硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結構是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質.
2012-04-27 11:05:09
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）、氧化物電阻存儲器（OxRAM）。Rambus公司的杰出發明家和營銷方案副總裁Steven Woo說：“經典存儲架構中有一個需要填補的空白。這些新型存儲器中有一兩種會生存下來，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:472282 
目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這種環境下，業界試圖利用新材料和新概念發明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
到目前為止，新興的非易失性存儲器(eNVM)，如自旋轉矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM) 和相變存儲器(PCM)，由于可擴展性差、成本高以及缺乏主要內存制造商的支持
2019-04-28 11:22:062950 你好! 現在我有個問題想請教大家， 我怎么做一個3D圖像的渦輪扇葉然后通過控制器調整它的速度然后再3D圖像中開始轉并且根據控制量改變在3D圖像中轉的快慢？怎么在3D圖像中仿真水平面 并且有相應的變化！希望大家能給我有任何指教！
2016-11-30 23:25:31
。一個常用的方法是在收集所有故障位坐標的基礎上生成故障位圖，并逐一發送給測試人員。更為有效的是，遇到的故障可以檢索。本文介紹了一種在SoC嵌入式存儲器測試期間壓縮診斷信息方法。更具體地說，該方法被
2022-09-07 15:08:41
和非易失性存儲器就萬事大吉了么？令人糾結的是，有一種新的存儲器，它既是非易失的，同時又是能夠高速隨時讀寫數據的，也就是說能夠隨機存取的。這種存儲器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
”(storage)裝置。 存儲器的特性包括快速的數據儲存/檢索能力、有限的容量，以及較儲存更高的成本。另一方面，儲存的特性包括明顯更大的容量，但較存儲器的數據儲存/檢索速度慢，成本也更低。基本上，比起
2017-07-20 15:18:57
存儲器存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。隨著技術的發展，CPU的速度變化迅速，但存儲器的速度增加得較慢。這使得計算機的速度在很大程度上受限于存儲器速度。為了解決這個問題，設計了
2022-01-19 06:35:54
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以...
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點
2017-12-21 17:10:53
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點，所以
2017-10-24 14:31:49
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
一種存儲器的編碼方法，應用于包含存儲器的裝置，存儲器中包含第一存儲體、第二存儲體和第三存儲體，包括：獲取存儲器的帶寬信息；依據帶寬信息選取編碼操作的操作時機；在到達操作時機時，檢測針對第一存儲體
2019-11-15 15:44:06
設計需求相變存儲器技術直接解決了當今電子系統的需求:密度隨著消費者，電腦和通訊電子系統的融合，所有電子系統中代碼均出現指數性增長，數據的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
。使用圖形化用戶界面（GUI）來配置各種DDR3控制器參數是一種簡便的方法，為目標系統快速創建正確的控制器。所有的參數都需要確定，如：存儲器寬度、深度、速度和延遲。每一類配置參數都有其獨立的選項卡，有助于
2019-05-24 05:00:34
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數據存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器是一種基于浮柵技術的非揮發性半導體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
存儲器相同的通道進行訪問，從而較之前的架構實現了顯著的增強。該通道的寬度是之前器件的兩倍，而速度則為一半，從而大幅降低了到達外部 DDR3 存儲器控制器（通過 XMC 和 MSMC）的時延。在此
2011-08-13 15:45:42
Static RAM（SRAM），指的是一種具有靜止時存取功能，在不需要刷新電路的情況下依然可以保持內部存儲數據的存儲芯片。 一般來說有兩個主要的規格：1. 一種是放置于單片機CPU與主存儲之間
2017-06-02 10:45:40
問題： 1 什么是存儲器映射？是怎么一個運作過程？2 Stm32總體架構3CM3內核結構1 STM32系統結構 要想深刻理解STM32的存儲器，需要首先知道STM32的系統結構。如Figure 1
2018-08-14 09:22:26
數據存儲架構發生變化，一個表現在QLC的大容量，另一個是3D Xpoint技術的高性能、低延遲。目前IBM云服務、騰訊數據中心分別采用傲騰和QLC技術，百度云人工智能更是結合了QLC和傲騰的優勢，達到
2018-09-20 17:57:05
當3D電影已成為影院觀影的首選，當3D打印已普及到雙耳無線藍牙耳機，一種叫“3D微波”的技術也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應用在哪個場景？是不是用這種技術的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
外存儲器 外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數據。 外存儲器有哪些 外存儲器有哪些 1、軟盤存儲器 讀寫數據的最小單位是扇區，存取速度
2019-06-05 23:54:02
代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
閱讀哦。 一、存儲器卡 存儲器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）為核心的，能多次重復使用的IC卡。沒有任何的加密保護措施 ，對于卡片上的數據可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電后數據不丟失
2023-05-19 15:59:37
用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現在已經被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它里面的內容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象“消
2017-03-25 10:22:51
只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現在已經被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它里面的內容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線
2018-06-12 10:35:10
據新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數據不丟失等優點，被業界稱為下一代存儲技術的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統所獲悉，由該所研發的國際領先的嵌入式相變存儲器現已成功應用在打印機領域，并實現千萬量級市場化銷售，未來中國在該領域有望實現“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
。使用圖形化用戶界面（GUI）來配置各種DDR3控制器參數是一種簡便的方法，為目標系統快速創建正確的控制器。所有的參數都需要確定，如：存儲器寬度、深度、速度和延遲。每一類配置參數都有其獨立的選項卡，有助于
2019-05-27 05:00:02
本文介紹一種基于虛擬存儲器的USB下載線設計。
2021-05-27 06:07:33
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術的飛速發展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
Flash類型與技術特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設計與實現。
2021-04-09 06:02:09
擴展存儲器讀寫實驗的目的是什么？怎樣去設計一種擴展存儲器讀寫的電路？擴展存儲器讀寫實驗的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
。然而，現在新一代中檔的FPGA提供這些塊、高速FPGA架構、時鐘管理資源和需要實現下一代DDR3控制器的I/O結構。那么，究竟怎么做，才能用中檔FPGA實現高速DDR3存儲器控制器呢？
2019-08-09 07:42:01
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產品有別于競爭對手的產品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續增長，其復雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
您好，我在MCU上使用程序內存的一部分作為NVM（非易失性存儲器）。我已經設法寫和讀，但是現在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
TPMS技術及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調換輪胎時的重新定位問題？怎么實現外置編碼存儲器輪胎定位技術？
2021-05-14 06:13:50
3D視覺技術有何作用？常見的3D視覺方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
致性協議用于維護由于多個處理器共享數據引發的多處理器數據一致性問題。論述了一個適用于64位多核處理器的共享緩存設計，包括如何實現多處理器緩存一致性及其全定制后端實現。本文介紹了一種共享高速存儲器模塊
2021-02-23 07:12:38
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
網絡附屬存儲技術被定義為一種特殊的專用數據存儲服務器，包括存儲器件（例如磁盤陣列、CD/DVD驅動器、磁帶驅動器或可移動的存儲介質）和內嵌系統軟件，可提供跨平臺文件共享功能。
2019-09-12 09:10:10
是第一個推出1Tb級產品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP？如何解決設計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復技術的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
檢錯與糾錯的原理是什么？基于CPLD的容錯存儲器的設計實現
2021-05-07 06:02:42
網絡存儲器技術是如何產生的？怎樣去設計一種網絡存儲器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一
2011-11-21 10:49:57
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結構如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
（Smart VoltageRegulator）；另一種方法是通過給控制柵加上負電壓（-10V左右），擠出浮置柵中的電荷（負極門擦除法）。各種電壓提供方式如圖 3 所示。圖 4 圖示了閃速存儲器單元的電壓
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
相變存儲器驅動電路的設計與實現摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅動電路的基本原理, 設計了一種依靠電流驅動的驅動電路, 整體電路由帶隙基準電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘要：磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小，而且集動態RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身，因而已成為動態存儲器研究領域的一個熱點。文章總結了磁電
2006-03-24 13:01:371460 
相變存儲器技術基礎 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲器（PCM）技術基礎知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46634 
相變存儲器：能實現全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22630 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 相變存儲器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術。PCM存儲單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:00961 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發性存儲器技術。透過比較PCM與現有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優勢，3D Xpoint被看做是存儲產業的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050542 
耶魯大學和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發領域開展合作，目標是使具有潛在革命性的相變存儲技術更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術作為一種能改變游戲規則的新興技術，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產業的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 多年來，該行業一直致力于各種存儲技術的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發中。這些不同類型的存儲器都對應特定的應用領域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統型存儲。
2018-09-05 15:51:129162 新興存儲器(emerging memory)現在多指的是新的非揮發性存儲器，最主要包括相變半導體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054082 近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統的存儲技術可以適應計算機技術發展對高存儲能效的需求。以相變存儲器
2019-03-19 15:43:016997 
據介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數據兩種優點的存儲器，而目前通用的存儲器技術主要是動態隨機存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221140 相變存儲器具有很多優點，比如可嵌入功能強、優異的可反復擦寫特性、穩定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
未來十年，存儲市場仍將繼續追求存儲的密度、速度和需求的平衡點。盡管各個廠家的技術側重點不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲器）對 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:114532 
相變存儲器具有很多優點，比如可嵌入功能強、優異的可反復擦寫特性、穩定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 在此前高調地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協議。分析人士指出，鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:141968 目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術特點及其國內外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 本應用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:151205 
對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術進行對比。如果你對存儲器相關內容具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 倍。 據了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術最成熟的存儲技術。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:00545 相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699
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