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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>誰能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局?

誰能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局?

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DRAM三足鼎立,NAND FLASH技術(shù)成制勝關(guān)鍵

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3倍薪水猛挖角 大陸存儲(chǔ)器廠瞄準(zhǔn)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)和DRAM

大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長江存儲(chǔ)、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶,以及
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國內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域發(fā)展成“三足鼎立”之勢

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DRAM存儲(chǔ)器為什么要刷新

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DRAM持續(xù)下跌 存儲(chǔ)器封測廠本季展望

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌,存儲(chǔ)器封測廠受到客戶要求降價(jià),近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
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DRAM,SRAM,SDRAM的關(guān)系與區(qū)別

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2012-08-15 17:11:45

DRAM存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)

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2020-12-10 15:49:11

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2021-05-12 08:06:46

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

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2020-09-25 08:01:20

三足鼎立時(shí)代 近期平板電腦新秀大匯總

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存儲(chǔ)器 IC 分類的糾結(jié)

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2012-01-06 22:58:43

存儲(chǔ)器章作業(yè)習(xí)題答案 精選資料分享

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2021-07-29 09:05:07

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存儲(chǔ)器映射是什么意思

存儲(chǔ)器映射是什么意思?其映射過程是怎樣的?
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存儲(chǔ)器的價(jià)格何時(shí)穩(wěn)定

感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19

存儲(chǔ)器的分類介紹 各種存儲(chǔ)器功能分類大全

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2017-10-24 14:31:49

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2017-12-21 17:10:53

存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)及其分類

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2021-07-29 06:21:48

存儲(chǔ)器的帶寬是多少?

**第一至第章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位,存取周期為200ns,則存儲(chǔ)器的帶寬是多少?存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
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存儲(chǔ)器重新映射(Remap)的原因

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2018-06-10 00:47:17

ARM存儲(chǔ)器有哪幾種呢

從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM(五)各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND???mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
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2018-12-24 14:28:00

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2021-10-20 06:46:21

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2011-11-29 09:50:46

淺析DRAM和Nand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ),大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行,這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器,這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35

程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH,程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH,請(qǐng)問這兩部分是不是有重疊?請(qǐng)具體詳解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22

計(jì)算機(jī)組成原理第五版(白中英)第章多層次存儲(chǔ)器 習(xí)題 精選資料推薦

章多層次存儲(chǔ)器 習(xí)題本章題目有幾個(gè)考點(diǎn),可用[關(guān)鍵字]搜索。[字位擴(kuò)展]——存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展,以及組成邏輯框圖[DRAM]——DRAM的集中、分散刷新[字位擴(kuò)展] 已知某64位機(jī)主存采用半導(dǎo)體
2021-07-29 06:08:35

計(jì)算機(jī)組成原理(3)——存儲(chǔ)器 精選資料推薦

方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)靜態(tài) RAM(SRAM)動(dòng)態(tài) RAM(DRAM)動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47

詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),電路結(jié)構(gòu)十分簡單(采用單管單電容1T-1C的電路形式),因此集成度很高,但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏,為了能
2022-11-17 16:58:07

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的相關(guān)資料推薦

。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失,因而只能在開機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種,一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器,只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì) 1、引言 當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo) 存儲(chǔ)器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半
2010-01-18 16:07:21499

TeliaSonera擴(kuò)容LTE網(wǎng)絡(luò) 三足鼎立局勢形成

TeliaSonera擴(kuò)容LTE網(wǎng)絡(luò) 三足鼎立局勢形成  據(jù)國外媒體報(bào)道,北歐運(yùn)營商TeliaSonera選擇愛立信和諾西擴(kuò)容其在瑞典和挪威的LTE商用網(wǎng)絡(luò),此前華為是奧斯陸LTE網(wǎng)絡(luò)的唯一
2010-01-20 10:00:49450

全球最薄動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993

[6.3]--存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器
jf_90840116發(fā)布于 2023-02-20 02:41:45

主流存儲(chǔ)器三足鼎立 國產(chǎn)之路任重而道遠(yuǎn)_存儲(chǔ)器,云計(jì)算,集成電路

存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中,輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里,可以說存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。
2016-12-07 10:09:12842

HVR 、DVR、NVR三足鼎立

HVR 、DVR、NVR三足鼎立
2016-12-27 22:20:270

半導(dǎo)體行業(yè)三足鼎立 誰將坐上芯片霸主之位

近年來,英特爾、三星與臺(tái)積電三足鼎立之勢已成,龍頭地位爭奪戰(zhàn)愈演愈烈。與此同時(shí),隨著智能硬件對(duì)芯片性能、功耗的要求提升,對(duì)先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競爭的主要手段之一。
2017-01-04 14:52:111232

華為OV三足鼎立,占據(jù)安卓手機(jī)半壁江山!占據(jù)市場份額秒殺其他一切安卓機(jī)!

今日,微博與市場調(diào)研公司賽諾聯(lián)合發(fā)布《2016年智能手機(jī)微報(bào)告》。該報(bào)告基于對(duì)2016年微博用戶活躍行為數(shù)據(jù)的定量分析。研究發(fā)現(xiàn),華為、OPPO、vivo三大國產(chǎn)品牌已形成“三足鼎立”的新格局
2017-04-17 11:18:32889

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

FPGA存儲(chǔ)器項(xiàng)使用DRAM的方法技術(shù)解析

FPGA中的存儲(chǔ)DRAM 某些FPGA終端,包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊(DRAM),這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問,速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740

紫光國芯攜手長江存儲(chǔ)開展DRAM合作

紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848

打破存儲(chǔ)器國外把持,紫光要圓自產(chǎn)夢,啟動(dòng)南京存儲(chǔ)器基地

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠,另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:401970

存儲(chǔ)器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND憂

目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

DRAM存儲(chǔ)器市場將保持量價(jià)齊增態(tài)勢

存儲(chǔ)器市場爆發(fā),DRAM市場前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場增長率達(dá)到60%,首次超越邏輯電路,成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074

電池行業(yè)三足鼎立的平衡狀態(tài)被打破,方形電池大“發(fā)威”

在動(dòng)力電池市場,方形、圓柱、軟包作為動(dòng)力電池“三劍客”過去一段時(shí)間一直處于三足鼎立狀態(tài),其中方形電池的市場份額領(lǐng)先于軟包和圓柱,但總體相對(duì)平衡。而如今這種局面已悄然發(fā)生改變,三足鼎立的平衡狀態(tài)已經(jīng)
2018-08-05 09:00:001565

動(dòng)力電池市場呈現(xiàn)中日韓三足鼎立格局 歐洲欲用電池新技術(shù)搶占地位

在中國的力推下,新能源汽車的銷量持續(xù)高速增長,而在新能源汽車的核心技術(shù)——?jiǎng)恿﹄姵胤矫娈?dāng)下正呈現(xiàn)中日韓三足鼎立格局,面對(duì)這個(gè)龐大以及事關(guān)汽車行業(yè)未來的領(lǐng)域,歐洲企業(yè)不希望落在后面,正欲在動(dòng)力電池新技術(shù)上取得后來居上的地位。
2018-09-10 09:44:00688

DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的?

在整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈中,存儲(chǔ)芯片扮演著至關(guān)重要的角色,它好比行軍打仗的糧草,也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉”。存儲(chǔ)芯片分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,內(nèi)存主要為 DRAM,本文將主要給大家講解DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器
2019-01-07 16:46:4915156

存儲(chǔ)器將與晶圓代工跨界經(jīng)營全新存儲(chǔ)器

過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場,而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742

中國將自主研發(fā)DRAM存儲(chǔ)器

業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653

華為鴻蒙被迫營業(yè) 華為想要的三足鼎立是否有戲

世界上占有量最大的谷歌系統(tǒng)Android,還有排名第二的蘋果IOS。現(xiàn)在,誕生了華為鴻蒙系統(tǒng),華為能與之形成三足鼎立嗎?
2020-09-25 10:13:221425

易失性存儲(chǔ)DRAM是什么,它的主要原理是怎樣的

DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686

DRAM、NAND和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752

關(guān)于存儲(chǔ)器的分類與介紹

隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器,可讀可寫,分為SRAM和DRAM,即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好,而成本較高,通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763

單片機(jī)的存儲(chǔ)器

Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器
2023-02-08 10:14:39547

SRAM存儲(chǔ)器的工作原理

SRAM也是易失性存儲(chǔ)器,但是,與DRAM相比,只要設(shè)備連接到電源,信息就被存儲(chǔ),一旦設(shè)備斷開電源,就會(huì)失去信息。 這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多,它一般由6個(gè)晶體管組成,因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282

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