與中端千元機在閃存上拉開了較大差距，UFS 2.2的出現將有助于改善這一現狀。 相比UFS 2.1，UFS 2.2最大的特點是加入了WriteBooster寫入加速，而寫入速度的提升可以帶來應用更快的啟動
2020-08-22 08:55:00
11655 所謂閃存事件是指由于有網友測試華為P10閃存讀寫速度有低檔為300MB/s左右，中檔為600MB/s左右，高檔為800MB/s三檔，后猜測華為P10內存有EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三種使用情況。
2017-05-18 06:00:003484 寫入速度是之前的512GB eUFS 3.0的三倍，達到每秒1200 MB。三星表示，與使用固態硬盤或MicroSD卡的傳統個人電腦相比，這將大大加快智能手機的數據傳輸速度。新一代閃存的串行讀取速度
2020-03-18 11:33:374512 全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存，可達到業界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1MB的片上SRAM。
2020-04-08 08:03:001897 對于 MB96F346RSBPMC，我不知道如何向閃存讀取/寫入數據。
有人可以指定用于讀/寫編程的編程引腳和接口嗎？
2024-01-19 06:27:39
可達800MB/s，寫入速度最高可達550MB/s?汽車質量和可靠性：具有先進的存儲管理固件和硬件，包括ECC，符合JEDEC47，ISO26262和AEC-Q100 3級和2級標準?為OEM提供擴展
2022-02-02 08:17:42
，符合UFS 2.1協議規范，及西部數據iNAND SmartSLC 5.1架構，可提供高達550MB/s的連續寫入性能，尺寸大小為11.5x13x1.0mm，能夠為智能手機、平板電腦和PC筆記本電腦
2022-02-02 08:45:13
S25FL064LABBHA020閃存S25FL064LABBHV020西部數據宣布率先基于UFS 3.1規范協議推出iNAND MC EU521嵌入式閃存產品，新增多項功能，并進一步提高速度、容量
2022-01-28 15:23:27
的連續寫入速度和4K IOPS的隨機寫入速度，西部數據新的8521系列EFD利用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技術提供加倍的連續寫入速度（達500MB/s），以及最高可達10倍的隨機寫入速度
2022-02-03 11:32:41
Generation 6，助力寫入速度高達750MB/s，可在3.6秒內完成2小時的電影下載，連續讀取速度幾乎是其前代產品的兩倍。2019年5G爆發，2月21日三星已率先發布了Galaxy S10 5G手機
2022-02-01 22:50:14
如何避免套路，幫助大家選擇到適合自己的手機？UFS2.1比UFS2.0快？實際上真是如此嗎？
2021-06-18 06:27:23
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
總的來說，UFS3.0的綜合性能，特別是持續讀寫速度有著秒殺UFS2.1前輩的表現，只是在隨機讀寫和SQLite性能上，卻依舊和雙通道的UFS2.1持平，有些小遺憾。最后，咱們再來科普一下eMMC
2021-07-22 07:17:09
ufs3.1和ufs2.1區別是什么？ufs3.0和ufs3.1區別是什么？
2021-06-18 08:00:29
編輯-ZMB6S在MBS-4 (SOP-4)封裝里采用的4個芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小方橋、貼片整流橋堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時耐溫度范圍為
2021-11-06 15:17:29
編輯-ZASEMI整流橋MB10S參數：型號：MB10S最大重復峰值反向電壓（VRRM）：1000V最大有效值電壓（VRMS）：700V最大直流阻斷電壓（VDC）：1000V最大平均正向輸出整流
2022-01-20 16:40:49
編輯-ZASEMI整流橋MB6S參數：型號：MB6S最大重復峰值反向電壓（VRRM）：600V最大RMS電橋輸入電壓（VRMS）：420V最大直流阻斷電壓（VDC）：600V最大平均正向整流輸出電流
2022-01-10 17:14:03
。性能方面，這兩款型號的硬盤的持續讀取速度最高可達540MB/s，寫入速度最高可達520MB/s。此外，Fixstars表示兩款硬盤內置溫度控制系統，監控硬盤運轉的溫度，從而避免溫度過高損壞硬盤。價格
2016-01-15 16:35:19
手機參數為什么都是8GB+128GB？手機的這些參數是越大越好嗎？這些數字代表什么？LPDDR4X是什么？UFS2.1又是什么？LPDDR4X與UFS2.1有什么差別？
2021-06-18 07:54:29
22MB/s 的寫入速度，以 HS200 運行。然而，將一個 8MB 的文件發送到 eMMC，它被分成 16 個 512kB 的數據包，寫入速度約為 12.5MB/s（每個 512kB 需要 40ms
2023-03-16 08:55:58
測試出來才到0.5MB/S的速率。芯片自帶的測試程序可以測的速度7MB/S，和理論速度差不多。求問，VISA中有沒有更高級的讀取方法以提高讀取速度？已解決！方法見后面回復。
2015-09-08 18:21:30
, 18.5 MB/s測試完成發現讀速度只有200mb/s 寫入速度是18.5mb/s寫入的速度太慢了，我又使用了bonnie++去測試發現速度更慢寫入23mb/s 讀取138mb/sVersion
2022-07-12 16:50:24
全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專注于為互聯網數據中心提供節能、可拓展系統解決方案的創新者 Virident 宣布共同開發和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
臺標稱高速機器2.0實測的：SLC 約27~35MB/S，3.0接口下寫160~199MB/S閃存:雙通道閃存是原裝全新INTEL DDR SLC， 大部分是0壞塊和11年周期。量產功能:可以量產
2012-06-16 10:09:48
？1 如果是接口速度：實際上400MB/S2 如果是移動硬盤速度：現階段設備實際寫入110M/S左右，讀取130M/S實例問題：u***3.0 傳輸速度為什么超慢？問：我買了一個希捷睿品2.5寸
2012-12-02 16:41:07
與 UFS 速度比較:eMMC 目前spec. 已進版至 eMMC5.1 , 理想速度達到 400 ~ 600MB/sUFS 目前為UFS2.1 , 理想速度已達 1200MB/s以傳輸速度來說
2019-09-18 09:05:14
。之前emmc幾乎統治了移動市場，這一標準從emmc4.3一路發展到現在的5.1，傳輸速度也從50MB/S一路狂飆600MB/S的速度。后來更強大的ufs就登場了，同樣都是閃存芯片，讀寫速度確高不少，ufs2.0理論速度達到780MB/S、UFS 2.1更是高達1.5GB/S。UFS協議雖然是三星主
2021-07-22 09:07:47
上是天價了！如果搭配一部低端普通的手機使用，簡直就是“門不當戶不對”嘛！那這么高端昂貴的存儲卡到底有何特殊之處呢？據三星官方解釋道，該存儲卡的讀取傳輸速度最快可達95MB/s，寫入傳輸速度最高可達
2015-12-16 11:31:26
什么是閃存？eMMC和UFS之間的區別在哪里？UFS2.0和2.1之間有何不同？
2021-06-18 09:20:44
使用AD2S1210并行讀取角度和速度，在普通模式下讀取位置和速度，出現如下問題：
1.位置讀取完全正確，在電機不轉時，速度寄存器的值卻在-1和768之間跳變。
請問這是怎么回事，位置讀取正確，速度卻出現問題？
2023-11-20 07:14:18
的eMMC默認運行于HS200 模式，工作位寬為8。下面簡單測試eMMC的讀寫速度，這里我們以讀寫ext4 文件系統為例。寫入測試：讀取測試：通過以上可以看到，eMMC的寫入速度為67.1MB/s
2022-06-14 10:38:02
，因此實際接口帶寬為23.2Gbps，可換算為2.9GB/s。并且電壓也比前代UFS2.1更低，對降低設備的功耗和發熱有著強大效果，實現了性能再翻倍！那么，UFS3.0有什么用呢？最直觀的便是采用
2019-11-26 11:21:07
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 09:26 編輯
大家好。我們用L138，ARM側linux寫入ssd，測試速度只有不到2MB/s(100MB/64s)，可能是什么原因？讀取
2018-06-21 17:23:22
C6748NAND FLASH讀寫速度能達到多少呢？我測得寫入速度4.5MB/S左右，有點慢，請問這是正常速度嗎？
2019-09-10 10:05:42
當我嘗試將文件加載到 28 MB 的 spiffs 分區時，只有 16 MB 閃存被訪問，之后它拋出錯誤提示“文件寫入失敗”，所以請告訴我如何使用總共 32MB 閃存？
2023-03-01 07:05:25
Spansion LLC近日推出64Mb串行外設接口(SPI)器件樣品，作為其串行閃存系列產品之一。通過該器件，設計人員可以將此低成本簡化接口收益帶給如打印機這
2006-03-13 13:03:08791 閃存卡的存取速度 存取速度是指閃存卡在被寫入數據或讀取數據時的數據傳輸速度。不同類型的閃存卡采用
2010-01-09 15:03:29973 新型SDHC UHS-I存儲卡是全世界首款完全符合SD 3.0--UHS104標準的存儲卡，其將NAND閃存卡超快的讀取和寫入速度提升到了一個新臺階：最大讀取速度達每秒95MB，寫入速度達每秒80MB
2010-09-13 08:52:124037 Spansion近日日宣布推出讀取速度達66MB/s的65nm FL-S NOR 閃存 系列，存儲密度為128Mb至1Gb。與目前市場上的同類競爭方案相比，FL-S系列的DDR讀取速度提高了20%，編程速度快了3倍，擦除速度快
2011-09-29 09:22:391676 
閃存設備制造商Centon日前推出了一款基于SandForce 2281主控的固態硬盤產品，該產品被命名為Diamond VVS1。符合SATA III傳輸規范，擁有400MB/s的讀取速度和300MB/s的寫入速度。
2012-03-28 10:02:151435 Buffalo最近發布了HD-GDU3系列外置硬盤，竟然整合了多達1GB DRAM緩存，寫入速度也超過了驚人的400MB/s。
2013-02-28 14:09:403814 UFS存儲卡在多媒體資料傳輸上具有優勢，其連續讀取速度可達每秒530MB，與SATA固態硬碟相當，是一般microSD卡的5倍，連續寫入速度則是高階microSD卡的2倍。以讀取5GB的Full HD電影時，UFS卡只要10秒，而microSD則需50秒。
2016-07-11 10:08:051412 華為Mate 9身上有很多亮點，雙曲面屏幕、麒麟960處理器、二代徠卡雙攝、4.5V/5A快充等等不一而足，在存儲方面其實也有個全球首發，那就是第一個用上了新一代UFS 2.1存儲技術。
2016-11-08 09:34:285728 
的，三星在推出使用MLC閃存高性能的960 PRO系列的同時還推出了采用TLC閃存的960 EVO系列，速度看起來也比現在的M.2產品強得多，價格也較平易近人，今天我們就來一睹三星960系列M.2 SSD的強大之處。
2017-02-10 17:05:014499 華為P10是近期發布的一款新款高端手機，在其發布后背網友測試發現其手機閃存讀寫速度有較大差異，最高可以達到800MB/s，最低則只有300MB/s，因此被質疑其可能將EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三種標準的閃存混著用。
2017-04-19 23:29:57941 昨晚測試了我手上的榮耀V9 6GB+128GB版本的閃存速度，結果意外的發現閃存速度772MB/s，這明顯非常高，也證實榮耀V9 6GB+128GB版本使用的是UFS2.1。
2017-04-23 11:11:1712274 
最近手機圈備受關注的一件事，就是華為P10閃存規格eMMC和UFS混用的問題！小米6發布會上，雷軍只字不提閃存規格的事，只在官網標注了UFS閃存，具體是2.0還是2.1成為了一個謎，但早期拿到工程機的大神測試，讀寫速度達到了UFS2.1的標準！
2017-04-26 09:34:4817512 
emmc5.1以及ufs2.0閃存是因為ufs2.1的產量問題之外，今日有媒體爆料三星將在國內市場上銷售的所有的S8系列都標配ufs2.1規格的閃存，根本不給大家抽獎的機會。
2017-05-04 10:21:353752 華為p10閃存門令不少國人唏噓，一款P10的閃存竟然分成了EMMC5.1，UFS2.0和UFS2.1三個版本，而三個版本閃存的速度分別為280MB/S，560MB/S，760MB/S三者差距之大，讓不少消費者感覺自己買虧了。
2017-05-04 10:26:093540 
正在華為被P10“閃存門”事件困擾得頭大之時，老對手三星又來補刀了。據多次曝光三星新品消息的微博博主“i冰宇宙”表示，國行S8/S8+將一律采用UFS2.1，不給你抽獎的機會。
2017-05-05 11:02:141283 近日閃存門可謂是愈演愈烈，而現在有網友發現三星在海外比如說美國地區悄悄地撤銷了手機閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當然之前三星之前就在閃存描述下面指出，“部分國家規格可能有差別”。而經過網友的驗證，部分美版的Galaxy S8/S8+手機使用的是東芝生產的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54551 
隨著UFS的普及，多數人可能更關心UFS2.0/UFS2.1之間的具體區別，下面小編就帶各位讀者一探究竟。
2017-05-09 15:21:309606 
華為P10閃存門事件是不少用戶發現自己的P10手機用的并不是最新版本的閃存UFS2.1，有的是UFS2.0，有的干脆是上一代閃存eMMC5.1，這三者的數據讀取速度分布是700MB/s，500MB
2017-05-10 11:16:2110891 華為閃存門什么意思？華為P10系列的閃存疑似采用MIC顆粒和TLC顆粒混用，造成不同手機閃存速度差異巨大，速度最差的竟然只有200MB/s只能達eMMC5.1的標準，與官方宣傳的UFS2.1的傳輸速度相差甚遠。
2017-05-12 16:04:142994 華為P10閃存門事件后，手機閃存規格的使用成為熱門關注對象。索尼官方表示，新旗艦Xperia XZ Premium將標配UFS2.1閃存。 5月17日，5月17日（明天），索尼將在北京正式發布
2017-05-16 14:26:314149 這是HTC對新旗艦U11的一個宣傳海報：全部都是UFS2.1閃存存儲，HTC U11玩轉暢快品質保證。
2017-05-23 15:05:291505 華為P10閃存混用事件絕對是今年手機圈的大事，其影響力不容小噓！小米6發布會上，雷軍沒有詳細介紹閃存規格，而且官網參數也只顯示UFS閃存。另外，三星也在旗艦機S8上混用閃存，并且國行版全部采用UFS 2.1版本！
2017-05-24 00:46:276184 了一個質疑華為P10的帖子“如何看待華為P10使用UFS2.1、UFS2.0和EMMC5.1三種不同規格閃存？”。帖子中稱，實際測試華為P10讀取速度有三個檔次，分別是700、500、250MB
2017-05-30 21:26:238215 
的eMMC閃存，性能有非常大的提高。然而在論壇和貼吧中，有用戶反映，華為P10采用不同級別不同規格的閃存芯片，疑似將UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1在P10手機上混用。華為P10用戶對閃存讀寫速度的測試：讀寫速率大概有300MB/s、500MB/s、800MB/s三檔。
2021-11-02 11:36:4414275 512GB和1TB的版本均采用TLC閃存，走PCIe 3.0 x4通道，最高連續讀取3200MB/s，最高寫入2400MB/s；4K隨機最寫入440K IOPS，最高讀取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:253326 據媒體Benchlife報道，知名主控廠商群聯電子已經研制出了第二代UFS2.1主控，并且已經通過了華為和高通的認證測試，這意味著這款閃存距離上市不遠了，而搭載麒麟處理器和高通處理器的產品，都能夠用上這塊閃存，會為手機帶來更好的系統流暢性，特別是在應用安裝、游戲讀寫等方面。
2017-11-17 15:33:553012 三星512GB UFS閃存開始量產，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機存儲卡。
2017-12-05 14:21:281450 據報道最大容量512GB的microSD存儲卡終于開始發售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標準，滿足10MB/s寫入速度，可用于一般的電子移動設備。
2018-01-23 16:06:441378 UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機狀態。
2018-02-20 10:13:002688 儲器是新產品，普及還要一段時間，目前 3D TLC 快閃存儲器如何發展，依然是關鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態硬盤，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲器首發，讀取
2018-07-26 18:01:002026 經過測試，三星UFS存儲卡（1TB）的隨機讀取速度達到了126.4MB/s，順序讀取速度達到了510.82MB/s，表現遠遠超過了傳統MicroSD卡。
2019-09-10 15:01:002329 改善電池續航。Aura Pro X2 SSD 的最高讀取速度為 3200MB/s，寫入速度為 2400MB/s，最高容量為 2TB 版本。
2019-04-18 16:21:321972 
有外媒通過Blackmagic Disk Speed Test測試，2019款的MacBook Air可以達到1.3GB/s的讀取速度和1GB/s的寫入速度，而上一代的MacBook Air則可
2019-07-16 16:20:492577 驍龍855 Plus還支持UFS 3.0高速閃存。與UFS?2.1相比，UFS 3.0讀取速度提升67%，寫入速度提升31%，是目前行業最高存儲標準，經過實際測試，UFS 3.0順序讀取達到
2019-09-04 13:21:00417 美光科技股份有限公司發布針對汽車應用的新型 UFS 2.1 托管型NAND 產品。該產品組合滿足了車載信息娛樂系統和儀表板對快速系統啟動和更高帶寬的需求，從而增強了駕駛體驗。Micron
2019-08-19 01:10:002921 采用UFS 3.0閃存的iQOO Neo 855版順序讀取速度可以達到1479MB/s，比UFS 2.1快90%，順序寫入速度更是提升160%.
2019-10-22 10:21:001928 2019進入第四季度手機圈突然活躍起來，一眾新品紛紛登場，其中不少是高性能代表作。而在主打性能表現的新旗艦中，除了搭載規格更高處理器之外，UFS 3.0閃存也逐漸成為標配，甚至可以說無UFS 3.0不旗艦。
2019-09-29 09:49:5577713 性能是否夠用與能否滿足用戶心理一直是兩個事情，畢竟任何人都會追求極致的性能體驗。首先，我們要弄清楚UFS2.1規格的讀寫速度是否能夠滿足5G網絡使用需求。
2019-10-14 15:45:466891 Pmod SF3通過使用Micron的NOR閃存（N25Q256A）為用戶提供32MB的外接非易失性存儲器。通過使用SPI協議，用戶可以對閃存進行寫入和讀取。
產品特點：
2019-11-28 14:32:401127 
自從一加7Pro推出之后，除了90Hz的屏幕，另一個亮點就是UFS3.0閃存顆粒，其傳輸速度達到了1.5GB/S，可以說是UFS2.1標準的兩倍，而這并不是UFS 3.0的理論速度，其理論速度可以達到3GB/S，也就是一部高清電影可以輕松一秒傳輸。
2019-11-18 16:13:3246130 不久前，OEM廠商OWC為Mac Pro 2019推出了RAM升級包，8 x 128 GB，售價約 98000元，比蘋果官方便宜一點。現在，OWC又為Mac Pro 2019推出了PCIe SSD，8TB容量，6000MB/s。
2019-12-25 16:25:533704 如果你仍不滿足讀取速度為3500MB/s的M.2固態硬盤，那么威剛（Adata）最新推出的XPG Sage或許能達到你的苛刻要求。
2020-01-08 17:06:313423 日前創見(Transcend)公司發布了MTE662T系列SSD產品，這是全球首款針對商業和工業環境的96層3D TLC NVMe SSD，順序讀取速度高達3400 MB/s。
2020-02-04 10:37:54920 小米有品上架了威剛SE800移動SSD，采用Type-C接口，讀取速度可達1000MB/s。
2020-09-17 09:30:321291 讀取速度平均約為 1800MB/s 左右，順序寫入速度約為 700MB/s 左右，隨機寫入約在 200-300M/s 范圍中。在華為 Mate 40 Pro 的測試結
2020-11-03 11:37:373116 近日，有多位數碼博主實測，華為Mate40 Pro的閃存讀寫速度堪稱“恐怖”。小白測評實測顯示，華為Mate40 Pro的持續讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s。
2020-11-03 13:56:1035706 。 基準測試結果表明，新款 MacBook Air 固態硬盤的寫入速度約為以前型號的兩倍，寫入速度為 2190 MB/s，讀取速度為 2675 MB/s。 IT之家了解到，蘋果在發布時便提及了這方
2020-11-17 14:09:302625 存儲可管理1280MB/s的順序寫入速度和548MB/s的隨機寫入速度，這明顯比普通的UFS3.1存儲芯片高近兩倍（順序讀取速度平均約為1800MB/s左右，順序寫入速度約為700MB/s左右，隨機寫入約在200～300M/s范圍中）。
2020-11-18 10:56:2821404 ，盡管沒有 UFS 3.0、UFS 3.1 規格高，但是寫入速度的巨大提升也非常可觀。根據微博用戶 @數碼閑聊站 的實測，Redmi Note 9 Pro 順序讀取速度為 996.11MB/s，順序寫入速度
2020-11-30 09:53:007880 昨天，技嘉官方視頻介紹了新品固態黑雕 PCIe 4.0 SSD ，其順序讀取速度達到了 5000MB/s。 在設計方面，技嘉黑雕 PCIe 4.0 SSD PCB 雙面都有芯片，閃存顆粒來自東芝
2020-12-24 09:04:343192 據此前消息，vivo將于明日（12月29日）正式發布全新的vivo X60系列手機。根據博主@數碼閑聊站的最新爆料，該系列將搭載滿血版的UFS 3.1閃存技術，順序讀取達1900MB/s±，順序寫入
2020-12-28 17:43:315047 上，又一次反超小米11。 具體來說，數碼博主宅數碼Kael測得，零售版Mate40 Pro的閃存順序讀取速度為2012MB/s、順序寫入速度為1190MB/s，隨
2021-01-04 09:49:542485 本教程演示了如何使用Menta OS提供的BlockDevice API使用Portenta H7的板載閃存來讀取和寫入數據。由于內部存儲器的大小有限，我們還將...
2022-01-25 18:25:20
0 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序寫入速度也提升到2800MB
2022-05-05 10:45:273249 
4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。這也是首個使用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產品，號稱可以給智能手機提供更強性能。 美光新一代的UFS 4.0模塊能夠
2023-07-19 19:02:21865 全球領先的存儲解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業界首款[2]面向汽車應用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃存器件樣品。這些性能更高的新型器件封裝小巧
2024-01-31 18:19:00137
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