3D NAND閃存高密度技術正變得越來越激進。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數量來實現。通過這種三維堆疊技術和多值存儲技術（用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
7050 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151204 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發展 3D NAND是當前SSD中常用的閃存技術。換句話說
2019-10-04 01:41:004991 3D NAND仍然是其主要閃存產品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發轉向批量生產，現在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:555462 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:23988 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161205 3D NAND的好處自然就是能夠比現在的閃存提供功能大的存儲空間，存儲密度可以達到現有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。
2015-06-01 11:51:372614 三星已經連續推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態硬盤產品，2015年8月正式量產首款可應用于固態硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 月初，DRAMeXchange研究稱，NAND閃存顆粒的供應價格將持續攀升到明年Q1，由此帶動SSD漲價。
2016-12-22 09:31:15856 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:128497 
據外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 ，重量輕，強度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質3D NAND閃存產品及解決方案，讓記憶承載夢想。 長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據悉，長江存儲將在未來推出致鈦品牌的SSD產品。根據官方發布的海報來看，這款產品應該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:142934 SK海力士發布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423108 隨著3D閃存技術的發展，容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應用，對于數據可靠性的要求也變得越來越復雜。
2020-12-11 13:50:56835 我們將會介紹SSD市場的一些最新發展，如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術，使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
NAND FLASH就是通過die堆疊技術，加大單位面積內晶體管數量的增長。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲容量，若采用48層TLC 堆疊技術，存儲密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
大, 容量大，讀寫快。eMMC與SSD聯系eMMC和SSD主要是滿足不同需求而發展出來的NAND應用，相同點都是控制器加NAND顆粒組成的存儲介質，我們可以這樣理解，單顆閃存芯片制作的eMMC，相當于
2019-06-24 17:04:56
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業大咖，與行業人士共同探討3D NAND技術的發展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優勢
2018-09-20 17:57:05
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
本文介紹的三個應用案例展示了業界上先進的機器視覺軟件和及其圖像預處理技術如何促使2D和3D視覺檢測的性能成倍提升。
2021-02-22 06:56:21
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫?復制到3D庫不能用.`
2013-08-21 12:42:02
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
優勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產和研發中來，存儲產品也開始走向了3D時代。在這些廠商發展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態驅動器(SSD)等產品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:13988 英特爾：不屑NAND競爭，力奪SSD龍頭
芯片龍頭英特爾(Intel)的NAND閃存事業群新主管透露，該公司立志成為固態儲存(SSD)領域的一哥，但令人驚訝的是，他們沒興趣在NAND市
2010-02-09 09:13:48615 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 英特爾今天宣布發布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 據IHS iSuppli公司的NAND閃存動態簡報，盡管超級本領域使用的固態硬盤（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應商相比，專門生產快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14807 
現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05755 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規模生產，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當然也能拉低產品的售價。
2017-07-05 08:47:54573 目前，東芝和西數先后宣布成功開發基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
東芝在SSD技術上已經是領先各大廠商，東芝對于64層堆疊設計的3D TLC閃存真是愛的太深，產品布局之神速令人驚嘆。現在又將64層堆疊設計的3D TLC閃存帶到了企業及產品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272081 以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當前由數據驅動的新興移動應用需求，從而為3D NAND快閃存儲器的進展鋪路…
智能手機使用者不斷尋求更好的移動體驗，除了提升裝置的處理
2018-06-07 07:44:00744 
三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 NAND Flash控制IC大廠群聯日前宣布，PCI-e規格的固態硬碟（SSD）晶片已經通過3D NAND Flash BiCS3測試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場主流規格，將可望擴大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:211946 今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 東芝宣布已經進行開發擁有當前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D NAND 技術，對比現在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:003673 Maxio（杭州聯蕓科技）日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品，容量高達4TB。
2018-08-19 11:42:401123 非揮發性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發，預計2018年或2019年量產，并進軍固態硬盤（SSD）市場。
2018-09-17 16:30:301863 了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可
2018-10-08 15:52:39395 11月15日， 國產知名SSD主控芯片原廠聯蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:373673 據業內人士預測，NAND閃存價格的大幅下滑將加速SSD存儲的采用，到今年底前PCIe/NVMe SSD可能將占據市場一半的份額。
2019-04-02 10:34:432724 的V-NAND閃存，目前已經發展了三代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:135973 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791 作為 Intel 600p 的繼任者，新款 Intel SSD 665p 采用了相同的慧榮 SM2263 四通道主控，以及每單元 4 比特位的 QLC NAND 閃存。不同的是，新品已升級到了第二代 96 層 3D QLC NAND 。
2019-10-16 10:27:412416 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 據韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預測，基于固態硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學習和虛擬現實將引領明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 根據國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態硬盤產品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:193527 兩年前，美光發布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經得到全面升級，可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476 2020年4月13日，中國武漢，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內
2020-04-13 09:29:415557 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522653 長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:062793 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:002648 通常情況下，固態硬盤（SSD）的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數據存儲產生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330 作為國產存儲行業的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進，引發普遍關注，尤其是獨創了全新的Xtacking閃存架構，最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結構。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數字信息如何存儲在閃存設備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
，NAND閃存總容量也達到了5855億GB的市場需求（見圖2），其中，手機和消費級SSD仍然是主要的需求群體,緊隨其后的則是企業級SSD。 圖1 圖2 2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND
2022-12-26 18:13:09991 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 2Gb以下容量的 NAND型閃存絕大多數是（512+16）字節的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴大到（2048+64）字節。
2023-06-10 17:21:001983 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
閃存存儲設備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器、內存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495232 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21865 據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368
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