納米制造DRAM已能創造充足的利潤，因此相較于應用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細制程技術發展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創員工、并入聯發科的NOR Flash設計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 IC Insights最新報告預測，DRAM與NAND快閃存儲器等，未來五年年均復合增長率(CAGR)可達7.3%，產值將從去年的773億美元擴增至1,099億美元。
2017-01-10 08:30:09619 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態硬盤，手機存儲等等，電腦傳統硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動態隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調降調降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現。
2011-11-19 00:26:271152 
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創企業。這是一家專為NAND閃存和DRAM內存開發創新架構的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態隨機存儲器），不需要刷新電路，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當前內存技術的比較。DRAM是計算技術中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當前
2020-09-25 08:01:20
1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因為利用數據輸人輸出引腳（I／O 1 ～I／O 8 ），能夠以時分方式賦予數據。NAND閃速存儲器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內部結構如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數也將增加，但內部的基本結構沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數據；②存儲器內部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
以分成SRAM(Static RAM：靜態RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存。 2、動態DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存。 2、動態DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結構：芯片參數與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結構芯片引腳解讀：【5】存儲器系統設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內部執行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應SRAM/DRAM映射到地址0，重新執行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發板——小白學ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
NAND FIash存儲器的特點FIash文件系統的應用特點 FAT文件系統的結構FAT文件系統的改進設計
2021-04-25 09:18:53
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態隨機存儲器，所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
靜態隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優缺點？動態隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優缺點？
2021-12-24 07:04:20
解決方案，讓無線回傳變得更簡單，讓風景變得更美麗。2012年7月20日，世界摩托車特技賽在西班牙最大的斗牛競技場——馬德里拉斯班塔斯舉行。作為著名的名勝古跡，拉斯班塔斯競技場可容納32000名觀眾，特別是在
2019-07-12 08:13:07
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態存儲器 SRAM——Static RAM(動態存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節尋
2022-01-26 07:30:11
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構成包含頁內地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
?過去存儲器與晶圓代工業大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發展
2021-03-12 06:04:41
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
系統設計存在設計基于閃存的可靠的嵌入式和存儲系統時仍然面對重大挑戰。隨著每代新產品的出現，目前存儲器技術要求尺寸越來越小，但耑要較大系統級變化來維持系統級討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲器架構
2018-05-17 09:45:35
（DRAM）與靜態隨機存儲器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數的多少來代表所存儲的數據，電路結構十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因為電容上的電荷會泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-21 10:49:57
閃速存儲器根據單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類。NAND閃速存儲器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲器
2018-04-09 09:29:07
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術創新獲得半導體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業內領先的D
2009-05-08 10:39:06909 基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲器是產業的風向標
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發出全球最薄的動態隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 提出一種適用于未來高密度應用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲器概念。在0.13 m工藝下, 以一個使用8 層金屬堆疊的1T64R 結構為例, 其存儲密度比傳統的單層1T1R 結構高
2011-12-07 11:02:41
16 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存
2017-10-11 14:39:468295 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 將與合肥睿力12吋廠資源整合，全面對決紫光集團旗下長江存儲及聯電的晉華集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術，爭奪大陸存儲器寶座。
2017-11-24 12:51:38431 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業中的基礎，也是僅次于DRAM內存的第二大存儲芯片，國內的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產NAND閃存目前已經露出了曙光，紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 目前存儲器市況呈現兩樣情，DRAM持續穩健發展，價格平穩或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。
2018-06-20 10:26:001858 中國存儲器產業如何發展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細分領域（另外還有DRAM），目前發展形勢一直受到業界人士關注。
2018-03-31 08:38:5122130 存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 目前，TrueVRsystems已經在其國內運營了5個虛擬競技場，其中包括位于蘇黎世萊茲公園的Fusion Arena。目前，TrueVRsystems正在瑞典斯德哥爾摩安裝其第六個街機。這是
2018-04-12 14:47:001562 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產設備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房實現提前封頂，2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統安裝，正是為4月搬入機臺設備而準備，預計很快就可以實現 3D NAND 量產。
2018-04-15 10:08:009280 存儲器市場爆發，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產品。DRAM繼續保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 2018年上半年，世界存儲器市場營銷額為808.03億美元，其中：DRAM營收額為487.67億美元，占到存儲器市場總值的60.4%；NAND Flash營收額320.36億美元，占存儲器市場總值的39.6%的份額。
2018-08-21 17:09:288956 
據日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續增加。
2018-10-10 16:13:443278 嚴格來講，是存儲器(memory)和儲存器(storage)。前者是指在運算中的暫存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數據永久儲存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁帶。
2018-12-14 08:34:513579 盡管ㄧ些新存儲器技術已經研發出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術的列表。然而，無論哪一個技術勝出，這些新型非易失性技術系統的功耗肯定會低于現有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統。
2018-12-24 11:04:3410846 
在經歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲器市場要進行深度的調整了。美國花旗銀行預計明年存儲器價格會大幅下降，NAND價格會跌45%，DRAM價格會下跌30%，而且明年Q2季度之前不會見底。
2019-01-02 14:23:40895 存儲器市況不明，針對存儲器價格波動趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經理茍嘉章表示，預估快閃存儲器（NAND Flash）價格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個位數百分比；而動態隨機存取存儲器（DRAM）則預估持續跌至年底。
2019-05-06 16:23:48538 看點在成本上，由于中國相當重視存儲器產業，國家大力支持，無論是DRAM，還是NAND Flash，都有大項目先后上馬，且今明兩年陸續實現量產，這給一直壟斷全球存儲器市場的那幾家大廠施加了不小的壓力。中國一旦在技術和量產層面突破，其先天的成本優勢很可能對幾家大廠的中低端產品形成摧枯拉朽的態勢。
2019-08-30 16:18:4311546 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161661 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 業內研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 ReRAM，目前暫無商用產品，其代表公司是美國的Crossbar。 上述新型存儲器已被研究了近數十年，只是相對于早已產業化的隨機存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash，還未能大規模商用
2020-04-25 11:05:572584 
的網絡開發和商業化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
半導體存儲器已經得到了廣泛的應用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態的存儲器。DRAM的特點是需要定時刷新，才可以保存數據，SRAM只要存入數據了，不刷新也不會丟掉數據。DRAM和SRAM各有各的優勢及不足，本文探討的DRAM和NAND當前面臨的技術挑戰及發展前景。
2020-07-22 14:04:191537 嚴格來講，是存儲器（memory）和儲存器（storage）。前者是指在運算中的暫存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數據永久儲存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁帶。
2020-08-20 17:34:41407 各種存儲器比較（PCM，STTRAM，SRAM，DRAM，Flash NAND，HDD），看出憶阻器在集成密度，數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢。
2020-08-27 17:18:316034 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 獨立存儲器市場和相關技術的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM是目前常見的存儲之一，但DRAM并非唯一存儲器件，NAND也是存儲設備。那么DRAM和NAND之間有什么區別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 中國存儲器的努力已縮小到兩個最有前途的參與者，即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長鑫存儲技術 （CXMT），它們得到了蓬勃發展的半導體生態系統的支持。
2022-05-10 15:04:113465 
在存儲器領域中，動態隨機存儲器（DRAM）是應用最高的品類，產品市占率約60%；其次是NAND約占36%，NOR Flash 的份額非常小，約3%。
2022-06-17 11:02:371489 
最新消息，據日本共同社報道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態隨機存取存儲器）的量產。 據悉，量產的最新產品
2022-11-28 10:40:52914 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 據消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業正在密切關注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1515 
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