什么是相變儲(chǔ)存器

　　相變存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)PCM，相變存儲(chǔ)器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時(shí)所表現(xiàn)出來(lái)的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。

　　相變存儲(chǔ)器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種信息存儲(chǔ)裝置。

　　結(jié)構(gòu)特征

　　PCM器件的典型結(jié)構(gòu)PCM器件的典型結(jié)構(gòu)由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST［、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。

　　RAM是什么存儲(chǔ)器？

　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器［或者內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器］，主存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存。內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元。

　　因?yàn)镽AM是內(nèi)存其中最重要的存儲(chǔ)器，所以通常我們直接稱(chēng)之為內(nèi)存。

　　內(nèi)存就是存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們?cè)谑褂肳PS處理文稿時(shí)，當(dāng)你在鍵盤(pán)上敲入字符時(shí)，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤(pán)時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬（磁）盤(pán)。

　　RAM就是既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫(xiě)入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購(gòu)買(mǎi)或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。

　　恒憶新RAM為相變存儲(chǔ)器提供無(wú)縫架構(gòu)途徑

　　2008 年 7 月 29 日，存儲(chǔ)巨頭恒憶 （Numonyx）宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 （LPDDR） 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲(chǔ)性能，而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。這些裝置在提供高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）內(nèi)容平臺(tái)低成本解決方案的同時(shí)，還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲(chǔ)器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來(lái)相變存儲(chǔ)器 （PCM） 產(chǎn)品提供了無(wú)縫的絕佳架構(gòu)途徑。

　　無(wú)線電話中的數(shù)字圖像、影像、游戲及其他應(yīng)用程序都對(duì)存儲(chǔ)器提出了更高要求，為滿足這些要求，大多數(shù)的手機(jī)制造商會(huì)采用結(jié)合如NOR、NAND等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器以及成本低廉的RAM技術(shù)。其中由于各種存儲(chǔ)器類(lèi)型需要不同的硬件和軟件接口，經(jīng)常迫使設(shè)計(jì)人員在存儲(chǔ)系統(tǒng)性能與支持更多接口之間得做出妥協(xié)，因而提高系統(tǒng)成本。

　　恒憶Velocity LP NV-RAM將系統(tǒng)中不同的存儲(chǔ)器的特性結(jié)合在一個(gè)廣為接受LPDDR 接口上，有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)架構(gòu)、提升速度并降低成本。由于此非揮發(fā)性存儲(chǔ)器也具有執(zhí)行功能，因此設(shè)計(jì)人員可以 RAM的 速度讀取數(shù)字內(nèi)容，并降低系統(tǒng)的 LP RAM 需求以減少存儲(chǔ)系統(tǒng)成本，此接口同時(shí)可協(xié)助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用相同架構(gòu)來(lái)擴(kuò)充存儲(chǔ)系統(tǒng)，以支持從低端到高端的各種電話。

　　恒憶無(wú)線通訊產(chǎn)品事業(yè)部副總裁暨總經(jīng)理 Marco Dallabora 表示，憑借恒憶在無(wú)線非揮發(fā)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，恒憶Velocity LP NV-RAM 采用業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 65納米非揮發(fā)存儲(chǔ)器技術(shù)，率先推出 LPDDR-NVM 接口。恒憶的目標(biāo)是協(xié)助 OEM 推出符合成本效益的高性能手機(jī)，并開(kāi)始針對(duì)無(wú)線市場(chǎng)推出基于 PCM 的器件。

　　恒憶Velocity LP NV-RAM 系列與 2007 年 11 月所發(fā)布的 JEDEC 低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 （LPDDR） NVM 標(biāo)準(zhǔn)兼容。恒憶將持續(xù)推出新產(chǎn)品來(lái)迎合產(chǎn)業(yè)未來(lái)新一代接口標(biāo)準(zhǔn)，此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品是推出更快速非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的第一步，并借此降低移動(dòng)平臺(tái)加載額外 RAM 的需求。

　　在研發(fā)Velocity LP NV-RAM 系列產(chǎn)品過(guò)程中，恒憶便積極與產(chǎn)業(yè)鏈及客戶(hù)合作，預(yù)期LPDDR NV-RAM 解決方案將在 2009 年面市。ARM 處理器部門(mén)營(yíng)運(yùn)暨光纖 IP 副總裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 接口具有顯著優(yōu)勢(shì)，使開(kāi)發(fā)人員得以實(shí)現(xiàn)ARM*架構(gòu)的移動(dòng)應(yīng)用。ARM與恒憶密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)控制器能夠搭配恒憶Velocity LP NV-RAM 解決方案，主要合作伙伴目前也已經(jīng)順利采用此款產(chǎn)品。

　　以軟件與封裝提高價(jià)值

　　除了提供創(chuàng)新的 NVM 硅產(chǎn)品外，恒憶也提供創(chuàng)新的軟件解決方案。它所推出的高級(jí) XIP 文件系統(tǒng) （AXFS，Advanced XIP File System）讓軟件設(shè)計(jì)人員和架構(gòu)人員能夠運(yùn)用單一文件系統(tǒng)，支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技術(shù)，以及日后的 PCM 型產(chǎn)品。AXFS 軟件可壓縮未使用的代碼頁(yè)，協(xié)助設(shè)計(jì)人員得以在特定密度下多獲得 50%的儲(chǔ)存量，并最優(yōu)化設(shè)計(jì)過(guò)程中的系統(tǒng)層級(jí)效能與成本，同時(shí)減少 RAM 需求以降低系統(tǒng)功耗。

　　通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)，恒憶運(yùn)用單一的封裝層迭（package-on-package）解決方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的優(yōu)勢(shì)，設(shè)計(jì)人員可結(jié)合處理器推出高性能而低成本的存儲(chǔ)解決方案。在同一總線安裝 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恒憶使存儲(chǔ)器能夠相互堆棧，節(jié)省電路板的實(shí)體空間或「存儲(chǔ)體積」