據DigiTimes的消息人士報道，NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:33
3821 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:512064 
國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 在設計使用NAND閃存的系統時，選擇適當的特性平衡非常重要。 閃存控制器還必須足夠靈活，以進行適當的權衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產品要求至關重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455 本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內存電壓來存儲數據。
2023-07-12 09:43:211446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
小
方便焊接
容量可選多,適合實際應用
PIN腳少
功耗低
擦寫壽命長
性能穩定
使用SLC/MLC
CS創世 SD NAND相對于Raw NAND具有以下優勢
免驅動使用
性能更穩定。
尺寸更小。
SD
2023-09-26 17:40:35
ST是否期望MEMS麥克風具有更長的使用壽命？這些產品看起來是針對消費品的，并且需要在工業產品中使用這些產品，這些產品需要5到15年的預期壽命？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Does ST
2018-11-06 10:26:02
是通常說的“先擦后寫”。只不過NOR芯片只用擦寫一個字，而NAND需要擦寫整個塊。其次，閃存擦寫的次數都是有限的.當閃存的使用接近使用壽命的時候，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命時，閃存內部存放
2013-04-02 23:02:03
，然后再寫入，也就是通常說的“先擦后寫”。只不過NOR芯片只用擦寫一個字，而NAND需要擦寫整個塊。其次，閃存擦寫的次數都是有限的.當閃存的使用接近使用壽命的時候，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命
2014-04-23 18:24:52
/ECC，如果需要使用壽命長，還需要做平均讀寫，垃圾回收等處理。 第二，不同品牌之間的NAND Flash，由于Page，Block大小不同，時序不同等。都需要工程師重新調試驅動。 第三，如果新項目
2019-09-29 16:45:07
SLM346光兼容單通道隔離柵驅動器代替TLP5772 具有低延時，模瞬態抗擾能力強，壽命長 一般描述：SLM346是一款光兼容單通道，隔離柵驅動器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
STM8S207C8T6 性能線8位微控制器提供32至128 KB的閃存程序存儲器。STM8S207C8T6 具有以下優點：降低了系統成本，性能穩定，開發周期短，產品壽命長。借助集成的真數
2019-10-08 10:20:58
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據數據表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構建和FPGA + ARM平臺，我當時
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
的操作，都可以交給SD NAND，CPU可以不用再管了。領導再也不用擔心我的NAND Flash驅動了。 第五，使用壽命長，性能穩定。SLC NAND是NAND Flash中使用壽命最長，性能最穩定
2019-09-26 15:15:21
： A、 為了降低成本，我們推出外形跟說明書的一樣，但夾具只能測試有錫球的芯片，壽命在2萬次以上，價格￥550.00/套!限位框另購! B、 eMMC閃存記憶體再利用：比如說eMMC IC主控損壞
2013-05-27 22:01:53
自鼎陽科技研發生產的SDG1000系列、SDG5000系列函數/任意波形發生器成功推出市場后，其產品配套的上位機軟件EasyWave，也受到了廣大用戶的好評，被認為是目前市面上普及型的波形編輯軟件的優秀之作。
2019-08-09 06:17:56
管了。領導再也不用擔心我的NAND Flash驅動了。 第五，使用壽命長，性能穩定。SLC NAND 是NAND Flash中使用壽命最長，性能最穩定的類型了。可達10W的擦寫壽命，讓SD NAND
2019-10-16 15:46:47
管了。領導再也不用擔心我的NAND Flash驅動了。 第五，使用壽命長，性能穩定。SLC NAND 是NAND Flash中使用壽命最長，性能最穩定的類型了。可達10W的擦寫壽命，讓SD NAND
2019-10-15 17:01:27
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品，可用于各種廣泛的數字消費產品【轉】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產品，這些產品整合了采用尖端的15納米工藝技術制造的NAND芯片。新產品符合
2018-09-13 14:36:33
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數和一個鏈接器來構建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個核心，但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
`1、要確定使用環境的可靠性，如使用環境非常惡劣，受潮、高溫、信號干擾都會影響其使用壽命。3、鋼絲繩的抗拉強度，鋼絲繩一般采用進口涂塑鋼絲，由100多股構成，只要不對其施加外力是沒有問題的。5、旋轉
2020-07-04 11:30:45
硅膠高溫線具有優良的耐高溫及耐低溫性能、具有優良的耐高壓、耐老化、耐高溫、耐酸堿，使用壽命長。
2019-11-05 09:01:36
具有性能穩定、精度高、體積小、量輕、可靠性高、壽命長、對無線電干憂小等特點。
2019-10-30 09:02:21
具有性能穩定、精度高、體積小、量輕、可靠性高、壽命長、對無線電干憂小等特點。
2020-03-05 09:00:30
.同時，大開度工作節流間隙大，沖蝕減弱，這比一開始就讓閥在中間開度和小開度上工作提高壽命1～5倍以上。如某化工廠采用此法，閥的使用壽命提高了2倍。 &
2009-09-14 14:53:15
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態驅動器(SSD)等產品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 新型核電池壽命長達5000年
國密蘇里大學的科學家日前公布，他們正在開發一種新型電池，其使用壽命超過標準電池一百萬倍。
2009-12-15 12:00:072511 SanDiski推出NAND嵌入式閃存驅動器支持e.MMC 4.4
SanDisk（閃迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅動器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4規格。這些驅動器基于
2010-02-24 16:37:071048 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業務
據國外媒體報道，日本爾必達公司表態計劃收購美國Spansion（飛索半導體）旗下的NAND閃存業務資產。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 三洋電機發布高壽命電池 可充電2千次
Eneloop
2010-03-12 08:42:57906 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
英特爾今天宣布發布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 介紹了一種最新DDR NAND閃存技術,它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法
2011-12-15 17:11:3151 對于許多消費類音視頻產品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品
2012-07-27 17:03:381471 
現在已經有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時間比現在更長。延長 NAND 閃存壽命的關鍵是熱能的應用。
2012-12-03 13:49:50779 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:11991 NAND閃存目前已經發展出了四種形態：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長，但成本也最高；MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業級產品；TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來越短；QLC四比特單元，自然延續了這一趨勢。
2017-07-06 15:20:511128 
三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 武漢建設NAND工廠，預計今年內量產，據悉國產NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發的。
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節隨機的優點訪問和執行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費類音視頻產品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據悉，由香港大學研發、Federal Group Global Limited取得專利的「被動式LED電源」，可使用最少6萬小時，變相壽命長達15年。
2018-06-05 10:54:093941 Altera公司開發了基于其Arria 10 SoC的存儲參考設計，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數增加了7倍。參考設計在經過優化的高性價比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00605 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 東芝公司近日發布了BENAND產品。該產品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產品正式批量生產的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 研發支持原廠3D TLC NAND高品質固件的固態硬盤完整解決方案。據了解，MAS0902固態硬盤主控芯片，已經適配了全球全部量產的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒，繼在今年9月國內首發量產
2018-11-19 17:22:316838 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調整了其對NAND閃存的供需預測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據IDC數據顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 存儲器領導品牌威剛科技昨日發表新款工業級microSD記憶卡IUDD362，采用高質量SLC NAND Flash，比起其他NAND Flash耐用度高且壽命長，適合工業自動化系統的儲存裝置使用。
2019-04-28 16:09:502650 2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市，領跌的就是DRAM內存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 長期看好磷酸鐵鋰的比亞迪還在堅持，而且看起來還在創造驚喜——比亞迪將于明年5－6月份推出的全新一代鐵鋰電池，體積比能量密度將提升50％，壽命長達8年120萬公里，成本還可以節約30％。
2019-08-23 14:48:044967 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791 據韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預測，基于固態硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學習和虛擬現實將引領明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 任何了解SD卡，USB閃存驅動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
作為NAND閃存技術發明人、全球第二大閃存供應商，從東芝獨立出來之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開始已經不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術實力無可置疑，但打造全新品牌之路依然不容易，傳聞稱4月份鎧俠會推出全新的消費級SSD品牌，從閃存到主控再到固件都是自主研發的。
2020-01-13 17:43:4015192 Memxpro在德國Embedded World 2019展會上推出了使用壽命長的TLC SSD。
2020-03-03 16:09:24731 REALFORCE曾推出了燃風靜電容鍵盤，采用Topre技術，擁有獨特的敲擊手感。近日，REALFORCE又推出了燃風RFM01U11靜電容游戲鼠標，分體式左右鍵設計，擁有超過5000萬次超高壽命，采用靜電容無接點方式，可提供輕柔的按壓感和靜音性。
2020-03-30 16:13:024429 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:46:522302 淹沒式脈沖電磁閥為嵌入式閥主要使用在除塵設備上，閥座嵌入氣包內部安裝，阻力小，流通性好，噴吹量高提高了負荷帶動量，擴大了氣源壓力的使用范圍，它在使用時具有性能穩定、凈化效率高、使用壽命長、處理風量
2020-06-17 11:53:372040 這個問題需要從不同的角度看，從技術和最底層的介質層面講（注意這個前提），固態硬盤的NAND壽命普遍要低于磁盤和磁帶（是的，這里寫了磁帶，企業級的歸檔數據還挺多都是放磁帶庫的），這與不同介質的存取機理、數據保持力等等因素有關，這也是那句NAND擦寫若干次就壞了，所以固態硬盤壽命較低傳說的來源。
2020-07-17 11:05:468604 
無論消費者還是企業機構，大多數人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講，NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞。基于塊尋址結構和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近關于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項技術世界領先，最快年底量產。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情況下，固態硬盤（SSD）的底層NAND架構會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數據存儲產生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:232416 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術的發展。本文介紹的176層NAND芯片，已經發展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。
2020-12-15 17:55:342755 eMMC模塊因為是以NAND閃存技術為基礎而具有預定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規范進行設計，他們也必須預見到同一系統隨著時間的推移必須應對不斷增加的工作負載挑戰。
2021-01-18 16:21:041831 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助，但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:26:421481 寫入問題確實是NAND閃存的在企業級應用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統的對話已經變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282
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