NVMe SSD是未來的發展趨勢，隨著NVMe SSD在主存儲領域的大規模應用，面向NVMe SSD的存儲系統設計必將是一個熱門話題。RISL架構是一種NVMe SSD友好的存儲系統設計方法，符合了SSD的讀寫特性，可以很好的發揮SSD的性能優勢。

　　閃存介質的大規模使用給傳統存儲系統的設計帶來了強烈的沖擊，傳統存儲系統的很多設計理念不再適用于閃存存儲系統。傳統存儲在設計過程中緊緊圍繞磁盤抖動問題，所以在數據布局方面會適應磁盤的順序讀寫特征。在設計過程中會大量采用內存作為磁盤緩存，利用數據局部性特征過濾掉大量的磁盤操作，并且將小寫聚合成大寫;在IO調度器方面，通過LBA的調度將地址臨近的IO進行聚合，從而可以優化IO Pattern，使得磁盤的讀寫操作具有更強的順序性;在磁盤內部，通過NCQ方式減少磁頭的抖動，根據磁頭當前所在位置對輸入IO進行重新排序與調度，從而達到減少磁盤抖動的目的，提升磁盤訪問性能。但是在SSD這種介質上，磁盤所存在的IO特性已經蕩然無存，傳統對磁盤所做的大量優化并不能給SSD帶來價值，在有些情況下反而會影響性能。在基本存儲介質、存儲原理發生變革的情況下，存儲系統軟件的設計也需要做出調整，閃存系統設計一方面需要充分利用SSD帶來的價值，另一方面需要規避SSD所存在的問題。總的來說，如下圖所示，存儲系統設計需要緊緊圍繞應用與介質特性。磁盤和SSD相比存在一些共同的特性，但是各自又存在自己獨特的特性。為了更好的發揮SSD特性，滿足應用需求，需要設計面向SSD的存儲軟件系統。

　　面向SSD設計的存儲系統軟件，一方面需要發揮SSD的特性，另一方面需要規避SSD的問題。

　　NVMe SSD具有的特性可以歸納如下：

　　1， 具有極高的順序寫性能，一般的隨機寫性能。SSD內部采用日志型的寫入方式，新寫入的數據都會被寫入到新的NAND單元，并且建立LBA與PBA之間的映射關系。正因為如此，SSD內部存在垃圾回收機制，對無效LBA映射單元進行回收。垃圾回收會對SSD性能產生重大影響，通常所說的SSD穩態性能，就是在SSD內部垃圾回收單元正常運行情況下的測試結果。對于大塊順序寫來說，每次寫入的LBA都是連續的，因此可以大大簡化SSD內部的垃圾回收運行機制，減少垃圾回收過程中的數據搬移操作，從而提升SSD的整體性能。對于隨機寫操作，LBA地址與PBA進行雜亂映射，垃圾回收過程中存在大量的數據搬移操作，一方面影響SSD的寫放大;另一方面會造成SSD性能下降。因此，對于NVMe SSD來說，順序寫性能要高于隨機寫性能。為了最大程度的發揮SSD性能，對SSD盡可能采用順序寫入的方式，并且采用與SSD內部Data Frame對齊的大數據塊方式，這是對SSD最為友好的IO模式。

　　2， 具有極高的隨機讀性能。SSD內部采用NANDFlash存儲介質，對于這種介質不存在類似磁盤的隨機讀問題。對于讀請求，在SSD內部的固件首先將LBA轉換成PBA，然后從NAND介質上讀取數據。

　　通過SSD的讀寫特性分析，我們設計了以RISL架構為核心的存儲系統。RISL是Random Input Stream Layout的縮寫，該架構最大的特性是充分利用NVMeSSD的讀寫特性，將業務的隨機IO寫請求轉換成順序數據流寫入SSD。在RISL層將寫請求進行聚合，轉換成順序數據流之后再寫入存儲層，對于SSD而言可以做到順序寫入的效果，提升了SSD內部固件的工作效率，從而提升系統整體性能。在讀請求處理方面，RISL內部建立了請求映射表，通過請求映射表將用戶請求轉換至SSD請求，對于SSD而言實現了讀請求隨機訪問的目的。RISL架構的存儲系統框架如下圖所示：

　　RISL系統分成兩大部分，一部分是StorageService System，該部分負責寫請求順序化以及讀請求的映射處理，并且在寫請求處理過程中可以加入數據去重、壓縮等機制，更加高效的使用SSD存儲空間;另一部分是FlashRAID存儲層，對外提供存儲對象Container。FlashRAID提供的存儲對象分為兩大類，一類為Sealed Container，該類對象具備只讀特性;另一類為Active Container，具備可寫特性。寫數據流只會往Active Container中寫入數據，當Active Container被寫滿之后，該類對象會轉換成Sealed Container。為了保證在系統突然斷電情況下的數據一致性，設計采用了NVDIMM存儲介質，通過該介質對用戶數據進行聚合處理，將隨機的業務寫數據轉換成順序數據流。聚合完成的順序數據流通過數據去重引擎以及數據壓縮引擎進行數據縮減操作，提升SSD的利用率。在數據寫過程中會產生大量的元數據，這些元數據都具有小數據的特性，通過NVDIMM的聚合首先將元數據轉換成大數據塊，然后再寫入持久化SSD介質，這樣可以避免元數據操作引入的小寫問題。

　　對于讀操作，邏輯處理過程比較簡單，在RISL架構中維護了一個數據映射表格，通過該表格實現業務請求與SSD請求之間的映射。SSD請求在存儲介質上隨機分布，獲取并發讀取效果。RISL架構中的數據映射表格容量與存儲容量相關，為了提升IO性能，該映射表格通常會全部加載在內存中。此外，該表格在寫處理過程中會對其進行修改，在讀操作過程中會對其進行檢索，因此，如何保證該表格的并發訪問是設計與實現的重點。

　　存儲系統的設計本質上就是數據布局的設計。從數據布局的角度來看RISL，其可以很好的與NVMe SSD的特性進行匹配。下圖所示是RISL架構的數據布局圖：

　　其中綠點表示讀請求，紅點表示寫請求。從圖中可以看出寫請求在SSD上具有很強的局部性，具備順序寫的特點;讀請求在SSD上具有很強的離散性。讀寫請求在SSD上沒有沖突，但是在NVDIMM中具有混合訪問特性，也就是說熱點數據在NVDIMM中進行處理，避免讀寫在SSD中沖突，從而可以緩解讀請求由于寫請求而引入的延遲的問題。從圖中也可以看出RISL架構的數據布局與磁盤存儲系統的數據布局完全不同，從而也說明了RISL是一種面向SSD設計、SSD友好的存儲系統設計方法。

　　RISL架構設計還需要考慮的一個問題是數據回收（GarbageCollection）。由于RISL將用戶隨機寫請求轉換成了順序IO流，簡化了SSD內部的數據回收操作，該問題被轉移到了系統層面去解決。由于系統層面離業務層更近，因此可以與業務進行配合更好的實現垃圾數據的回收。在面向Flash的存儲系統設計中，有一種設計思路是將底層的FTL轉移到系統層去實現，該想法的一個缺陷是需要定制化SSD，將NAND Flash的接口直接暴露給系統層。RISL架構可以在標準SSD上實現，但同樣可以在系統層實現垃圾數據塊的回收，并且可以與業務配合提升閃存存儲系統的性能。這是RISL架構的優勢。

　　在RISL架構設計的基礎上，我們實現了閃存存儲系統的原型系統。如下圖所示，在多塊Intel NVMe SSD盤的基礎上，當寫IOPS達到80萬時，IO的平均延遲可以控制在160us左右。達到了高IOPS、低IO延遲的設計目標。