《IDC中國智能家居設(shè)備市場季度跟蹤報(bào)告》顯示,2018年第三季度中國智能音箱出貨量達(dá)到485萬臺(tái),同比增長39倍。其中,隨著百度的迅速崛起,中國智能音箱市場的競爭格局從二分天下發(fā)展為三足鼎立格局,阿里、小米和百度各自占有舉足輕重的地位。
2018-12-24 11:19:282239 存儲(chǔ)器業(yè)壟斷格局不可能一成不變,中國半導(dǎo)體業(yè)要涉足存儲(chǔ)器業(yè)是國家意志,不會(huì)改變,要相信中國半導(dǎo)體業(yè)會(huì)按照國際通用規(guī)則,一方面大力開發(fā)IP,同時(shí)會(huì)尊重與保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán),融合全球化之中。目前1xnm
2019-10-14 17:13:144413 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器經(jīng)過兩年價(jià)格崩跌,產(chǎn)值大減的負(fù)面循環(huán)之后,2013年首先出現(xiàn)價(jià)格反轉(zhuǎn)契機(jī)。今年以來主流產(chǎn)品4GB模組合約價(jià)上揚(yáng)近六成,帶動(dòng)服務(wù)器與移動(dòng)存儲(chǔ)器平均銷售單價(jià)止跌反彈,即使在位元供給年成長有限的情況下,今年度產(chǎn)值年成長可望大幅增長30%。
2013-06-04 10:59:452504 報(bào)導(dǎo),存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競爭結(jié)束后,三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 面對(duì)三星14nm工藝帶來的挑戰(zhàn),國產(chǎn)芯片華為旗下的麒麟的確有了應(yīng)對(duì)措施來穩(wěn)固三星、高通和華為三足鼎立的態(tài)勢。
2015-07-08 14:07:335236 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長江存儲(chǔ)、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:151561 近來,中國大陸在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的發(fā)展再次火熱起來,其中最引人關(guān)注的是合肥方面的動(dòng)作。據(jù)稱,合肥相關(guān)方面投資的合肥長鑫公司將投入約500億元,在合肥打造月產(chǎn)能12.5萬片的12英寸晶圓廠晶圓生產(chǎn)線。
2016-12-08 09:54:161575 之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 群智研究指出,自鴻海收購日本夏普以后,全球電視面板產(chǎn)業(yè)以南韓、中國大陸,及臺(tái)灣為主的新「三足鼎立」格局正在形成。
2017-04-18 08:37:11725 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌,存儲(chǔ)器封測廠受到客戶要求降價(jià),近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 等。為了解決對(duì)存儲(chǔ)器要求容量大,速度快,成本低三者之間的矛盾,目前通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu),即使用高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。名稱用途特點(diǎn)高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù) 存取
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
`這幾年以來,國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存,以期打破壟斷,尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言,三星占了全球80%的份額,成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前,三星一反常態(tài),放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
在本文中,我們將介紹一種新型的非易失性DRAM,以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件,但并非沒有缺陷。在本文中,我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
`` 經(jīng)常關(guān)注平板電腦的朋友們都不難發(fā)現(xiàn),近期平板界已經(jīng)呈現(xiàn)了三足鼎立的局面,隨著蘋果iPad mini以及iPad 4的相繼上市銷售,而以微軟Surface為首的大批Windows 8/RT平板也
2012-11-27 09:26:28
以分成SRAM(Static RAM:靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM:動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過來就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
)∵ 2^20= 1M ∴ 該存儲(chǔ)器能存儲(chǔ)的信息為:1M×32/8=4MB (2)(2^20/2^19)×(32/8)= 8(片)(3) 因擴(kuò)展后共2組,因此,需要1位地址作為芯片選擇。2. 已知某64位機(jī)主存采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,其地址碼為26位,若使用256K×16位的DRAM芯片組...
2021-07-29 09:05:07
第4章 存儲(chǔ)器教材課后思考題與習(xí)題:4.1解釋概念:主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存:主存儲(chǔ)器
2021-07-26 08:08:39
存儲(chǔ)器映射是什么意思?其映射過程是怎樣的?
2022-01-21 07:39:51
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
**第一至第三章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位,存取周期為200ns,則存儲(chǔ)器的帶寬是多少?存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息,例如R-S鎖存器和門控D鎖存器,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中,初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開始的,但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長,造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高,故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存儲(chǔ)器空間,將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0,重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM(五)各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND???mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數(shù)存儲(chǔ)器容量256Mb (16M x 16)存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)DRAM存儲(chǔ)器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲(chǔ)器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問題一:位圖都存儲(chǔ)在哪了?都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二:能不能將位圖存儲(chǔ)到外部內(nèi)存中?問題三:F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大?
2020-05-20 04:37:13
各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器,求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存器),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲(chǔ)器)。
2019-06-28 08:29:29
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-12-24 07:04:20
問:動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別?答:當(dāng)然動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個(gè)天一個(gè)地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的?分為哪幾類?為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新?如何進(jìn)行刷新?
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲(chǔ)器?
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM)。 (6) 混合型。 二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 (1)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計(jì)中,無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡化存儲(chǔ)器接口?
2021-05-06 07:23:59
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思?加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些?導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些?虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的?
2021-08-11 08:07:31
嵌入式領(lǐng)域由之前的DSP,ARM,F(xiàn)PGA三足鼎立,逐漸過渡到以片外互聯(lián)、片內(nèi)融合的趨勢,形成你中有我,我中有你的復(fù)雜關(guān)系。
2019-07-31 11:01:03
影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些?DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同?
2021-04-19 08:32:10
需求看淡 設(shè)備投資恐遞延存儲(chǔ)器價(jià)格下滑、資料中心的需求也有減緩的跡象,三星、SK海力士都出現(xiàn)縮小2019年半導(dǎo)體投資的征候。原先計(jì)劃進(jìn)駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設(shè)備時(shí)間延后,SK海力士也將新設(shè)
2018-12-24 14:28:00
存儲(chǔ)器可分為哪幾類?存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)?存儲(chǔ)器有哪些功能?
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ),大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行,這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器,這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH,程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH,請(qǐng)問這兩部分是不是有重疊?請(qǐng)具體詳解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
第三章多層次存儲(chǔ)器 習(xí)題本章題目有幾個(gè)考點(diǎn),可用[關(guān)鍵字]搜索。[字位擴(kuò)展]——存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展,以及組成邏輯框圖[DRAM]——DRAM的集中、分散刷新[字位擴(kuò)展] 已知某64位機(jī)主存采用半導(dǎo)體
2021-07-29 06:08:35
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)靜態(tài) RAM(SRAM)動(dòng)態(tài) RAM(DRAM)動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
(DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),電路結(jié)構(gòu)十分簡單(采用單管單電容1T-1C的電路形式),因此集成度很高,但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏,為了能
2022-11-17 16:58:07
而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失,因而只能在開機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種,一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器,只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714 為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半
2010-01-18 16:07:21499 TeliaSonera擴(kuò)容LTE網(wǎng)絡(luò) 三足鼎立局勢形成
據(jù)國外媒體報(bào)道,北歐運(yùn)營商TeliaSonera選擇愛立信和諾西擴(kuò)容其在瑞典和挪威的LTE商用網(wǎng)絡(luò),此前華為是奧斯陸LTE網(wǎng)絡(luò)的唯一
2010-01-20 10:00:49450 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中,輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里,可以說存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。
2016-12-07 10:09:12842 HVR 、DVR、NVR三足鼎立
2016-12-27 22:20:270 近年來,英特爾、三星與臺(tái)積電三足鼎立之勢已成,龍頭地位爭奪戰(zhàn)愈演愈烈。與此同時(shí),隨著智能硬件對(duì)芯片性能、功耗的要求提升,對(duì)先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競爭的主要手段之一。
2017-01-04 14:52:111232 今日,微博與市場調(diào)研公司賽諾聯(lián)合發(fā)布《2016年智能手機(jī)微報(bào)告》。該報(bào)告基于對(duì)2016年微博用戶活躍行為數(shù)據(jù)的定量分析。研究發(fā)現(xiàn),華為、OPPO、vivo三大國產(chǎn)品牌已形成“三足鼎立”的新格局。
2017-04-17 11:18:32889 日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端,包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊(DRAM),這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問,速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠,另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:401970 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器市場爆發(fā),DRAM市場前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場增長率達(dá)到60%,首次超越邏輯電路,成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 在動(dòng)力電池市場,方形、圓柱、軟包作為動(dòng)力電池“三劍客”過去一段時(shí)間一直處于三足鼎立狀態(tài),其中方形電池的市場份額領(lǐng)先于軟包和圓柱,但總體相對(duì)平衡。而如今這種局面已悄然發(fā)生改變,三足鼎立的平衡狀態(tài)已經(jīng)
2018-08-05 09:00:001565 在中國的力推下,新能源汽車的銷量持續(xù)高速增長,而在新能源汽車的核心技術(shù)——?jiǎng)恿﹄姵胤矫娈?dāng)下正呈現(xiàn)中日韓三足鼎立的格局,面對(duì)這個(gè)龐大以及事關(guān)汽車行業(yè)未來的領(lǐng)域,歐洲企業(yè)不希望落在后面,正欲在動(dòng)力電池新技術(shù)上取得后來居上的地位。
2018-09-10 09:44:00688 在整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈中,存儲(chǔ)芯片扮演著至關(guān)重要的角色,它好比行軍打仗的糧草,也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉”。存儲(chǔ)芯片分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,內(nèi)存主要為 DRAM,本文將主要給大家講解DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場,而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 世界上占有量最大的谷歌系統(tǒng)Android,還有排名第二的蘋果IOS。現(xiàn)在,誕生了華為鴻蒙系統(tǒng),華為能與之形成三足鼎立嗎?
2020-09-25 10:13:221425 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器,可讀可寫,分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 SRAM也是易失性存儲(chǔ)器,但是,與DRAM相比,只要設(shè)備連接到電源,信息就被存儲(chǔ),一旦設(shè)備斷開電源,就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多,它一般由6個(gè)晶體管組成,因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
評(píng)論
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