小芯片的面積來降低成本。堆疊芯片仍消耗相同的區域所以它不執行任何操作來減少成本，但是創建垂直結構（3D NAND或FinFETs）中為一個給定的區域集成更多的晶體管/位，所以芯片可以做得更小，更便宜。

　　如果一個NAND芯片面積減少，你可以削減更多的他們從一個標準的晶圓成本，因此，每個芯片的成本下降。

　　（P-BIC碼具有“U”形的NAND串在背柵極底部部分，以減少寄生電阻。并沒有在CGS之間擴散。選擇具有不對稱的源極和漏極結構門，以減少電流關閉。）幻燈片內容

　　東芝BICS技術幻燈片

　　SandDisk BiCS的時間表并不取決于它能成為第一個市場，分析師認為。 “SanDisk公司，在其5月投資者會議上，做了一個非常大的指向說，他們不會被推出BICS，直到它被證明相對于1Z能提供更好的投資回報率”。

　　“盡管如此，”分析師繼續講道，“有的內部投資分析師質疑為什么公司會落后于三星，有傳言說今年他會介紹它的3 d NAND今年。似乎他們不明白兩者之間的不同，是成為第一市場，還是要第一個利潤。”

　　SanDisk的1Z術語是指至10nm比16nm以下，這是一般所理解的1Z內的單元格的大小。