3月14日消息,三星電子宣布將批量生產全球容量最大的12GB LPDDR4X(低功耗雙倍數據速率4X)移動DRAM。 該產品主要針對高階智能手機內存市場應用,包括Galaxy Fold
2019-03-15 14:55:395163 三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛,本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:14:521059 電子發燒友早八點訊:三星今天在韓國宣布,開始大規模量產64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 三星今日宣布,其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業界首款采用極紫外光(EUV)技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造,擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:542782 閃存。 ? ? 容量方面,該系列產品能夠提供內存容量由6GB到12GB、閃存容量由128GB到512GB。 ? 性能方面,LPDDR5能夠支持25GB/s的讀寫速度,相較之前的LPDDR4X快1.5
2021-06-17 07:08:003267 我們將會介紹SSD市場的一些最新發展,如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術。3D NAND緊跟三星之后,慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術,使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
,既有超強的性能,同時兼顧了低功耗的設計,外加強大的3D性能及視頻處理能力,將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標配了1GB DDR3內存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
PC類別中的競爭力。”目前還不清楚三星會對其美國筆記本電腦業務做出怎樣的改變。截稿時,三星未就該問題予以回復。三星是全球最大的智能手機和平板電腦生產商之一,但在PC領域則相對是新手。以全球出貨量看
2014-09-25 10:32:11
Storage(OCS)”,容量也比原來格子狀排列時增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導入的技術。Air Spacer技術是最近經常采用的通過在電極及布線周圍設置空隙來減小寄生電容的技術。三星表示通過該技術,與原來布線絕緣采用Si3N4時相比,可使Cb減小34%。
2015-12-14 13:45:01
前陣子我的三星移動壞掉了,找了總部電話 4008105858 問了一下電話后面她們告訴我三星移動硬盤總代理的電話:三星移動硬盤客服電話 公司:金捷諾 電話:010-68718858
2008-06-15 10:06:47
三星采用的是ION平臺。三星N510上網本三星N510上網本 據悉,三星的N510上網本仍然會搭配1.66GHz主頻英特爾Atom N280處理器,配置1GB內存和160GB硬盤。搭配NVIDIA
2009-07-01 22:41:17
三星NC20-KA01 參考售價:4100元 三星NC20-KA01使用的是NC10的模板,所以在外觀上沒有什么變化。整機采用白色設計。12.1英寸的LED屏幕最大分辨率為1280*800,在屏幕
2009-07-02 09:09:38
1080p視頻錄制。別忘了,三星GALAXY Grand還搭載一顆200萬像素的前置攝像頭。 最后,三星GALAXY Grand其他規格還包括1GB運行內存,8GB的內置存儲容量并支持SD擴展,支持藍牙
2012-12-19 15:54:04
的存儲卡,那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊,還真不便宜!該款存儲卡起售價$199.99,對于一張存儲卡而言,這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
`E4418CORE工業級核心板功能介紹主要功能優勢說明:◆E4418CORE基于三星和NEXELL聯合發布的四核COTEX-A9 CPU,主頻最高為1.6GHz, 4418集成了高性能GPU,具有
2016-08-15 14:54:39
的攝像頭,整體成像質量出色,可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統,主頻高達1GHz的處理器保證了整機的流暢運行,機身自帶16GB的擴展存儲,同時還支持高達
2011-05-04 18:51:39
數據存儲架構發生變化,一個表現在QLC的大容量,另一個是3D Xpoint技術的高性能、低延遲。目前IBM云服務、騰訊數據中心分別采用傲騰和QLC技術,百度云人工智能更是結合了QLC和傲騰的優勢,達到
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布,位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術,生產用于服務器等的NAND閃存(V-NAND)。三星電子希望在IT(信息技術)設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
。GALAXY TabPro S平板電腦搭載Windows 10操作系統,采用主頻為2.2GHz的Core M處理器、4GHz內存,配備128GB或256GB固態硬盤。12寸AMOLED顯示屏分辨率為
2016-01-06 18:28:14
三星宣布將開發手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過手機得知產品和服務信息,但三星并未透露產品何時上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16
三星打破上網本既有模式 性能尺寸接近傳統筆記本CNET科技資訊網7月1日國際報道 Nvidia證實,三星將推出一款采用其Ion芯片組的上網本,打破這類產品既有的模式。 Nvidia筆記本電腦產品部門
2009-07-01 21:47:27
三星電子近日宣布成功開發出高質量的CMOS圖像傳感器(CIS)芯片和照相機模組。該照相機模組有1/3英寸SXGA(130萬像素)、1/5.8英寸VGA(33萬像素)兩種規格,都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
隨機存儲器,DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片,并因此成為世界半導體產品領導者。在此之前,三星只是為本國市場生產半導體。 在八十年代中期,三星開始進入系統開發業務領域,在
2019-04-24 17:17:53
根據三星技術部門確認并宣布,三星將會把所有的Windows Phone 7.5機型的系統版本推送至7.8,原文如下:“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區Flash Memory業務總監蘇治源表示,該公司NAND Flash產品去年
2022-02-10 12:26:44
bit;每秒最大數據量為500×1280×1024×8 bit;Camera Link高速接口單路數據速率為65.536 MByte,如果需要連續存儲60秒的視頻數據,則需要40 G Byte存儲器容量。100 GByte的存儲容量最多大約可存儲2.5分鐘視頻數據。圖1為系統結構圖。
2019-08-07 08:20:48
IKD300SM/16GB/32GB閃存硬盤IKD300SM/64GB/128GB全球閃存產品領導品牌(金士頓)Kingston今天將推出全新DataTraveler HyperX Predator
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡(SDXC)?
2023-03-22 07:06:21
MaxLinear首款A-VSB硅調諧器獲三星移動電視采用 作為一家致力于CMOS寬帶射頻(RF)IC開發的無晶圓半導體公司,MaxLinear近日宣布其創新性MxL5005S硅
2008-05-30 13:02:40
RK3399核心板采用Cortex-A72+Cortex-A53六核64-bit 2.0GHz處理器,超高性能,最高配置4GB/128GB,提供全功能評估板選購,可以二次開發/擴展,快速實現產品研發
2019-09-16 02:37:59
能夠以128GB的超高容量,于3000MHz的高時脈順利運作。這組HyperX Predator DDR4是由單條16GB的存儲器共八條所組成,并具有超低的16-16-16-36時序以及XMP設定
2022-02-13 11:25:18
將在3月份上市,采用主流的96層3D NAND,并充分利用UFS 3.1高帶寬以及SLC NAND緩存,可提供最高800MB/s的順序寫入速度。容量方面,iNAND MC EU521提供128GB
2022-01-28 15:23:27
至128K字節之間的STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。大容量產品是指閃存存儲器容量在256K至512K字節之間的STM32F101xx和ST
2021-08-05 07:48:19
存儲器容量在16K至32K字節之間的STM32F101xx、 STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。中容量產品是指閃存存儲器容量在64K至128K字節之間的STM32F...
2021-12-09 07:42:22
處理器,同時配備有4.8英寸720P分辨率Super AMOLED HD屏幕,1GB RAM,配置扎實。目前,商家對三星GALAXY S3報價為3080元,有興趣的朋友不妨關注下。上海手機最新價格
2012-12-05 14:19:07
更換為8 Gb 或容量更大的卡(圖1)。 圖 1:Swis***itClass 10 microSDHC S-140u 存儲卡支持高達104 Mb/s 的速度,足夠用于高速訪問程序存儲器。(圖片來源
2019-07-30 11:19:18
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品,包括手機和數碼相機,樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
代Intel?Core?i7-8850H8代Intel?Xeon?E-2176M8代Intel?Xeon?E-2186MONLY支持64GB RAM。我知道三星為筆記本電腦提供32GB ram單調,有
2018-10-26 14:58:40
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
跡可循。 在2002年開啟MRAM研發工作后,三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發,該技術后來被證明可以滿足高性能計算領域對最后一級緩存的性能要求,被認為是MRAM突破利基市場的利器
2023-03-21 15:03:00
。 2、硬盤存儲器 信息可以長期保存,可以讀寫,容量大,但是不方便攜帶。 3、移動存儲器 主要包括閃存盤(優盤)、移動硬盤、固態硬盤(SSD)。 4、閃存盤(優盤) 采用Flash存儲器(閃存
2019-06-05 23:54:02
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品,可用于各種廣泛的數字消費產品【轉】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產品,這些產品整合了采用尖端的15納米工藝技術制造的NAND芯片。新產品符合
2018-09-13 14:36:33
芯片自主發展成為當務之急。2019年NAND市場上還有一個變數,雖然它還是初生牛犢,但它是最有可能重塑存儲芯片市場格局的,那就是中國的長江存儲公司2019年會大規模量產3DNAND閃存,跟三星、東芝
2021-07-13 06:38:27
女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機之家資訊中心4月9日消息,三星向來有推出粉色經典機型的習慣,如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了,該機將于近期在香港上市,售價為5998
2012-04-13 18:49:11
參考資料:小容量產品是指閃存存儲器容量在16K至32K字節之間的STM32F101xx、 STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。中容量產品是指閃存存儲器容量在64K至128K字節
2021-07-22 07:17:59
創始人J.Wong在魅族論壇中回應網友質疑時,也確認了這就是Flyme 3.0系統。 另外,據消息人士透露,魅族MX3將會推出128GB版本,屆時MX3將可能出現16GB、32GB、64GB
2013-08-27 17:01:40
我想將我的M2從128GB升級到500(三星860 EVO,我需要做些什么來完成這個?以上來自于谷歌翻譯以下為原文I want to upgrade my M2 from 128GB to 500
2018-10-29 14:25:44
2018年上半進入96層的技術規格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲器大廠都卯盡全力,在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出,第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
年首款DDR4從韓國三星誕生,隨后海力士迅速跟進研制生產;2012年5月8日,美光官方正式宣布該公司首款DDR4內存開發生產出成品,并已經開始提供樣品給主要客戶進行測試,預計2013年開始量產
2012-12-30 18:45:31
方便移動設備應用.存儲器系統設計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態存儲器與傳統的NOR閃存相比,被證實可以減少功耗。存儲器子系統架構存儲器子系統架構是嵌入式設計者面臨的主要挑戰.存儲器參數
2018-05-17 09:45:35
月英特爾宣布使用FinFET技術,而后臺積電、三星也都陸續采用FinFET。晶體管開始步入了3D時代。在接下來的發展過程中,FinFET也成為了14 nm,10 nm和7 nm工藝節點的主要柵極
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P,900P,905P系列的存儲介質都是相變存儲器,我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
開始生產。此舉也創下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄,2017年營收持續增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內存,并將于今年下半年上市。這樣一來,臺積電和三星以及蘋果的性能之爭,就轉移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
了Mali-400 高性能圖形引擎,支持3D圖形流暢運行,并可播放1080P大尺寸高清視頻。PRO6818核心板采用了進口式超薄板對板連接器設計而成,尺寸為50mmx58mm,腳位數320Pin。核心板標配2GB
2017-04-08 11:51:40
3GB-8GB+64GB-256GB范圍的八種不同配置。三星和美光所推出的多芯片封裝uMCP解決方案有望替代eMCP成為5G手機向中低端市場普及的最佳解決方案,將可滿足移動市場不斷增長的性能和容量的需求
2019-12-25 14:38:44
筆者有個筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫,想升級一下,請問可以更換那些字庫?可以更換128GB的哪些型號?N3150 Braswell平臺
2020-06-09 06:36:04
如何滿足各種讀取數據捕捉需求以實現高速接口?如何讓接收到的時鐘與數據中心對準?為了縮短設計周期應遵循哪些規則?如何設計存儲器接口才能獲得更高性能?
2021-04-14 06:30:23
`本文引用地址:http://www.topeetboard.com 迅為電子iTOP-4412精英版是迅為公司推出搭載三星Exynos四核處理器,配備1GB內存,4GB固態硬盤EMMC存儲,兼具
2014-05-27 14:04:17
功耗的前提下具有與DDR3一樣的速度。·存儲:8GB(可根據需要配置16GB以及32GB),采用三星EMMC,時鐘頻率高達52MHZ,滿足MMC V4.41協議標準。 ·PMIC:選用三星自家電源管理芯片
2013-06-18 16:07:28
*69*7(mm)2.5英寸,100*69.85*6.8(mm)控制器 SMI控制器500GB/250/120GB:三星MGX控制器質保3年5年支持的系統Windows XP,Windows 7
2016-05-09 15:08:10
位隨機存儲器問世。英特爾開始采用8英寸晶圓。三星成為全球最大的DRAM廠商。***地區各半導體廠陸續進入0.6微米制程。 1993年66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝。三星建立第一個8英寸
2018-05-10 09:57:19
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17
ZQ9712HV高性能的3bit串轉并驅動芯片
ZQ9712HV 芯片是專門為LED 驅動應用設計的芯片。采用了12V 電源電壓供電,
2010-04-20 09:18:3926 三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司
2009-12-02 08:59:23533 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片,用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產128Gb,也就是16GB容量的閃存芯片,該芯片將采用19納米制程,每單元三層結構,尺寸為0.26平方英寸,比一個一便士硬幣還要小,而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:06847 云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近,三星打破了目前市場上最高64GB的束縛,本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:11:25879 目前,三星官方天貓旗艦店已經出現了Galaxy S7 edge新配色的信息,而它是冠以“耀巖黑”的稱號,機身存儲容量達到了128GB,售價是6288元
2016-12-09 11:53:58816 三星512GB UFS閃存開始量產,它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度,它的存在必將滅亡手機存儲卡。
2017-12-05 14:21:281450 三月份首次公開展示之后,三星電子今天宣布,已經全球第一個開始量產基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內存條,主要面向企業和云服務應用。
2018-06-13 15:09:003690 TLC是一種閃存顆粒的存儲單元,它的英文是TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell。在TLC發明之前,固態硬盤大部分采用SLC和MLC,即Single-Level
2018-06-28 09:19:0037554 三星電子 30 日宣布,已開始正式量產全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組(SoDIMM)規格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術打造,可以用戶享受豐富的電競游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現。
2018-06-11 11:49:00655 日前,東芝(TOSHIBA)、西數(WD)等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器,核心容量可達 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:002026 三星 17 日宣布,量產首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒,速率可達 6,400Mbps,比現有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%,同時功耗降低 30%,三星現在已經完成了 8GB
2018-07-18 17:56:003077 存儲器大廠美光 26 日宣布,正式量產 GDDR6 存儲器。其核心容量 8Gb,速率 12、14Gbps。美光表示,其速度最高可達 20Gbps,而且未來還會推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 存儲器,傳輸速率達 16Gbps
2018-06-27 09:54:583989 三星17日宣布,量產首批8GB LPDDR5存儲器顆粒,速率可達6,400Mbps,比現有LPDDR4-4266存儲器快了50%,同時功耗降低30%,三星現在已經完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:444469 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 今年8月初,NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:52935 配置方面,vivo Y93s搭載八核高性能處理器、4GB運存,能夠滿足日常使用的需求。與此同時,vivo Y93s標配128GB閃存,三卡槽設計最高支持256GB閃存拓展,即使再多的照片音樂游戲都能輕易安放。
2018-12-11 16:51:488337 近日,華碩官方宣布,通過UEFI BIOS更新,旗下Z390系列主板可支持128GB內存。接下來,華碩將通過BIOS更新,陸續為旗下全線Z390系列主板提供最大128GB的內存容量支持。
2019-01-11 17:05:433001 天字一號閃存企業三星電子今天(1月30日)宣布開始量產單芯片1TB容量的UFS存儲產品,主力用于智能手機。
2019-02-11 11:33:413705 TransMemoryTM USB 3.0 高速閃存盤U365,128GB的容量,不僅機身小巧,還采用了可伸縮插口,可以說是獨具一格,而且搭配高速的傳輸接口,對于較大數據文件的傳輸更加給力,接下來我們就一睹為快,詳細了解一下這款東芝存儲U365高速閃存盤。
2019-06-06 11:38:124352 的存儲空間將從64GB提高到128GB,iPhone XI系列會保留256GB/512GB的高配版本,但iPhone XR 2019是否會提供512GB存儲版本還未能確定。
2019-06-08 18:08:005443 5G超級SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時,它也是一張超大容量的存儲卡。目前有32GB、64GB和128GB三個版本,未來還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 紫光旗下的長江存儲邁出了國產閃存的重要一步,已經開始量產64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發的Xstacking技術,核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585 2019年智能手機的閃存容量進一步提升,中高端手機基本上是128GB起步,高端會上512GB,個別產品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去,明年1TB容量的手機會更多,因為SK海力士現在已經開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商,堆棧層數達到了128層。
2019-11-21 08:53:08482 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156 三星今日宣布,已開始量產單封片16GB容量的LPDDR5內存,追上高端筆記本、游戲PC的水準。
2020-02-25 13:53:422756 今日,三星電子宣布已開始量產512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存,可用于手機、平板等。
2020-03-17 11:45:262147 首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557 的3DNAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時發布的還有128層512GbTLC(3bit/cell)規格閃存芯片(型號:X2-9060),以滿足不同應用場景的需求。
2020-04-13 14:25:113068 長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發成功。同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 特斯拉在中國官網上架128GB U盤。
2020-11-27 09:35:204103 三星電子計劃從今年第四季度開始生產128gb和256gb產品,并生產512gb產品。256gb產品的連續讀取速度為2000兆/秒,連續寫入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452
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