FLASH存儲器（也就是閃存）就是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。

　　NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

　　“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處，因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

關于NOR

　　NOR是現在市場上主要的非易失閃存技術。NOR一般只用來存儲少量的代碼；NOR主要應用在代碼存儲介質中。NOR的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內執行（XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中，缺點是受到讀寫和擦除速度慢的性能制約。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場的大部分。

關于NAND

　　NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，但隨機存取的速率慢。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。

兩者區別

　　NOR型與NAND型閃存的區別很大，打個比方說，NOR型閃存更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬盤，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內運行，手機就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機的“內存”容量通常不大；NAND型閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產品，如閃存盤、數碼存儲卡都是用NAND型閃存。這里我們還需要端正一個概念，那就是閃存的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為閃存盤的性能瓶頸是在接口，甚至想當然地認為閃存盤采用USB2.0接口之后會獲得巨大的性能提升。

　　前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構設計和接口設計有關，它操作起來確實挺像硬盤（其實NAND型閃存在設計之初確實考慮了與硬盤的兼容性），它的性能特點也很像硬盤：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。

　　閃存存取比較快速，無噪音，散熱小。用戶空間容量需求量小的，打算購置的話可以不考慮太多，同樣存儲空間買閃存。如果需要容量空間大的（如500G），就買硬盤，較為便宜，也可以滿足用戶應用的需求。