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電子發燒友網>存儲技術>NAND閃存將達到穩態局面,供給產能將提升42.9%

NAND閃存將達到穩態局面,供給產能將提升42.9%

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不要過于關注3D NAND閃存層數

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766

長江存儲最快在2021年中旬試產首批192層閃存,國產閃存產能年底可占全球7%

下半年將產能翻倍,達到10萬晶圓/月,產能占到全球份額的7%,力求縮短與國際公司的差距。 在這方面,三星是全球最大的閃存生產商,月產能達到48萬片晶圓,美光每月的產能也有18萬晶圓。 除了產能增長,技術水平上也在追趕,知情人士稱長江存儲最快在2021年中旬試產
2021-01-12 14:37:426603

爆料稱長江存儲2021年的產能將翻倍

昨天日經新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產,不過長江存儲今天否認相關內容。
2021-01-14 09:53:583573

長江存儲閃存產能翻倍?謠言!

昨天日經新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產,不過長江存儲今天否認相關內容。
2021-01-14 10:21:382074

NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結構。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數字信息如何存儲在閃存設備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

簡述NAND閃存的寫入限制與發展

寫入問題確實是NAND閃存的在企業級應用中的一個限制么?
2021-04-01 17:50:562894

Arasan推出NAND閃存全IP解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

NAND閃存價格2023年上半年或將持續下滑

NAND閃存芯片供應商現在面臨四到五個月的庫存。今年下半年,芯片價格將迅速下降,季度價格降幅達到近20%。
2022-09-27 10:11:58647

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優勢

圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常,當人們討論存儲時,他們只談論NAND閃存,而忽略了單獨的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規范說明書

本規范定義了標準化NAND閃存設備接口,該接口提供了設計的系統支持一系列NAND閃存設備,無需直接設計預關聯。該解決方案還為系統提供了無縫利用在系統設計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

Yole:NAND閃存及控制器的市場趨勢

一、NAND閃存市場分析 據歐洲知名半導體分析機構Yole發布的報告顯示,2020年起,NAND閃存市場發展趨勢保持穩定增長,2021年,NAND閃存市場份額達到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09991

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點及決定因素

內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND閃存的頁就類似硬盤的扇區,硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:21865

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

提升NAND產能 行業影響及業界觀點

潘建成表示,群聯當前正面臨供應短缺問題,若NAND閃存制造商以合理價格提供穩定的供應,將有助于緩解群聯的困境。他認為,原廠擴大產能,有利于維護NAND市場秩序,使價格合理回歸,否則過高的漲勢會打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481

鎧俠提升NAND閃存產能利用率

據最新報道,全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略,并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35264

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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